2022年电力电子技术电子教案 .pdf

《2022年电力电子技术电子教案 .pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2022年电力电子技术电子教案 .pdf（26页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、第一次课内容绪论1.电力电子技术的发展概况（1）电力电子技术的定义（2）电力半导体器件第一阶段是以整流管、晶闸管为代表的发展阶段; 第二阶段是以 GTO、 GTR等全控型器件为代表的发展阶段; 第三阶段是以功率MOSFET、IGBT 等电压型全控器件为代表的发展阶段 ; 第四阶段是以 SPIC、HVIC 等功率集成电路为代表的发展阶段，目前正处在发展初期。（3）电力半导体变流技术第一阶段是电子管、离子管（闸流管、汞弧整流器、高压汞弧阀）的发展与应用阶段，此时的变流技术属于整流变换，只是变流技术的一小部分。第二阶段是硅整流管、晶闸管的发展与应用阶段，主要指晶闸管的应用阶段。这一时期，随着整流管特

2、别是晶闸管制造水平的不断提高， 半导体变流技术所涉及的应用领域不断扩展. 第三阶段是全控型电力半导体器件的发展与应用阶段，是半导体电力变流器向高频化发展的阶段，也是变流装置的控制方式由移相控制向时间比率控制发展的阶段。第三阶段的发展是随着全控型器件的发展而逐渐展开的。时至? |? ? ? ? ? | ? ? ? ? ? ? D ? ? ? ? ? t? 2? 1? D ya? 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 26 页 - - - - - - - - - 今

3、日，晶闸管应用领域的绝大部分已经或即将被功率集成器件所取代。只是在大功率、特大功率的电化、电冶电源与电力系统有关的高压直流输电（HVDC ） 、 静止式动态无功功率补偿装置 （SVC） 、串联可控电容补偿装置（SCC）等应用领域，晶闸管暂时还不能被取代。2.电力电子技术的应用（1）整流: 实现 AC.DC 的变换。（2）逆变: 实现 DC.AC 的变换。（3）变频: 实现 AC.DC.AC （AC.AC）的变换。（4）交流调压 : 把不变的交流电压变换成电压有效值可调的交流电压。（5）斩波: 实现 DC.DC（AC.DC.DC）的变换。（6）静止式固态断路器 : 实现无触点的开关、断路器的功能

4、。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页，共 26 页 - - - - - - - - - 3.课程性质和学习方法（1）高职高专电气工程类专业主干课程（2）掌握基本物理概念与分析方法，注重理论联系实际（3）抓住电力电子器件导通与截止的变化过程（4）掌握器件选择、电量测量、电路调整、故障分析等方面的实践技能第 1 章电力电子器件1.1 普通晶闸管1. 晶闸管的结构阳极 A 和阴极 K，门极 G（也称控制极）。常用的晶闸管有螺栓式和平板式两种外形。2. 晶闸管的工作原理名

5、师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 26 页 - - - - - - - - - 晶闸管导通必须同时具备两个条件: （1）晶闸管主电路加正向电压。（2）晶闸管控制电路加合适的正向电压。图 1-3 晶闸管工作原理等效电路名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 26 页 - - - - - - - - - 第二次课内容晶闸管的特性一、晶

6、闸管的伏安特性晶闸管阳极与阴极间的电压UA 和阳极电流 IA 的关系称为晶闸管伏安特性。图 2-1 晶闸管伏安特性曲线承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用；要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值 IH 以下 。iG=0 时，器件两端施加正向电压， 正向阻断状态， 只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通；随着门极电流幅值的增大，正名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - -

7、- - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 26 页 - - - - - - - - - 向转折电压降低；导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿；晶闸管本身的压降很小，在1V 左右；导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值 IH 以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH 称为维持电流。晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性；晶闸管的门极触发电流从门极流入晶闸管，从阴极流出阴极是晶闸管主电路与控制电路的公共端；门极触发电流也往往是通过触发电路在门极和阴极之间施加触发电压而产生的；晶闸管的门极和阴极之间是PN 结 J

8、3，其伏安特性称为门极伏安特性。为保证可靠、安全的触发，触发电路所提供的触发电压、电流和功率应限制在可靠触发区。晶闸管的动态特性1 0 0 %9 0%1 0%uA KttO0tdtrtrrtg rUR R MIR MiA名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页，共 26 页 - - - - - - - - - 二、 晶闸管的主要参数1. 电压定额1) 断态不重复峰值电压Udsm即断态最大瞬时电压2) 断态重复峰值电压Udrm在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上

9、的正向峰值电压。一般为Udsm 的。3) 反向不重复峰值电压Ursm即反向最大瞬态电压4) 反向重复峰值电压Urrm 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 一般为 Ursm 的。5) 通态峰值电压UTm晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。6) 通常取晶闸管的Udrm 和 Urrm 中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时，额定电压要留有一定裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受的重复峰值电压23 倍。即（）m 式中：m正常工作时晶闸管所承受的（断态或反向）重复峰值电压。2. 电流定额1) 通态平均电流ITa额定电流 晶闸管在环境温度为40

10、C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 7 页，共 26 页 - - - - - - - - - 使用时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管；应留一定的裕量，一般取1.52倍。2) 维持电流IH 使晶闸管维持导通所必需的最小阳极电流。一般为几十到几百毫安，与结温有关，结温越高，则IH越小。3) 掣（擎）住电流IL 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最

11、小阳极电流。对同一晶闸管来说，通常IL 约为 IH 的 24 倍。3. 动态参数1) 断态电压临界上升率du/dt指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。2) 通态电流临界上升率di/dt指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。4.晶闸管的型号名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 8 页，共 26 页 - - - - - - - - - 第三次课内容一、晶闸管的派生器件1.快速晶闸管普通晶闸管关断时间数百微秒，

12、快速晶闸管数十微秒；又可分为三种：快速开通型、快速关断型、兼顾快速开通与关断型；由于工作频率较高，选择通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应；应用于：逆变器、滤波器及高频变流电路（以上）。2.双向晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成. 有两个主电极 T1 和 T2，一个门极 G；正、反两方向均可触发导通，所以双向晶闸管在第和第III象限有对称的伏安特性；与一对反并联晶闸管相比是经济的，且控制电路简单，在交流调压电路、固态继电器（Solid State RelaySSR）和交流电机调速等领域应用较多；通常用在交流电路中，用有效值来表示其额定电流值，而不用平均值，这与晶闸管是有区别的

13、。3.逆导晶闸管将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件；名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 9 页，共 26 页 - - - - - - - - - 具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点；逆导晶闸管的额定电流有两个，一个是晶闸管电流，一个是反并联二极管的电流。4.光控晶闸管又称光触发晶闸管。是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管；小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子；大功率光控晶闸管则还带有光缆，光缆上装有作为触发光源的发光二极管或

14、半导体激光器；光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。二、双极型全控型电力电子器件1.门极可关断晶闸管（ GTO ）（1）GTO 的基本工作原理门极可关断晶闸管（ Gate-Turn-Off Thyristor GTO）晶闸管的一种派生器件；可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断；GTO 的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。GTO 触发导通的条件是: 当它的阳极与阴极之间承受正向电名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - -

15、- - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 10 页，共 26 页 - - - - - - - - - 压，门极加正脉冲信号(门极为正，阴极为负）时，可使1 +2 1，从而在其内部形成电流正反馈，使两个等效晶体管接近临界饱和导通状态。当 GTO 的门极加负脉冲信号 (门极为负，阴极为正 )时，门极出现反向电流， 此反向电流将 GTO 的门极电流抽出， 使电流减小1 和2 也同时下降，以致无法维持正反馈，从而使GTO关断。GTO 能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：（ 1 ） 设 计2较 大 ， 使 晶 体 管V2控 制 灵 敏 ，

16、 易 于GTO 关断; （2）导通时1+ 2 更接近 1（ 1.05，普通晶闸管1+ 2 1.15）, 导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大 ; （3）多元集成结构使GTO 元阴极面积很小，门、阴极间距大为缩短，使得 P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。GTO 的动态特性 (开通及关断过程）Ot0t图1 - 1 4iGiAIA90%IA10%IAtttftstdtrt0t1t2t3t4t5t6名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 11

17、页，共 26 页 - - - - - - - - - 2.GTO 的特定参数（1）最大可关断阳极电流IATO （2）关断增益 q （3）掣住电流 IL 2.大功率晶体管（ GTR）电力晶体管（ Giant TransistorGTR，直译为巨型晶体管）；耐 高 电 压、 大 电 流 的 双 极 结 型 晶 体 管 （ Bipolar Junction TransistorBJT） ，英文有时候也称为Power BJT；在电力电子技术的范围内，GTR 与 BJT 这两个名称等效。与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的; 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好; 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法

18、组成的单元结构; 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。2.二次击穿和安全工作区图 1-11 二次击穿示意图图 1-12 GTR 安全工作区名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 12 页，共 26 页 - - - - - - - - - 第四次课内容一、单极型全控型电力电子器件功率场效应晶体管（ PM）1.分类可分为 结型和绝缘栅型 （类似小功率 Field Effect TransistorFET）但 通 常 主 要 指 绝 缘 栅 型 中 的MOS型 （ Metal

19、Oxide Semiconductor FET）简称功率 MOSFET（Power MOSFET）2.特点：用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需要的驱动功率小开关速度快，工作频率高热稳定性优于 GTR 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW 的电力电子装置3.功率 MOSFET 的结构和工作原理功率 MOSFET 的种类按导电沟道可分为P 沟道 和 N 沟道耗尽型 当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道增强型 对于 N（P）沟道器件，栅极电压大于 （小于）名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心

20、整理 - - - - - - - 第 13 页，共 26 页 - - - - - - - - - 零时才存在导电沟道功率 MOSFET 主要是 N 沟道增强型4.特性1) 静态特性2) 动态特性关断时间 toff关断延迟时间和下降时间之和5.MOSFET 的特点开关速度快 ; 温度稳定性好 ; 输入阻抗大、驱动功率小; 导通电阻大、通态压降大。二、混合型全控型电力电子器件1.绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极晶体管（ Insulated-gate Bipolar Transistor IGBT或 IGT） 。01 02 03 05 04 0图 1 - 2 02468a)1 02 03 05 04 0

21、0b)1 02 03 05 04 0饱 和 区非饱和区截 止 区ID/AUTUG S/ VUD S/ VUG S= UT=3VUG S=4VUG S=5VUG S=6VUG S=7VUG S=8VID/Aa）b)图 1- 21RsRGRFRLiDuG SupiD信 号+ UEiDOOOuptttuG SuG SPuTtd(on )trtd(off)tf名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 14 页，共 26 页 - - - - - - - - - GTR 和 MOSFET

22、复合，结合二者的优点，具有好的特性； 1986 年投入市场后，取代了GTR 和一部分 MOSFET 的市场,中小功率电力电子设备的主导器件；继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO 的地位。GTR 和 GTO 的特点 双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强， 开关速度较低， 所需驱动功率大，驱动电路复杂；MOSFET 的优点单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单；两类器件取长补短结合而成的复合器件,通常称为Bi-MOS 器件。2.IGBT 的工作原理驱动原理与 MOSFET 基本相同， 场控器件，通断由栅射极电压uGE决定导通：uGE 大于

23、开启电压 UGE(th)时，MOSFET 内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT 导通; 导通压降 ：电导调制效应使电阻Rdr 减小，使通态压降小 ; 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET 内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT 关断3.IGBT 的特性O有 源区正 向 阻 断 区饱和区反 向 阻 断 区a)b)ICUG E(th )UG EOICUR MUFMUC EUG E(th )UG E增 加名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 15 页，共

24、 26 页 - - - - - - - - - 3. IGBT 的主要参数1) 最大集射极间电压UCES由内部 PNP晶体管的击穿电压确定2) 最大集电极电流包括额定直流电流IC 和 1ms脉宽最大电流 ICP 3)最大集电极功耗PCM正常工作温度下允许的最大功耗IGBT 的特性和参数特点(1) 开关速度高，开关损耗小。在电压1000V 以上时，开关损耗只有GTR 的 1/10，与电力MOSFET 相当; (2) 相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR 大，且具有耐脉冲电流冲击能力; (3) 通态压降比 VDMOSFET 低，特别是在电流较大的区域 ; (4) 输入阻抗高，输入特性与MOSF

25、ET 类似; (5) 与 MOSFET 和 GTR 相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点. MOS 控制晶闸管 MCT名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 16 页，共 26 页 - - - - - - - - - 第五次课内容2.1 单相半波可控整流电路晶闸管可控整流装置的原理框图2.1.1 电阻性负载电炉、白炽灯等均属于电阻性负载。电阻性负载的特点是:负载两端电压波形和流过负载的电流波形相似，其电流、电压均允许突变。名师资料总结 - - -精品

26、资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 17 页，共 26 页 - - - - - - - - - 单相半波电阻性负载可控整流电路（1）ud 波形的平均值 Ud 的计算Ud = 2 U2 sintd（t）=0.45 U2（1+cos）/2 Ud/U2 =0.45（1+cos）/2 Id =Ud/Rd （2）负载上电压有效值U 与电流有效值 I 的计算U = 1/2（2 U2 sint）2 d（t）= U2 （-）/2+sin2/4I=U/Rd （3）晶闸管电流有效值IVT 及其两端可能承受的最大正、反向

27、电压 UVTM 的计算IVT =I=U/Rd U VTM = 2 U2 IVT/Id =I/Id =I2/Id =sin2+2（-）/2（1+cos）cos=P/S=UI/U2I=(-)/2+sin2/4例 2.1 单相半波可控整流电路，电阻性负载。要求输出的直流平均电压为50V92V 之间连续可调，最大输出直流平均电流为30A，直接由交流电网220V 供电，试求 : 1）控制角 的可调范围 ; 2）负载电阻的最大有功功率及最大功率因数; 3）选择晶闸管型号规格（安全裕量取2 倍） 。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - -

28、- 名师精心整理 - - - - - - - 第 18 页，共 26 页 - - - - - - - - - 解: （1）由式（2-1）或由图 2-3 的 Ud /U2 曲线求得 : 当 Ud =50V时 cos=(2500)/(0.45220)-10 所以=90或由 Ud/U2 曲线查出，当 Ud/U2 =50/2200.227 时，90。当 Ud =92V 时cos=(2920)/(0.45220)-10.86 所以=30或由 Ud/U2 曲线查出，当 Ud/U2 =92/220=0.418 时，30。（2）=30时，输出直流电压平均值最大为92V，这时负载消耗的有功功率也最大，由式（2-

29、8）或查表 2-1 可求得I=1.66Id =1.6630A50A cos0.693 P=I2 Rd =（502 92/30）W7667W （3）选择晶闸管，因 =30时，流过晶闸管的电流有效值最大为 50A。所以 IVT （AV） =2(ITM/1.57)=2 (50/1.57)64A 取 100A 晶闸管的额定电压为UVTn =2UVTM =2 2220V622V 取 700V 故选择 KP100-7 型号的晶闸管。2.1.2 电感性负载及续流二极管电机的励磁线圈、滑差电动机电磁离合器的励磁线圈以及输出电路中串接平波电抗器的负载等都属于电感性负载。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载

30、- - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 19 页，共 26 页 - - - - - - - - - 在接有续流二极管的电感性负载单相半波可控整流电路中,当 u2 过零变负时，此时续流二极管承受正向电压而导通，晶闸管因承受反向电压而关断， id 就通过续流二极管而继续流动。2.1.3 反电动势负载蓄电池、直流电动机的电枢等均属反电动势负载。这类负载特点是含有直流电动势 E，它的极性对电路中晶闸管而言是反向电压故称反电动势负载，如图所示。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - -

31、 - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 20 页，共 26 页 - - - - - - - - - 第六次课内容单相桥式半控整流电路1. 不带续流二极管在正半周， T1 承受正向阳极电压。在控制角为时触发晶闸管T1，则 T1 和 D2 导通，负载电流从 a 点经 T1、负载、D2 回到b 点。此时整流电路的输出电压。当过零变负时，由于电感的作用， T1 仍继续导通，但由于此时b 点电位高于a 点电位，D1 正偏导通， D2 反偏截止， D2、D1 自然换相，负载电流从a 点经 T1、负载、 D1 回到 a 点，形成不经过变压器的续流状态，输出电压接近于零。在

32、负半周， T2 承受正向阳极电压。在时触发晶闸管T2，则 T2和 D1 导通，T1 承受反向电压而截止。负载电流从b 点经 T2、负载、D1 回到 a 点。此时整流电路的输出电压。 当过零变正时，D2 正偏导通， D1 反偏截止， D1、D2 自然换相，负载电流从b点经 T2、负载、D2 回到 b 点，形成不经过变压器的续流状态，输出电压接近于零。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 21 页，共 26 页 - - - - - - - - - 单相桥式半控整流电路虽然自身有

33、自然续流能力，但在实际运行中，当突然增大至或触发脉冲突然丢失时，会发生一个晶闸管持续导通而两个二极管轮流导通的现象， 此时触发脉冲对输出电压失去了控制作用，称为失控。2.带续流二极管并联续流二极管后，当电源电压降至零时，负载电流经续流二极管续流，晶闸管电流降至维持电流以下而关断，从而避免了失控现象。并联续流二极管的输出电压平均值d222121cos2sind()(1cos)0.92UUttUU名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 22 页，共 26 页 - - - - -

34、- - - - 输出电压有效值晶闸管电流平均值和有效值分别为续流二极管的电流平均值和有效值分别为2221sin 2(2sin) d2UUttUdTd2IITd2IIdDdd22IIIDdd22III名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 23 页，共 26 页 - - - - - - - - - 第七次课内容单相全波和单相全控桥式可控整流电路单相全波可控整流电路1.电阻性负载正半周时， a 点电位高于 b 点电位，两个晶闸管T1、T4 同时承受正向电压。门极无触发信号，则两个

35、晶闸管处于正向阻断状态，电源电压将全部加在T1、T4 上，两个晶闸管各自承受电源电压的一半，负载电压为零。在时，给 T1、T4 同时施加触发脉冲， T1、T4 即时导通，电源电压通过T1、T4 加在负载上。当电源电压下降至零时，负载电流也降至零，T1、T4 自然关断。在电源电压的正半周，晶闸管T2、T3 始终承受反向电压而处于截止状态。在的负半周， b 点电位高于 a 点电位，晶闸管T2、T3 同时承受正向电压。 在时触发 T2、T3，T2、T3 导通，电流从 b 端流出经 T3、R、T2 回到电源 a 端，负载获得与正tt名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - -

36、- - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 24 页，共 26 页 - - - - - - - - - 半周相同的整流电压和电流波形，这期间，T1、T4 均承受反向电压而处于阻断状态。当过零变正时，T2、T3 关断，负载电压和电流也降至零。此后，T1、T4 又承受正向电压，并在时被触发导通，依此循环工作。整流输出电压平均值为输出电流的平均值和有效值分别为晶闸管电流平均值为晶闸管电流有效值为2.电感性负载在电源正半周，晶闸管T1 和 T4 同时承受正向电压。若在时同时触发 T1 和 T4 导通，则电源电压通过 T1 和 T4 加至负载上。当电源电压过

37、零变负时，由于大电感的存在，T1 和 T4 仍继续导通。d21c o s0.92UUd2d1cos0.92UUIRR2sin 22UUIRR2d Td11cos0.4522UIIR222Td21sin2sind ()2 2 22UUIIttRRt名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 25 页，共 26 页 - - - - - - - - - 在电源负半周，晶闸管T2 和 T3 同时承受正向电压。那么我们在时同时触发 T2 和 T3 导通， T1 和 T4 承受反向电压而关断

38、，负载电流由T1 和 T4 换流至 T2 和 T3，电源电压通过 T2 和 T3 施加到负载端。当电源电压过零变正时，电感的储能使 T2 和 T3 维持继续导通，直至下一个周期 T1 和 T4 被触发导通为止。整流输出电压平均值整流输出电压有效值流过晶闸管的电流平均值和有效值3. 反电动势负载td22212s ind ()22c o s0.9c o sUUttUU2221(2s in)dUUttUd Tdd12 2IIITdd12 2IIITrud R T3 T1 u1 u2 T2 T4 i2 id LE u2 ot反电动势 -电感性负载反电动势 -电阻性负载oduttodiid to名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 26 页，共 26 页 - - - - - - - - -