最新半导体材料测试与表征 (2)精品课件.ppt

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1、参考文献：1.蓝闽波.纳米材料测试技术M .华东理工大学出版社 ,2009.5 ,34120. 2.周玉.材料分析测试技术M.哈尔滨工业大学出版社 ,2007.8.3.陈文哲.材料测试与表征技术的挑战和展望J. 理化检验, 2007 , 43(5):8991.4.吴征铠，唐敖庆.分子光谱学专论，山东科学技术出版社，1999.5.王斌,徐晓轩,秦哲,宋宁,张存洲.分子束外延n-GaAs/SI-GaAs薄膜材料的拉曼光谱研究.光谱学与光谱分析.2008,28(9):2013-2016. h 基态基态E0振动激发态振动激发态E1h 0h 0h 0h 0 + E1 + h 0E0 + h 0h( 0

2、- )激发虚态Rayleigh散射散射Raman散射散射拉曼原理h( 0 + )E0E1E1 + h 0E2 + h 0 h h 0h( 0 - )ANTI-STOKES 0 - RayleighSTOKES 0 + 0Raman位移：位移：Raman散射光与入射光频率差表征分子振-转能级的特征物理量；定性与结构分析的依据。 取决于分子振动能级的改变,与入射光波长无关；拉曼位移、退偏振比退偏振比III与入射偏振方向垂直的拉曼散射光强度与入射偏振方向平行的拉曼散射光强度I退偏比可以提供有关分子振动的对称性及分子构型的信息。激光拉曼光谱仪单色仪光电倍增管高压电源光子计数器驱动电路计算机显示器样品激

3、光器凹面镜经离子注入后的半导体损伤分布外延层的质量TextRaman光谱在半导体科学中的应用半磁半导体的组分外延层混品的组分载流子浓度Raman光谱的应用举例光谱的应用举例a 用拉曼光谱研究金刚石膜的生长过程：1200132014401560168018001570133215901350dcba Intensity (a.u.)Wave Number (cm-1)a生长2min样品的Raman光谱b生长30min样品的Raman光谱c生长1h样品的Raman光谱d生长2h样品的Raman光谱用CVD方法制备的金刚石薄膜利用拉曼光谱来确定SP2/SP3键价比，判定金刚石薄膜的生长情况及质量。拉曼特征峰：1332cm-1拉曼特征峰：1550cm-1b 不同Si掺杂浓度的n-GaAs薄膜的Raman光谱研究Si掺杂浓度不断提高，致使界面失配，位错不断地提高，造成内部应力也在不断的增大，原来的晶格振动平衡被破坏，四价Si替代了三价Ga致使谱线移动。Thank you ！19结束语结束语