2022年电子技术课程设计指导书 .pdf
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1、. 电子技术课程设计一、设计目的二、设计方案三、音频放大电路的设计及仿真(一)设计指标要求1、电压放大倍数:Au=145 2、最大输出电压:Uo=3.5V 3、频率响应:30Hz30kHz 4、输入电阻:ri15k5、失真度: 2Vom+VE+VCES式中: Vom为最大输出幅度VE为晶体管发射级电压,一般取VE=24V。VCES为晶体管饱和压降,一般取VCES=3V。指标要求的最大输出电压Vo=3V,给定电源电压EC=24V,可以满足要求。( 2)确定 T2的集电极电阻R8和静态工作电流ICQ2。因为这级的输出电压比较大,为使负载得到最大幅度的电压,静态工作点应设在交流负载线的中点。如图一所
2、示。由图可知, Q 点在交流负载线的中点,因此的T2静态工作点满足下列条件。(1-1) 因在晶体管的饱和区和截止区,信号失真很大, 为了使电路不产生饱和失真和截止失真,VCEQ2应满足:VCEQ2Vom+VCES (1-2) 由( 1-1 )式消去 ICQ2 并将( 1-2)式代入可得:取 VE=3V; VCES=1V 则:oomVV2LLCQCEQECQCEQCRRRRIVVRIVE88222822由图三:由图二:LCESomECRVVVER)2(28kkR5. 32)2121324(8名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - -
3、- - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页,共 8 页 - - - - - - - - - . 取 R8=3.5k 由( 1-1 )式消去 VCEQ2可得:( 3)确定T2发射级电阻R9:取 R9=0.68k ( 4)确定晶体管T2:选取晶体管时主要依据晶体管的三个极限参数:BVCEO晶体管 c-e 间最大电压VCEmax(管子截止时c-e 间电压)ICM晶体管工作时的最大电流ICmax(管子饱和时c-e 回路电流)PCM 晶体管工作时的最大功耗PCmax由图一可知:IC2最大值为 IC2max=2ICQ2VCE的最大值VCE2max=EC根据甲类电路的特点,T2的最大功耗为
4、:PCmax=VCEQ2ICQ2因此 T2的参数应满足:BVCEOEC=12V ICM2ICQ2=4mA PCM VCEQ2ICQ2=4.8mW 选用 S9011,其参数为:BVCEO30V;ICM30mA ;PCM400mW ;满足要求。实测=100。( 5)确定 T2的基极电阻R6和 R7在工作点稳定的电路中,基极电压VB越稳定,则电路的稳定性越好。因此,在设计电路时应尽量使流过R6和 R7的 IR大些,以满足IRIB的条件,保证VB不受 IB变化的影响。但是 IR并不是越大越好,因为IR大,则 R6和 R7的值必然要小,这时将产生两个问题:第一增加电源的消耗; 第二使第二级的输入电阻降低
5、,而第二级的输入电阻是第一级的负载,所以 IR太大时,将使第一级的放大倍数降低。为了使VB稳定同时第二级的输入电阻又不致太小,一般计算时,按下式选取IR的值:IR=(510)IBQ硅管IR=(1015)IBQ锗管在上式中IR的选取原则对硅管和锗管是不同的,这是因为锗管的ICBO随温度变化大,将会影响基极电位的稳定,因此 IR取值一般比较大。 对硅管来说ICBO很小, 因此 IR的值可取得小些。本电路 T2选用的是硅管,故取IR=5IBQ则:由图4 知:取: R7=16.36k ;R6=93k。( 6)确定 T1的静态工作点ICQ1;VCEQ因为第一级是放大器的输入级,其输入信号比较小,放大后的
6、输出电压也不大。所以对于mAkRRRVEILECCQ4. 4)2/5. 35. 3(324/8822kmAVIVRCQE68. 04 .43229kIIVVIVRBQRBEERBQ36.1656.032227kRIERRC9376名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页,共 8 页 - - - - - - - - - . 第一级, 失真度和输出幅度的要求比较容易实现。主要应考虑如何减小噪声,因输入级的噪声将随信号一起被逐级放大,对整机的噪声指标影响极大。晶体管的噪声大小
7、与工作点的选取有很大的关系, 减小静态电流对降低噪声是有利的,但对提高放大倍数不利。所以静态电流不能太小。 在工程计算中, 一般对小信号电路的输入级都不详细计算,而是凭经验直接选取: ICQ1=0.11mA 锗管 ICQ1=0.12mA 硅管 VCEQ=(23)V 如果输入信号较大或输出幅度较大时不能用此方法,而应该具体计算。计算方法与计算第二级的方法相同。( 7)确定 T1管的集电极电阻R3,发射级电阻R4、R5:由图五知:取: VE1=3V;VCEQ1=3V;ICQ1=0.5mA 则:取: R3=12k取: R4=0.039 k ;R5=6.1k (8) 选择 T1管选取原则与T2相同:B
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