德州碳化硅项目可行性研究报告_模板范文.docx
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1、泓域咨询/德州碳化硅项目可行性研究报告德州碳化硅项目可行性研究报告xxx集团有限公司报告说明相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。根据谨慎财务估算,项目总投资12909.32万元,其中:建设投资10153.91万元,占项目总投资的78.66%;建设期利息
2、223.67万元,占项目总投资的1.73%;流动资金2531.74万元,占项目总投资的19.61%。项目正常运营每年营业收入23100.00万元,综合总成本费用19407.45万元,净利润2692.04万元,财务内部收益率13.26%,财务净现值1134.68万元,全部投资回收期6.95年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。经分析,本期项目符合国家产业相关政策,项目建设及投产的各项指标均表现较好,财务评价的各项指标均高于行业平均水平,项目的社会效益、环境效益较好,因此,项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本,制定好项目的详细规划及资金使用计划,
3、加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理,特别是加强产品生产的现金流管理,确保企业现金流充足,同时保证各产业链及各工序之间的衔接,控制产品的次品率,赢得市场和打造企业良好发展的局面。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 项目建设背景及必要性分析9一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期9二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越10三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心12四、 抢抓战略机遇,厚植区域经济优势13五、
4、坚持创新驱动,激发科技创新活力16六、 项目实施的必要性18第二章 项目基本情况20一、 项目名称及投资人20二、 编制原则20三、 编制依据21四、 编制范围及内容21五、 项目建设背景21六、 结论分析22主要经济指标一览表24第三章 项目承办单位基本情况27一、 公司基本信息27二、 公司简介27三、 公司竞争优势28四、 公司主要财务数据29公司合并资产负债表主要数据29公司合并利润表主要数据30五、 核心人员介绍30六、 经营宗旨31七、 公司发展规划32第四章 市场预测38一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临38二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%39三、
5、新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期40第五章 建筑工程说明43一、 项目工程设计总体要求43二、 建设方案44三、 建筑工程建设指标45建筑工程投资一览表45第六章 项目选址47一、 项目选址原则47二、 建设区基本情况47三、 激发内需活力,主动融入新发展格局49四、 项目选址综合评价51第七章 发展规划分析53一、 公司发展规划53二、 保障措施59第八章 运营管理模式62一、 公司经营宗旨62二、 公司的目标、主要职责62三、 各部门职责及权限63四、 财务会计制度66第九章 环境保护分析74一、 编制依据74二、 环境影响合理性分析75三、 建设期大气环境影响分析75四
6、、 建设期水环境影响分析77五、 建设期固体废弃物环境影响分析77六、 建设期声环境影响分析78七、 建设期生态环境影响分析79八、 清洁生产79九、 环境管理分析81十、 环境影响结论82十一、 环境影响建议82第十章 进度计划84一、 项目进度安排84项目实施进度计划一览表84二、 项目实施保障措施85第十一章 安全生产分析86一、 编制依据86二、 防范措施87三、 预期效果评价93第十二章 工艺技术及设备选型94一、 企业技术研发分析94二、 项目技术工艺分析96三、 质量管理97四、 设备选型方案98主要设备购置一览表99第十三章 投资方案分析101一、 投资估算的依据和说明101二
7、、 建设投资估算102建设投资估算表104三、 建设期利息104建设期利息估算表104四、 流动资金106流动资金估算表106五、 总投资107总投资及构成一览表107六、 资金筹措与投资计划108项目投资计划与资金筹措一览表109第十四章 经济效益110一、 基本假设及基础参数选取110二、 经济评价财务测算110营业收入、税金及附加和增值税估算表110综合总成本费用估算表112利润及利润分配表114三、 项目盈利能力分析115项目投资现金流量表116四、 财务生存能力分析118五、 偿债能力分析118借款还本付息计划表119六、 经济评价结论120第十五章 招标、投标121一、 项目招标依
8、据121二、 项目招标范围121三、 招标要求122四、 招标组织方式122五、 招标信息发布124第十六章 总结分析125第十七章 补充表格127建设投资估算表127建设期利息估算表127固定资产投资估算表128流动资金估算表129总投资及构成一览表130项目投资计划与资金筹措一览表131营业收入、税金及附加和增值税估算表132综合总成本费用估算表133固定资产折旧费估算表134无形资产和其他资产摊销估算表135利润及利润分配表135项目投资现金流量表136第一章 项目建设背景及必要性分析一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化
9、供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(I
10、I-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已
11、小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅
12、(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电
13、压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源
14、、轨道交通、智能电网等。三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的
15、芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬
16、度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。四、 抢抓战略机遇,厚植区域经济优势抓住用好国家和省重大战略机遇,强化协同观念,创新融入方式,拓展合作空间,把战略机遇转化为发展优势和发展成果,在区域协调发展大局中找准定位,在新发展格局中展现作为,充分激发高质量发展的澎湃动能。深度融
17、入京津冀协同发展战略。拓展延伸“一区四基地”功能,积极承接北京非首都功能疏解,主动服务雄安新区建设,着力在对接上下功夫、融合上促深化、服务上抓提升,全力打造山东省对接京津冀协同发展的桥头堡。高标准建设产业承接基地,积极参与京津地区产业布局调整,重点承接首都外溢和协作项目特别是科技型项目,协调争取高新技术企业资质互认机制。高水平建设科技成果转化基地,联合打造京津冀鲁科创走廊,加快形成“研发在京津、转化在德州”的科技协作模式。高质量建设优质农产品供应基地,打造“放心农场”,加快从农产品供应基地向优质食品供应基地转型。高效率建设高素质劳动力培训基地,深入推进与京津地区的劳务协作,大力开展职业教育和技
18、能培训,为经济社会发展培养大国工匠、技能人才。高站位建设京津南部生态功能区,严格执行京津冀通道城市环境质量标准,加快建设鲁冀边生态防护林,筑牢生态安全屏障。扎实推进政务、交通、教育、医疗等多领域对接京津冀,促进基本公共服务共建共享、政务服务一体通办。深入落实黄河流域生态保护和高质量发展战略。德州因黄河得名,得黄河润泽,必须肩负起保护母亲河的使命,努力在黄河流域生态保护和高质量发展中协同行动、率先突破。坚持生态优先,狠抓区域内黄河水体、河岸系统治理和修复,加快黄河国际生态城和黄河水乡国家湿地公园建设,按省统一部署共同打造百里黄河生态廊道。坚持统筹治理,积极配合做好黄河水沙调控体系和机制建设,构建
19、安全可靠的防洪减灾体系。把水资源作为最大的刚性约束,实施大中型现代化灌区建设工程,大力发展农业节水,推进工业和服务业节水,实现黄河水高效利用,拓展黄河流域生产生活空间。积极融入黄河科创大走廊和黄河现代产业合作示范带。坚持文化传承,讲好“德水安澜”“大禹治水”“导河入海”等德字号黄河故事。加强黄河故道古桑树群、枣林复合系统等重要农业文化遗产保护。抓住黄河国家文化公园建设机遇,打造黄河文化旅游长廊。全面对接省会经济圈一体化发展。把握省会经济圈加快建设的契机,准确定位、全面对接,打破行政壁垒,实质性推进济德一体化发展。推动规划对接,拉近时空距离。积极主动对接济南规划政策,支持与济南毗连区域融入新版省
20、会城市规划,配合推进济南绕城高速二环线西环和北环段工程建设,推动轨道交通、公路交通、航空航运、数字基建融合发展。推动产业对接,实现配套联动。实施“产业集群共育工程”,强化与省属高校、科研院所、省属国企在技术、项目、平台、人才等方面的有效对接、深层合作。支持齐河、禹城、临邑打造融入省会经济圈一体化发展先行区。协调争取跨地域药品生产资质互认机制,打造“京沧德济”生物医药走廊。推动环保对接,实现生态共治。促进污染防治与生态保护协调联动、有效贯通,做到治污减排与生态容量两手并重,合力打造省会经济圈山水大花园。推动公共服务对接,加强两地互动。加强济德在教育、文化、医疗等领域的共建共享,提高基本公共服务水
21、平。紧抓鲁西崛起战略机遇,发挥区位优势,与鲁西四市加强区域协作。五、 坚持创新驱动,激发科技创新活力坚持创新在现代化建设全局中的核心地位,深入实施创新驱动发展战略,激发一切创新主体活力,营造区域创新生态,着力打通科技成果转移转化通道,充分发挥科技创新的战略支撑和引领作用,积极创建国家创新型城市。建设区域科技创新高地。大力实施“科教兴市”战略,健全财政资金引导、社会多渠道投入机制,持续稳定增加科技研发投入。全面提升开发区创新能级,提升园区平台承载能力,形成科技创新集聚区,推动德州高新区实现“一区多园”发展。紧盯产业中试、检验检测、成果熟化,加大成果转化应用技术落地支持力度,完善成果精准转化机制,
22、打造京津济科技成果转化基地。推动建设国家级科技成果转化中心,加强新材料、集成电路、体育器材、生物技术等共性技术平台和创新创业共同体建设。加强与大院大所合作,推动建设“院士科学交流中心”。加大科技兴农力度,大力发展马铃薯育种等现代种业,推进农业科技园区建设。在探索建设京津冀鲁区域科创走廊中发挥应有作用、取得更大成效,为产业升级赋能赋智。提升企业技术创新能力。强化企业创新主体地位,特别是企业家的主导作用,引导创新要素向企业集聚,培育一批创新型高成长的龙头企业。大力实施科创型领军企业培育计划、科技企业“小升高”计划,扎实推进高新技术企业助力工程、中小企业创新工程。发挥大企业引领支撑作用,推动传统企业
23、转型升级,实现存量优化。支持企业加大研发投入,持续完善优惠政策,提高规模以上工业企业研发机构、研发活动覆盖率。加强技术创新能力建设,鼓励原始创新。发挥科技成果转化基金引导作用,完善金融支持创新体系,用好齐鲁股权交易平台,促进新技术产业化规模化应用。深入实施“人才兴德”行动。牢固树立人才第一资源理念,贯彻尊重劳动、尊重知识、尊重人才、尊重创造方针。不断放大人才政策“黄金30条”升级版效应,统筹推进各领域人才队伍建设,加快建设区域性人才聚集高地。持续优化人才创新创业生态,建立完善高品质、高效率人才公共服务体系。大力实施人才安居工程,推进人才服务流程再造,着力打造工作生活成本、创新创业成本洼地,确保
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