泰安碳化硅衬底项目商业计划书(参考范文).docx
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1、泓域咨询/泰安碳化硅衬底项目商业计划书泰安碳化硅衬底项目商业计划书xxx(集团)有限公司目录第一章 绪论9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 建设背景、规模9四、 项目建设进度10五、 建设投资估算11六、 项目主要技术经济指标11主要经济指标一览表12七、 主要结论及建议13第二章 项目建设背景及必要性分析15一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心15二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%16三、 聚力聚焦融入新发展格局17四、 项目实施的必要性18第三章 行业、市场分析19一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临19二、 第三代半导体之星,高压
2、、高功率应用场景下性能优越20第四章 公司基本情况23一、 公司基本信息23二、 公司简介23三、 公司竞争优势24四、 公司主要财务数据26公司合并资产负债表主要数据26公司合并利润表主要数据26五、 核心人员介绍27六、 经营宗旨28七、 公司发展规划29第五章 运营管理31一、 公司经营宗旨31二、 公司的目标、主要职责31三、 各部门职责及权限32四、 财务会计制度35第六章 创新发展39一、 企业技术研发分析39二、 项目技术工艺分析41三、 质量管理42四、 创新发展总结43第七章 SWOT分析说明44一、 优势分析(S)44二、 劣势分析(W)46三、 机会分析(O)46四、 威
3、胁分析(T)47第八章 发展规划分析53一、 公司发展规划53二、 保障措施54第九章 法人治理结构56一、 股东权利及义务56二、 董事59三、 高级管理人员63四、 监事65第十章 进度实施计划67一、 项目进度安排67项目实施进度计划一览表67二、 项目实施保障措施68第十一章 产品方案69一、 建设规模及主要建设内容69二、 产品规划方案及生产纲领69产品规划方案一览表69第十二章 建筑技术分析71一、 项目工程设计总体要求71二、 建设方案71三、 建筑工程建设指标72建筑工程投资一览表72第十三章 风险评估分析74一、 项目风险分析74二、 项目风险对策76第十四章 投资计划方案7
4、8一、 投资估算的依据和说明78二、 建设投资估算79建设投资估算表83三、 建设期利息83建设期利息估算表83固定资产投资估算表85四、 流动资金85流动资金估算表86五、 项目总投资87总投资及构成一览表87六、 资金筹措与投资计划88项目投资计划与资金筹措一览表88第十五章 经济效益及财务分析90一、 基本假设及基础参数选取90二、 经济评价财务测算90营业收入、税金及附加和增值税估算表90综合总成本费用估算表92利润及利润分配表94三、 项目盈利能力分析95项目投资现金流量表96四、 财务生存能力分析98五、 偿债能力分析98借款还本付息计划表99六、 经济评价结论100第十六章 总结
5、评价说明101第十七章 附表附件102营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表102固定资产折旧费估算表103无形资产和其他资产摊销估算表104利润及利润分配表105项目投资现金流量表106借款还本付息计划表107建设投资估算表108建设投资估算表108建设期利息估算表109固定资产投资估算表110流动资金估算表111总投资及构成一览表112项目投资计划与资金筹措一览表113报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资24432.23万元,其中:建设投资19367.14万元,占项目总投资的79.27%;建设期利息418.63万元,占项目总投资的1.71%;流动资金4646.46万元
6、,占项目总投资的19.02%。项目正常运营每年营业收入39500.00万元,综合总成本费用31112.19万元,净利润6136.92万元,财务内部收益率18.17%,财务净现值4754.73万元,全部投资回收期6.25年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则
7、对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),
8、同比增长101%。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 绪论一、 项目名称及项目单位项目名称:泰安碳化硅衬底项目项目单位:xxx(集团)有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约57.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 建设背景、规模(一)项目背景“十四五”时期,是我国开启全面建设社会主义现代化国家新征程、向第二个百年奋斗目标进军的第一个五年
9、,是全省加快新时代现代化强省建设的关键时期,也是泰安跨越赶超、加快发展的攻坚时期。协调推进“四个全面”战略布局,坚定不移贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的新发展理念,坚持稳中求进工作总基调,以推动高质量发展为主题,以深化供给侧结构性改革为主线,以改革创新为根本动力,以满足人民日益增长的美好生活需要为根本目的,主动融入新发展格局,加快培育现代产业体系,深入推进治理体系和治理能力现代化,勇做新时代泰山“挑山工”,为全面建设新时代现代化强市开好局、起好步。半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于2
10、0世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积38000.00(折合约57.00亩),预计场区规划总建筑面积637
11、02.25。其中:生产工程39896.01,仓储工程11371.50,行政办公及生活服务设施7828.68,公共工程4606.06。项目建成后,形成年产xx万片碳化硅衬底的生产能力。四、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xxx(集团)有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。五、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资24432.23万元,其中:建设投资19367.14万元,占项目总投资的79.27%;建设期利息
12、418.63万元,占项目总投资的1.71%;流动资金4646.46万元,占项目总投资的19.02%。(二)建设投资构成本期项目建设投资19367.14万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用16420.64万元,工程建设其他费用2555.23万元,预备费391.27万元。六、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入39500.00万元,综合总成本费用31112.19万元,纳税总额3961.38万元,净利润6136.92万元,财务内部收益率18.17%,财务净现值4754.73万元,全部投资回收期6.25年。(二)主要数据及技术指标表主
13、要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积38000.00约57.00亩1.1总建筑面积63702.251.2基底面积23940.001.3投资强度万元/亩321.352总投资万元24432.232.1建设投资万元19367.142.1.1工程费用万元16420.642.1.2其他费用万元2555.232.1.3预备费万元391.272.2建设期利息万元418.632.3流动资金万元4646.463资金筹措万元24432.233.1自筹资金万元15888.743.2银行贷款万元8543.494营业收入万元39500.00正常运营年份5总成本费用万元31112.196利润总额万元8182.5
14、67净利润万元6136.928所得税万元2045.649增值税万元1710.4910税金及附加万元205.2511纳税总额万元3961.3812工业增加值万元13262.3213盈亏平衡点万元14963.41产值14回收期年6.2515内部收益率18.17%所得税后16财务净现值万元4754.73所得税后七、 主要结论及建议本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求,符合市场要求,受到国家技术经济政策的保护和扶持,适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备,交通运输及水电供应均有充分保证,有优越的建设条件。,企业经济和社会效益较好,能实现技术进步,产业结构调整,提高
15、经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进,成熟可靠,可以确保最终产品的质量要求。第二章 项目建设背景及必要性分析一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业
16、龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目
17、前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制
18、造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二
19、级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。三、 聚力聚焦融入新发展格局持续深化改革攻坚。大力推进要素市场化配置、资源规范化开发利用、市属经营性国有资产集中统一监管及国资国企、供销合作社等重点领域改革,深化财税体制、投融资体制、开发区体制机制改革。启动产业投资、金融控股、城市建设、文化旅游、公用事业等领域功能性国资平台建设、优化与整合。大力支持民
20、营资本参与混合所有制改革。不断深化“放管服”改革,全面实行政府权责清单制度;加快行政审批服务流程再造,实施“互联网+政务服务”行动,擦亮“泰好办”高效政务服务品牌。严格落实公平竞争审查制度,强化反不正当竞争执法。加快构建以信用为基础的新型监管机制。大力弘扬企业家精神,构建亲清新型政商关系,支持企业家以恒心办恒业。四、 项目实施的必要性(一)现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业,公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度,产品销售形势良好,产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展,公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优
21、化生产流程、强化管理等手段,不断挖掘产能潜力,但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设,公司将有效克服产能不足对公司发展的制约,为公司把握市场机遇奠定基础。(二)公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级,公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动,不断研发新产品,提升产品精密化程度,将产品质量水平提升到同类产品的领先水准,提高生产的灵活性和适应性,契合关键零部件国产化的需求,才能在与国外企业的竞争中获得优势,保持公司在领域的国内领先地位。第三章 行业、市场分析一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳
22、化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、
23、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用
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