新余碳化硅衬底项目商业计划书模板参考.docx
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1、泓域咨询/新余碳化硅衬底项目商业计划书新余碳化硅衬底项目商业计划书xx集团有限公司目录第一章 项目总论9一、 项目提出的理由9二、 项目概述9三、 项目总投资及资金构成12四、 资金筹措方案13五、 项目预期经济效益规划目标13六、 项目建设进度规划13七、 研究结论14八、 主要经济指标一览表14主要经济指标一览表14第二章 市场预测16一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心16二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%17第三章 项目背景及必要性19一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越19二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期20三、 受
2、益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临22四、 建高层次创新体系24五、 提升核心创新能力26第四章 公司基本情况28一、 公司基本信息28二、 公司简介28三、 公司竞争优势29四、 公司主要财务数据31公司合并资产负债表主要数据31公司合并利润表主要数据31五、 核心人员介绍32六、 经营宗旨33七、 公司发展规划33第五章 SWOT分析39一、 优势分析(S)39二、 劣势分析(W)41三、 机会分析(O)41四、 威胁分析(T)42第六章 法人治理结构48一、 股东权利及义务48二、 董事53三、 高级管理人员57四、 监事60第七章 创新发展63一、 企业技术研发分析63二、 项
3、目技术工艺分析65三、 质量管理66四、 创新发展总结67第八章 运营管理69一、 公司经营宗旨69二、 公司的目标、主要职责69三、 各部门职责及权限70四、 财务会计制度73第九章 发展规划分析79一、 公司发展规划79二、 保障措施83第十章 进度计划86一、 项目进度安排86项目实施进度计划一览表86二、 项目实施保障措施87第十一章 风险评估分析88一、 项目风险分析88二、 公司竞争劣势93第十二章 建筑物技术方案94一、 项目工程设计总体要求94二、 建设方案95三、 建筑工程建设指标98建筑工程投资一览表98第十三章 产品方案与建设规划100一、 建设规模及主要建设内容100二
4、、 产品规划方案及生产纲领100产品规划方案一览表101第十四章 项目投资分析102一、 投资估算的依据和说明102二、 建设投资估算103建设投资估算表107三、 建设期利息107建设期利息估算表107固定资产投资估算表109四、 流动资金109流动资金估算表110五、 项目总投资111总投资及构成一览表111六、 资金筹措与投资计划112项目投资计划与资金筹措一览表112第十五章 经济效益评价114一、 基本假设及基础参数选取114二、 经济评价财务测算114营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表116利润及利润分配表118三、 项目盈利能力分析118项目投资现金流量
5、表120四、 财务生存能力分析121五、 偿债能力分析122借款还本付息计划表123六、 经济评价结论123第十六章 总结评价说明125第十七章 补充表格127主要经济指标一览表127建设投资估算表128建设期利息估算表129固定资产投资估算表130流动资金估算表131总投资及构成一览表132项目投资计划与资金筹措一览表133营业收入、税金及附加和增值税估算表134综合总成本费用估算表134固定资产折旧费估算表135无形资产和其他资产摊销估算表136利润及利润分配表137项目投资现金流量表138借款还本付息计划表139建筑工程投资一览表140项目实施进度计划一览表141主要设备购置一览表142
6、能耗分析一览表142报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资10473.92万元,其中:建设投资8209.80万元,占项目总投资的78.38%;建设期利息103.09万元,占项目总投资的0.98%;流动资金2161.03万元,占项目总投资的20.63%。项目正常运营每年营业收入22600.00万元,综合总成本费用18675.48万元,净利润2869.06万元,财务内部收益率20.97%,财务净现值4135.97万元,全部投资回收期5.61年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(
7、已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目总论一、 项目提出的理由2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂10
8、0万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发
9、,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。二、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:新余碳化硅衬底项目2、承办单位名称:xx集团有限公司3、项目性质:扩建4、项目建设地点:xxx(以最终选址方案为准)5、项目联系人:金xx(二)主办单位基本情况当前,国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看,世界经济深度调整、复苏乏力,外部环境的不稳定不确定因素增加,中小企业外贸形势依然严峻,出口增长放缓。从国内看,发展阶段的转变使经济发展进入新常态,经济增速从高速增长转向中高速增长,经济
10、增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长,经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对经济发展带来新挑战,企业遇到的困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境,公司依然面临着较大的经营压力,资本、土地等要素成本持续维持高位。公司发展面临挑战的同时,也面临着重大机遇。随着改革的深化,新型工业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进,以及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施,企业发展基本面向好的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势,利用好国际国内两个市场、两种资源,抓住发展机遇,转变发展方式,提高发展质量,依靠创业创新
11、开辟发展新路径,赢得发展主动权,实现发展新突破。公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用,建立了工会组织,并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度,进一步规范厂务公开的内容、程序、形式,企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展,以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心,坚持战略导向、问题导向和需求导向,持续深化教育培训改革,精准实施培训,努力实现员工成长与公司发展的良性互动。公司按照“布局
12、合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则,加强规划引导,推动智慧集群建设,带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流,发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制,承担社会责任,营造和谐发展环境。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准),占地面积约19.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。当前及今后一个时期,我们处于大有可为的战略机遇期。国际环境日趋复杂,新冠肺炎疫情影响广泛深远;但和平与发展仍是
13、时代主题,人类命运共同体理念日益深入人心;我国综合国力不断增强、制度优势日益彰显、治理效能显著提升,发展长期向好的基本面没有改变;新一轮科技革命和产业变革深入发展,新发展格局加快构建,必将催生新一轮政策机遇、市场机遇和开放机遇,有利于持续增强我市经济社会发展动力;长江经济带、粤港澳大湾区、江西内陆开放型经济试验区等重大战略深入实施,新宜吉六县转型合作加速推进,有利于我市全方位拓展新发展空间;创新驱动、扩大内需、城乡融合发展等新一轮宏观发展政策实施,有利于全面激发我市经济社会发展活力。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方案为:xx万片碳化硅衬底/年。三、 项目总投资及资金构成
14、本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资10473.92万元,其中:建设投资8209.80万元,占项目总投资的78.38%;建设期利息103.09万元,占项目总投资的0.98%;流动资金2161.03万元,占项目总投资的20.63%。四、 资金筹措方案(一)项目资本金筹措方案项目总投资10473.92万元,根据资金筹措方案,xx集团有限公司计划自筹资金(资本金)6266.03万元。(二)申请银行借款方案根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额4207.89万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入(SP):22600.00万元。2
15、、年综合总成本费用(TC):18675.48万元。3、项目达产年净利润(NP):2869.06万元。4、财务内部收益率(FIRR):20.97%。5、全部投资回收期(Pt):5.61年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):8767.63万元(产值)。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 研究结论该项目符合国家有关政策,建设有着较好的社会效益,建设单位为此做了大量工作,建议各有关部门给予大力支持,使其早日建成发挥效益。八、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积12667.00约19.00
16、亩1.1总建筑面积25470.901.2基底面积7600.201.3投资强度万元/亩419.482总投资万元10473.922.1建设投资万元8209.802.1.1工程费用万元7220.322.1.2其他费用万元831.932.1.3预备费万元157.552.2建设期利息万元103.092.3流动资金万元2161.033资金筹措万元10473.923.1自筹资金万元6266.033.2银行贷款万元4207.894营业收入万元22600.00正常运营年份5总成本费用万元18675.486利润总额万元3825.417净利润万元2869.068所得税万元956.359增值税万元825.9010税金
17、及附加万元99.1111纳税总额万元1881.3612工业增加值万元6488.9913盈亏平衡点万元8767.63产值14回收期年5.6115内部收益率20.97%所得税后16财务净现值万元4135.97所得税后第二章 市场预测一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(
18、一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子
19、),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。二、 衬底为技术壁垒最高环节,
20、价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓
21、外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。第三章 项目背景及必要性一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge)
22、;为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元
23、素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来
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