南平MOSFET功率器件项目招商引资方案(范文模板).docx
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1、泓域咨询/南平MOSFET功率器件项目招商引资方案目录第一章 背景、必要性分析7一、 功率MOSFET的行业发展趋势7二、 MOSFET器件概述8三、 中国半导体行业发展概况13四、 打造创新驱动绿色发展新引擎14第二章 公司基本情况18一、 公司基本信息18二、 公司简介18三、 公司竞争优势19四、 公司主要财务数据21公司合并资产负债表主要数据21公司合并利润表主要数据21五、 核心人员介绍22六、 经营宗旨23七、 公司发展规划24第三章 行业、市场分析29一、 功率半导体市场规模与竞争格局29二、 全球半导体行业发展概况29第四章 项目概述31一、 项目名称及建设性质31二、 项目承
2、办单位31三、 项目定位及建设理由32四、 报告编制说明33五、 项目建设选址34六、 项目生产规模34七、 建筑物建设规模34八、 环境影响35九、 项目总投资及资金构成35十、 资金筹措方案36十一、 项目预期经济效益规划目标36十二、 项目建设进度规划36主要经济指标一览表37第五章 选址分析39一、 项目选址原则39二、 建设区基本情况39三、 全面融入重要节点重要通道建设42四、 积极扩大有效投资43五、 项目选址综合评价43第六章 产品规划方案44一、 建设规模及主要建设内容44二、 产品规划方案及生产纲领44产品规划方案一览表44第七章 建筑工程说明46一、 项目工程设计总体要求
3、46二、 建设方案46三、 建筑工程建设指标47建筑工程投资一览表47第八章 发展规划49一、 公司发展规划49二、 保障措施53第九章 运营模式56一、 公司经营宗旨56二、 公司的目标、主要职责56三、 各部门职责及权限57四、 财务会计制度60第十章 组织机构及人力资源配置64一、 人力资源配置64劳动定员一览表64二、 员工技能培训64第十一章 劳动安全生产分析67一、 编制依据67二、 防范措施68三、 预期效果评价71第十二章 进度计划方案72一、 项目进度安排72项目实施进度计划一览表72二、 项目实施保障措施73第十三章 工艺技术方案74一、 企业技术研发分析74二、 项目技术
4、工艺分析76三、 质量管理78四、 设备选型方案79主要设备购置一览表79第十四章 投资方案分析81一、 投资估算的编制说明81二、 建设投资估算81建设投资估算表83三、 建设期利息83建设期利息估算表84四、 流动资金85流动资金估算表85五、 项目总投资86总投资及构成一览表86六、 资金筹措与投资计划87项目投资计划与资金筹措一览表88第十五章 项目经济效益分析90一、 经济评价财务测算90营业收入、税金及附加和增值税估算表90综合总成本费用估算表91固定资产折旧费估算表92无形资产和其他资产摊销估算表93利润及利润分配表95二、 项目盈利能力分析95项目投资现金流量表97三、 偿债能
5、力分析98借款还本付息计划表99第十六章 风险分析101一、 项目风险分析101二、 项目风险对策103第十七章 项目总结106第十八章 补充表格108主要经济指标一览表108建设投资估算表109建设期利息估算表110固定资产投资估算表111流动资金估算表112总投资及构成一览表113项目投资计划与资金筹措一览表114营业收入、税金及附加和增值税估算表115综合总成本费用估算表115利润及利润分配表116项目投资现金流量表117借款还本付息计划表119第一章 背景、必要性分析一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可
6、以实现更好的性能,从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进,当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时,就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时,随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升,也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此,高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围,实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言,沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET;屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET;超级结MOSFET将在高压领域替代更
7、多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓,具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点,在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先,由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加,第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现,SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据,2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元,预计到2025年将增长至15.53亿美元,复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段,国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展,例如20
8、19年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要,提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外,终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中,客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联,同时要考虑高温失效和散热问题,其封装工艺和结构更复杂;在小功率应用场景中,功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前,工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起,功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测,2020-2024年分立器件市场增
9、速为2.8%,而功率模块市场增速为9.2%,高于分立器件市场增速。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增,2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中
10、,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领
11、域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功
12、率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增
13、大,额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯
14、、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展,高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压
15、降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,市占率高达30.22%,前十大公司合计占比达到75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为2.41%。根据Omdia的统计,2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元
16、,2019年为6.05亿美元,对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中;在1700V以上的高电压领域,IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年,中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一,市占率为24.28%,前十大公司合计占比达到69.57%,中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十,市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚,未来进口替代空间巨大,目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外,在新能源汽车领域
17、,IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件,随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展,IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下,中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来,我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年,中国半导体产业市场规模达8,848亿元,比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%,显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台,以及社会各界对半导体行业的发展、产业链
18、重构的日益重视,我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化,未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期,逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下,加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度,中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。四、 打造创新驱动绿色发展新引擎坚持创新在现代化建设全局中的核心地位,建立健全向生态文明跨越发展的创新体系,营造有利于创新创业创造的良好发展环境,以创新驱动全方位超越。(一)深化“三大创新”系统集成以更大力度深化“三大创新”,
19、提升“武夷品牌”价值力,健全完善质量安全追溯体系,强化宣传推介、品牌维护和市场化营销,不断提高品牌影响力和公信力,提升市场占有率和溢价率,构建覆盖农业、旅游、工业、城市等领域的立体化品牌生态圈。推动“生态银行”市场化运作,加快建立风险可控的评估、交易、定价以及吸引项目资本对接进入等机制,积极引导金融资本投入,完善并推广顺昌“森林生态银行”,探索搭建产权交易平台,推动自然资源资产市场化交易。培育“水美经济”新业态,突出以水美城、以水定产、以水兴业,统一规划“一江两溪”保护开发利用,全面赋予水生态产品经济价值属性,大力培育涉水新业态,打造水美产品全产业链条,形成长期有效投资和绿色经济动能。系统化、
20、集成化推进“三大创新”,深化生态产品市场化改革,打造全国生态产品价值实现创新区。(二)全面提升科技创新能力实施传统产业科技创新行动,以绿色产业重点技术需求为导向,整合龙头企业、科研院所、高等院校、科技特派员等力量,加快打造一批产学研用合作平台和创新联合体,攻克一批产业链供应链“卡脖子”关键核心技术,形成一批重要专利和技术标准,转化一批重大科技成果,推动向精致化、集约化、高附加值化发展。实施高水平创新平台建设工程,集聚各类创新资源,高水平建设南平高新技术产业园区,建成一批科技孵化器、企业技术中心、重点实验室、工程技术研究中心,整体提升区域创新能力。实施基础研究补短板行动,优化学科布局和研发布局,
21、支持全市高校院所开展重点领域、重点学科的应用基础研究和共性关键技术研究,积极引进“大院大所”,进一步强化基础研究对科技创新的源头供给和引领作用。(三)突出企业创新主体地位实施企业创新能力行动,完善高技术企业成长加速机制,促进各类创新要素向企业集聚,加快培育一批省级以上制造业单项冠军和“专精特新”中小企业,发挥企业在科技创新中的主体作用,支持领军企业组建创新联合体,带动中小企业创新活动。完善企业研发投入激励机制,全面落实税费优惠政策,引导企业不断加大研发投入。依托优势产业和行业领军企业,积极争取和承担省级以上重点研发项目,组织实施一批市级重点科技项目。深化产学研用深度融合,支持企业与国内外高校、
22、科研机构共建创新载体、推动协同创新,加快共性技术平台建设,推动产业链上下游、大中小企业融通创新。(四)深化人才培养引进机制深入实施人才强市战略,深化人才发展体制机制改革,健全人才引、育、留、用“生态链”,创新政府顾问机制,增强人才政策的精准性、连续性和开放性。壮大创新型人才队伍,建立健全对创新主体和创新人才的激励机制,探索运用市场化思维和方法,突出“高精尖缺”导向,加大柔性高端引才引智力度,支持一批产业领军团队、重点后备人才、青年拔尖人才,培养一批“创业之星”和“创新之星”,引进一批“双一流”高校优秀毕业生。强化产业人才培养,完善适应绿色产业高质量发展的人才机制,推动产业链与人才链精准对接,加
23、强人才重大工程与重大科技计划衔接,促进招商引资与招才引智协同,积极推动人才回归。围绕产业需求,实施知识更新工程、技能提升行动,壮大高水平工程师和高技能人才队伍。加强基层人才培养,系统梳理我市农业农村紧缺急需专业人才,持续深化应届选调生到村任职、基层党群工作者、“三支一扶”等长效机制。注重专业人才培养,支持高校“订单式”培养医疗、卫生、旅游、家政服务等专业人才。叠加用好省支持山区人才政策和我市出台的人才政策,整合构建全市统一的人才综合服务平台,推进人才驿站建设,完善人才住房、医疗、家属安置、子女教育等服务保障制度,打造“一站式”线上线下的人才服务模式。积极开展人才市场化和社会化服务,加快推进人力
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