2022年2022年计算机专业基础综合模拟试卷 3.pdf
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1、计算机专业基础综合(计算机组成原理)模拟试卷3 ( 总分: 56.00 ,做题时间: 90 分钟 ) 一、单项选择题 ( 总题数: 23,分数: 46.00) 1. 单项选择题1-40 小题。下列每题给出的四个选项中,只有一个选项是最符合题目要求的。(分数:2.00 )_ 解析:2. 下列关于存储系统层次结构的说法中,不正确的是( ) 。(分数: 2.00 )A. 存储层次结构中,离CPU越近的存储器速度越快,价格越贵,容量越小B.Cache 一主存层次设置的目的是为了提高主存的等效访问速度C.主存一辅存层次设置的目的是为了提高主存的等效存储容量D.存储系统层次结构对程序员都是透明的解析:解析
2、:此题考查的知识点:存储系统层次结构的基本概念。Cache一主存层次对所有程序员都是透明的。主存一辅存层次只对应用程序员透明,对系统程序员不透明。3. 存储器的存取周期与存储器的存取时间的关系是( ) 。(分数: 2.00 )A. 存取周期大于存取时间B. 存取周期等于存取时间C.存取周期小于存取时间D.存取周期与存取时间关系不确定解析:解析:此题考查存储器存取周期与存取时间的概念及其关系。存取周期是存储器进行连续地读或写操作允许的最短时间间隔,存取时间是存储器进行一次读或写操作所需的平均时间。4. 以下几种存储器中,存取速度最快的是( ) 。(分数: 2.00 )A.Cache B. 寄存器
3、C.内存D.光盘解析:解析:存储层次结构中,离CPU越近的存储器速度越快,价格越贵,容量越小。寄存器就是离CPU最近的存储器。5. 属于易失性存储器的是( )。(分数: 2.00 )A.E 2 PROM B.Cache C.Flash Memory D.CD-ROM 解析:解析:易失性存储器包括Cache。6. 虚拟存储器理论上的最大容量取决于( )。(分数: 2.00 )A. 辅存容量B. 主存容量C.虚地址长度D.实地址长度解析:解析:虚地址和实地址是虚拟存储器的两个基本概念,虚拟存储器的最大容量取决于虚地址长度,主存储器的最大容量取决于实地址长度。7. 下列存储保护方案中,不是针对“地址
4、越界”访存违例的是( ) 。(分数: 2.00 )名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页,共 6 页 - - - - - - - - - A. 界限保护B. 键保护C.环保护D.设置访问权限位解析:解析:设置访问权限位是针对“访问越权”访存违例的。8. 下列关于 DRAM 刷新的说法中,错误的是( )。(分数: 2.00 )A. 刷新是指对 DRAM 中的存储电容重新充电B. 刷新是通过对存储单元进行“读但不输出数据”的操作来实现C.由于 DRAM 内部设有专门的刷新
5、电路,所以访存期间允许进行刷新D.刷新期间不允许访存,这段时间称为“访存死区( 也叫死时间 )”解析:解析: DRAM 在访存期间不允许刷新。9. 下列关于 ROM 和 RAM 的叙述中,正确的是( ) 。(分数: 2.00 )A.CD-ROM 实质上是 ROM B.Flash是对 RAM 的改进,可以实现随机存取C.RAM的读出方式是破坏性读出,因此读后需要再生D.只有 DRAM 读后需要刷新解析:解析: CD ROM 是光盘存储器,是一种机械式的存储器,与ROM 有本质的区别,选项A错误。 Flash存储器是 E 2 PROM 的改进产品,虽然它也可以实现随机存取,但从原理上讲仍属于ROM
6、 ,而且 RAM 是易失性存储器,选项B错误。 DRAM 的读出方式并不是破坏性的,读出后不需再生,选项C错误。SRAM 采用双稳态触发器来记忆信息,因此不需要再生; 而 DRAM 采用电容存储电荷的原理来存储信息,只能维持很短的时间,因此需要再生,选项D 正确。10. 下面是有关DRAM 和 SRAM 存储器芯片的叙述:I DRAM 芯片的集成度比SRAM 高 DRAM 芯片的成本比SRAM 高DRAM 芯片的速度比SRAM 快 DRAM 芯片工作时需要刷新,SRAM 芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是 ( )。(分数: 2.00 )A.I 和B.和C.和D.I 和解析:解析: DRA
7、M 的集成度高于SRAM ,SRAM 的速度高于 DRAM ,可以推出DRAM 的成本低于 SRAM 。SRAM 芯片工作时不需要刷新,DRAM 芯片工作时需要刷新。随机存储器RAM 可分为静态和动态两种。SRAM 由 6 个MOS 管组成一个记忆单元,它的存取速度快,但集成度低,功耗也较大;DRAM 由 4 个 MOS 管或单个 MOs管组成一个记忆单元,它的集成度高,功耗小,但存取速度慢。DRAM 是靠 MOS 电路中的栅极电容来存储信息的, 栅极电容上的电荷数目会随着时间推移逐步泄漏,因此每隔一定的时间必须向栅极电容补充一次电荷,这个过程称为刷新。11. 下列关于 DRAM 刷新的说法中
8、,错误的是( ) 。(分数: 2.00 )A. 刷新操作按行进行,一次刷新一行中的全部存储单元B. 刷新所需的行地址由DRAM 内部的刷新计数器( 行地址生成器 ) 给出C.集中刷新的“死时间”要大于异步刷新的“死时间”D.分散刷新方式同样存在“死时间”解析:解析:分散刷新方式不存在死时间。12. 下列关于 Cache 的说法中,正确的是( ) 。(分数: 2.00 )A. 采用直接映像时,Cache无需考虑替换问题B. 如果选用最优替换算法,则Cache的命中率可以达到100C.Cache 本身的速度越快,则Cache存储器的等效访问速度就越快名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - -
9、 - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页,共 6 页 - - - - - - - - - D.Cache 的容量与主存的容量差别越大越好解析:解析:由于主存块是在不命中时被装入Cache,所以 Cache命中率不可能达到100。命中率比 Cache本身速度对 Cache 的等效访问速度影响更大。13.“小端次序”的机器上,四字节数据12345678H按字节地址由小到大依次存在为( )。(分数: 2.00 )A.12345678H B.56781234H C.34127856H D.78563412H 解析:解析:此题
10、考查小端次序的基本概念。14. 为了提高访问主存中信息的速度,要求“信息按整数边界存储( 对齐方式存储 )”,其含义是( )。(分数: 2.00 )A. 信息的字节长度必须是整数B. 信息单元的存储地址是其字节长度的整数倍C.信息单元的字节长度必须是整数D.信息单元的存储地址必须是整数解析:解析:此题考查“信息按整数边界存储”的概念。15. 某存储系统中,主存容量是Cache 容量的 1024 倍, Cache被分为 8 个块,当主存地址和Cache地址采用直接映像方式时,地址映射表的大小应为( ) 。( 假设不考虑一致维护位。) (分数: 2.00 )A.61025 bitsB.810 bi
11、tsC.61024 bitsD.811 bits解析:解析:由于Cache被分为 8 个块,那么Cache有 8 行,采用直接映像,一行相当于一组。故该标记阵列每行存储1 个标记项,其中主存标记项为10 bits(2 10 =1024 ,是 Cache 容量的 1 024 倍,那么就是地址长度比 Cache 长 10 位) ,加上 1 位有效位,即为811 bits 。16. 下面说法中正确的是( ) 。(分数: 2.00 )A. 有了稳定的地址和写入的数据,再有了片选信号才能给出写命令,以便保证无误的写操作B. 有了稳定的地址与片选信号才可以读C.信号应有一定的持续时间,以保证读写操作得以正
12、常完成D.以上说法都正确解析:解析:存储器读写操作时,地址信号、片选信号、读写命令、读出的数据或写入的数据,它们之间在时序配合上要满足以下这些条件:有了稳定的地址与片选信号才可以读;有了稳定的地址和写入的数据,再有了片选信号才能给出写命令,以便保证无误的写操作。此外,这些信号应有一定的持续时间,以保证读写操作得以正常完成。17. 虚拟存储器中的页表有快表和慢表之分,下面关于页表的叙述中正确的是( ) 。(分数: 2.00 )A. 快表与慢表都存储在主存中,但快表比慢表容量小B. 快表采用了优化的搜索算法,因此查找速度快C.快表比慢表的命中率高,因此快表可以得到更多的搜索结果D.快表采用高速存储
13、器件组成,按照查找内容访问,因此比慢表查找速度快解析:解析:快表采用的是相联存储器,而不是依赖搜索算法来查找的,而慢表通常是依赖于查找算法,故选项 A 和 B 错误。快表的命中率有可能高于慢表,但快表仅是慢表的一个部分拷贝,不能得到比慢表更多的结果,因此选项C 错误。18. 已知 Cache 命中率 H=098,主存比Cache慢 4 倍,已知主存的存取周期为200 ns ,Cache主存的效率是 ( ) 。(分数: 2.00 )名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页
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