新余碳化硅衬底设备项目商业计划书_范文模板.docx
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1、泓域咨询/新余碳化硅衬底设备项目商业计划书新余碳化硅衬底设备项目商业计划书xx有限公司报告说明新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器
2、和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。根据谨慎财务估算,项目总投资18045.75万元,其中:建设投资15132.11万元,占项目总投资的83.85%;建设期利息431.52万元,占项目总投资的2.39%;流动资金2482.12万元,占项目总投资的13.75%。项目正常运营每年营业收入30300.00万元,综合总成本费用25180.42万元,净利润3732.82万元,财务内
3、部收益率15.03%,财务净现值674.04万元,全部投资回收期6.58年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 项目绪论9一、 项目名称及投资人9二、 项目建设背景9三、 结论分析10主要经济指标一览表12第二章 项目背景及必要性14一、 竞争
4、格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期14二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期15三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越17四、 推动开发区改革创新发展19第三章 行业发展分析22一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心22二、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒23三、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%24第四章 项目投资主体概况26一、 公司基本信息26二、 公司简介26三、 公司竞争优势27四、 公司主要财务数据29公司合并资产负债表主要数据29公司合并利润表主要数据29五、 核心人员介绍30六、 经营宗旨31七、
5、 公司发展规划32第五章 法人治理结构34一、 股东权利及义务34二、 董事37三、 高级管理人员42四、 监事44第六章 运营模式47一、 公司经营宗旨47二、 公司的目标、主要职责47三、 各部门职责及权限48四、 财务会计制度51第七章 发展规划55一、 公司发展规划55二、 保障措施56第八章 SWOT分析说明58一、 优势分析(S)58二、 劣势分析(W)60三、 机会分析(O)60四、 威胁分析(T)61第九章 创新发展69一、 企业技术研发分析69二、 项目技术工艺分析71三、 质量管理72四、 创新发展总结73第十章 项目规划进度74一、 项目进度安排74项目实施进度计划一览表
6、74二、 项目实施保障措施75第十一章 建筑工程方案分析76一、 项目工程设计总体要求76二、 建设方案76三、 建筑工程建设指标80建筑工程投资一览表80第十二章 风险分析82一、 项目风险分析82二、 公司竞争劣势89第十三章 建设内容与产品方案90一、 建设规模及主要建设内容90二、 产品规划方案及生产纲领90产品规划方案一览表90第十四章 投资计划92一、 编制说明92二、 建设投资92建筑工程投资一览表93主要设备购置一览表94建设投资估算表95三、 建设期利息96建设期利息估算表96固定资产投资估算表97四、 流动资金98流动资金估算表99五、 项目总投资100总投资及构成一览表1
7、00六、 资金筹措与投资计划101项目投资计划与资金筹措一览表101第十五章 经济收益分析103一、 基本假设及基础参数选取103二、 经济评价财务测算103营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表105利润及利润分配表107三、 项目盈利能力分析107项目投资现金流量表109四、 财务生存能力分析110五、 偿债能力分析111借款还本付息计划表112六、 经济评价结论112第十六章 项目综合评价说明114第十七章 附表115营业收入、税金及附加和增值税估算表115综合总成本费用估算表115固定资产折旧费估算表116无形资产和其他资产摊销估算表117利润及利润分配表118项
8、目投资现金流量表119借款还本付息计划表120建设投资估算表121建设投资估算表121建设期利息估算表122固定资产投资估算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126第一章 项目绪论一、 项目名称及投资人(一)项目名称新余碳化硅衬底设备项目(二)项目投资人xx有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xx。二、 项目建设背景据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件
9、使用寿命、降低生产成本。当前及今后一个时期,我们处于大有可为的战略机遇期。国际环境日趋复杂,新冠肺炎疫情影响广泛深远;但和平与发展仍是时代主题,人类命运共同体理念日益深入人心;我国综合国力不断增强、制度优势日益彰显、治理效能显著提升,发展长期向好的基本面没有改变;新一轮科技革命和产业变革深入发展,新发展格局加快构建,必将催生新一轮政策机遇、市场机遇和开放机遇,有利于持续增强我市经济社会发展动力;长江经济带、粤港澳大湾区、江西内陆开放型经济试验区等重大战略深入实施,新宜吉六县转型合作加速推进,有利于我市全方位拓展新发展空间;创新驱动、扩大内需、城乡融合发展等新一轮宏观发展政策实施,有利于全面激发
10、我市经济社会发展活力。三、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xx,占地面积约43.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资18045.75万元,其中:建设投资15132.11万元,占项目总投资的83.85%;建设期利息431.52万元,占项目总投资的2.39%;流动资金2482.12万元,占项目总投资的13.75%。(五)资金筹措项目总投资18045.75万元,根据资金筹措方案,xx有限公司计划自筹资金
11、(资本金)9239.21万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额8806.54万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):30300.00万元。2、年综合总成本费用(TC):25180.42万元。3、项目达产年净利润(NP):3732.82万元。4、财务内部收益率(FIRR):15.03%。5、全部投资回收期(Pt):6.58年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):14342.56万元(产值)。(七)社会效益本项目生产所需的原辅材料来源广泛,产品市场需求旺盛,潜力巨大;本项目产品生产技术先进,产品质量、成本具有较强的竞争力,三废排放少,能够达到国家排放标
12、准;本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设;项目产品畅销,经济效益好,抗风险能力强,社会效益显著,符合国家的产业政策。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积28667.00约43.00亩1.1总建筑面积44844.631.2基底面积17200.201.3投资强度万元/亩344.902总投资万元18045.752.1建设投资万元15132.112.1.1工程费用万元
13、13186.942.1.2其他费用万元1439.572.1.3预备费万元505.602.2建设期利息万元431.522.3流动资金万元2482.123资金筹措万元18045.753.1自筹资金万元9239.213.2银行贷款万元8806.544营业收入万元30300.00正常运营年份5总成本费用万元25180.426利润总额万元4977.107净利润万元3732.828所得税万元1244.289增值税万元1187.3310税金及附加万元142.4811纳税总额万元2574.0912工业增加值万元9073.6113盈亏平衡点万元14342.56产值14回收期年6.5815内部收益率15.03%所
14、得税后16财务净现值万元674.04所得税后第二章 项目背景及必要性一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7
15、%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小
16、于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50
17、万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全
18、球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOS
19、FET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市
20、场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二
21、代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽
22、度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低
23、70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。四、 推动开发区改革创新发展坚持规划引领、改革创新、集聚集约发展,深化开发区体制机制改革创新,充分释放开发区发展动能,更好发挥工业发展主阵地、主战场作用。(一)推动园区提质升级引导开发区聚焦首位产业、主攻产业,大力实施开发区产业集群提能升级计划,提升产业首位度。开展集群式项目“满园扩园”“两型三化”管理提标提档等行动,提升特色优势产业集群综合竞争力。稳步有序推进开发区优化整合,促进土地等生产要素向效益高、
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