杭州MOSFET功率器件项目商业计划书范文.docx
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1、泓域咨询/杭州MOSFET功率器件项目商业计划书目录第一章 背景、必要性分析8一、 功率半导体市场规模与竞争格局8二、 MOSFET器件概述8三、 中国半导体行业发展概况13四、 强化科技自立自强,打造面向世界的创新策源地14第二章 项目基本情况19一、 项目概述19二、 项目提出的理由21三、 项目总投资及资金构成21四、 资金筹措方案22五、 项目预期经济效益规划目标22六、 项目建设进度规划22七、 环境影响23八、 报告编制依据和原则23九、 研究范围24十、 研究结论25十一、 主要经济指标一览表25主要经济指标一览表25第三章 选址分析28一、 项目选址原则28二、 建设区基本情况
2、28三、 实施扩大内需战略,形成国内大循环的强劲动力源31四、 优化市域统筹,推进协调发展的全域城区化33五、 项目选址综合评价37第四章 产品规划方案38一、 建设规模及主要建设内容38二、 产品规划方案及生产纲领38产品规划方案一览表38第五章 SWOT分析说明40一、 优势分析(S)40二、 劣势分析(W)42三、 机会分析(O)42四、 威胁分析(T)43第六章 发展规划分析49一、 公司发展规划49二、 保障措施50第七章 原辅材料供应、成品管理53一、 项目建设期原辅材料供应情况53二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理53第八章 技术方案分析55一、 企业技术研发分析55二、 项
3、目技术工艺分析58三、 质量管理59四、 设备选型方案60主要设备购置一览表61第九章 节能方案说明63一、 项目节能概述63二、 能源消费种类和数量分析64能耗分析一览表65三、 项目节能措施65四、 节能综合评价66第十章 环保方案分析67一、 编制依据67二、 环境影响合理性分析68三、 建设期大气环境影响分析68四、 建设期水环境影响分析70五、 建设期固体废弃物环境影响分析70六、 建设期声环境影响分析71七、 环境管理分析72八、 结论及建议73第十一章 投资计划75一、 编制说明75二、 建设投资75建筑工程投资一览表76主要设备购置一览表77建设投资估算表78三、 建设期利息7
4、9建设期利息估算表79固定资产投资估算表80四、 流动资金81流动资金估算表82五、 项目总投资83总投资及构成一览表83六、 资金筹措与投资计划84项目投资计划与资金筹措一览表84第十二章 经济效益评价86一、 基本假设及基础参数选取86二、 经济评价财务测算86营业收入、税金及附加和增值税估算表86综合总成本费用估算表88利润及利润分配表90三、 项目盈利能力分析90项目投资现金流量表92四、 财务生存能力分析93五、 偿债能力分析94借款还本付息计划表95六、 经济评价结论95第十三章 招标方案97一、 项目招标依据97二、 项目招标范围97三、 招标要求98四、 招标组织方式100五、
5、 招标信息发布103第十四章 风险评估104一、 项目风险分析104二、 项目风险对策106第十五章 项目总结109第十六章 补充表格110营业收入、税金及附加和增值税估算表110综合总成本费用估算表110固定资产折旧费估算表111无形资产和其他资产摊销估算表112利润及利润分配表113项目投资现金流量表114借款还本付息计划表115建设投资估算表116建设投资估算表116建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动资金估算表119总投资及构成一览表120项目投资计划与资金筹措一览表121报告说明随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IG
6、BT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。根据谨慎财务估算,项目总投资10065.93万元,其中:建设投资8498.82万元,占项目总投资的84.43%;建设期利息92.11万元,占项目总投资的0.92%;流动资金1475.00万元,占项目总投资的14.65%。项目正常运营每年营业收入17900.00万元,综合总成本费用14442.84万元,净利润2525.22万元,财务内部收益率18.56%,财务净现值4097.56万元,全部投资回收期5.82年。本期项
7、目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。通过分析,该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构,改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 背景、必要性分析一、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测,2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元,预计至2024年市场规模将增长至522亿美元,2019-2024的年化复合增
8、长率为2.4%。在功率半导体领域,国际厂商优势明显,全球前十大功率半导体公司均为海外厂商,包括英飞凌(Infineon)、德州仪器(TexasInstruments)、安森美(ONSemiconductor)、意法半导体(STMicroelectronics)等。行业整体集中度较低,2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%,前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善,技术也正在取得突破。同时,中国也是全球最大的功率半导体消费国,2019年市场规模达到177亿美元,增速为-3.3%,占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将
9、继续保持平稳增长,2024年市场规模有望达到206亿美元,2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增,2024年市场规模有望恢复至77.02亿美
10、元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动
11、MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双极性晶体
12、管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其
13、导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大
14、电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展,高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于MOSFET和双极晶
15、体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,市占率高达30.22%,前十大公司合计占比达到75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为2.41%。根据Omdia的统计,2017年我国
16、IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元,2019年为6.05亿美元,对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中;在1700V以上的高电压领域,IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年,中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一,市占率为24.28%,前十大公司合计占比达到69.57%,中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十,市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚,未来进口替代空间巨大,目前在部分领域已经实现了
17、技术突破和国产化。此外,在新能源汽车领域,IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件,随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展,IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下,中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来,我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年,中国半导体产业市场规模达8,848亿元,比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%,显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台
18、,以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视,我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化,未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期,逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下,加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度,中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。四、 强化科技自立自强,打造面向世界的创新策源地坚持创新在现代化建设全局中的核心地位,以积极创建综合性国家科学中心为重点,全力增强创新策源力、技术供给力、成果转化力,打造国际一流的“互联
19、网+”、生命健康和新材料科创高地,构建具有全球影响力的全域创新创业体系。(一)打造全球人才蓄水池1、集聚全球高端创新人才深入实施“全球英才杭聚工程”,优化完善顶尖人才和团队支持模式,探索与国际接轨的人才政策,持续办好杭州国际人才大会、海外高层次人才创新创业大赛、云栖大会、2050大会、梦溪论坛、侨界精英峰会、中国(杭州)国际人力资源峰会、中国国际软件博览会,调整优化市级人才计划,创新改进遴选方式,精准招引全球顶尖人才和高水平创新创业团队。坚持“高精尖缺”并重,加强基础研究和应用基础研究人才培养,注重引进文化艺术、哲学社会科学人才。创新“候鸟型”高层次人才引进和使用机制,柔性集聚国内外高端智力。
20、2、壮大优秀青年人才队伍深入实施“青年人才弄潮工程”,建立阶梯式支持机制,建设全球青年人才中心,支持更多青年人才成为领军人才。3、建设创新型杭商队伍实施“杭商名家”计划,培育新生代企业家,全面拓展企业家和企业高层次管理人才全球视野,提升战略思维和创新能力。4、培育新时代“杭州工匠”深化全国首批产教融合试点,建设一批产教融合联盟和人才培育基地,推行企业新型学徒制和现代学徒制。5、建设最优人才生态城市加快建设人才管理改革试验区,扩大人才“引育留用管”自主权,创新突破薪酬分配、科研经费管理等人才政策。(二)创建综合性国家科学中心1、建设综合性国家科学中心核心承载区面向世界科技前沿与国家重大战略需求,
21、构建部门协同、省市联动创建机制,高规格开展综合性国家科学中心创建工作。2、增强重大战略科技力量支撑持续深化“名校名院名所”工程,全力支持浙江大学“双一流”建设、西湖大学建设高水平研究型大学,加快建设中法航空大学、国科大杭州高等研究院,积极引进国内外知名高校和科研院所。3、加强重点领域基础研究鼓励高校、科研院所、新型研发机构、行业龙头企业等积极参与“尖峰计划”,围绕量子信息、人工智能、新一代通信与智能网络、精准医疗、新药创制、前沿新材料、高端制造等领域,开展前沿基础研究,加强原始创新探索,攻克一批重大科学问题。力争在网络空间安全主动防御、大数据计算、脑认知与脑机交互、干细胞与再生医学、量子信息、
22、传感材料与器件等研究领域取得一批重大原始创新成果。加大基础研究投入,提升基础研究投入占全社会研发投入比例。4、强化关键核心技术攻坚坚持以服务提升关键核心技术进口替代能力为方向,以通用芯片、人工智能与融合应用、区块链、新一代网络通信技术、空天信息技术、先进制造与智能装备等为重点,积极争取国家、省重点研发计划、重大科技项目。(三)健全以企业为主体的技术创新体系1、增强企业创新主体功能健全科技企业梯次培育机制,滚动实施“双倍增”行动,大力培育高新技术企业和科技型中小企业,壮大具有产业链控制能力和国际竞争力“头部企业”队伍。2、促进创新链产业链协同融合聚焦新一代信息技术、创新药物、高端医疗器械、关键战
23、略材料等重点领域,支持龙头企业牵头与高校院所、上下游企业组建创新联合体,搭建产业共性技术和关键技术供给平台,加快建设一批具有国际先进水平功能型研发转化平台,促进基础研究、应用研究与产业化对接融通,加快产业链关键环节协同创新。3、建设科技成果转化示范区建设科技成果交易中心和大数据交易市场,推动科技大市场“上脑上云”,建设杭州中科国家技术转移中心等高水平技术转移机构,鼓励社会力量发展科技转让平台,打造面向全球的技术转移枢纽。(四)完善全域一流创新创业生态1、加大科创政策支持力度完善科技治理体系,成立创新委员会,全面构建“产学研用金、才政介美云”十联动的区域创新生态。2、健全知识产权大保护格局加快建
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