(工业电气自动化)电子技术基础(二)课程复习题及答案1.doc

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1、如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流(工业电气自动化)电子技术基础(二)课程复习题及答案1【精品文档】第 8 页电子技术基础(二)课程复习题及答案一、填空1、本征半导体中有空穴和 两种载流子。自由电子2、半导体有P型和 两种类型。N型3、PN结具有 特性。单向导电4、二极管按结构分有点接触型和 接触型。面5、差动放大电路的电路参数 。对称6、差动放大电路的目的是抑制 。共模信号7、反馈分有正反馈和 反馈。负8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和 功率放大器。甲乙类9、复合管的类型与组成该复合管的 三极管相同。第一只10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和 组成。功率输出级11

2、、集成电路按功能分有数字集成电路和 集成电路。模拟12、过零电压比较器具有极高的 。电压放大倍数13、正弦波振荡器由基本放大电路、 、反馈网络和稳幅电路四部分组成。选频网络14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和 。正反馈量要足够大15、在开关稳压电源中调整管工作于 状态。开关16、逻辑代数又叫 代数。二值布尔17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、 三种。逻辑非18、卡诺图所有的最小项之和为 。119、数字集成器件民用品标为 系列。7420、集成逻辑门是最基本的 。数字集成器件21、反相器就是实现 的器件。逻辑非22、编码是 的逆过程。译码23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于 。当前输

3、入24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、 等。集成寄存器25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和 。N进制26、一个触发器可以存放 位二进制数。127、多谐振荡器又称 。方波发生器28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和 。单稳态触发器29、绝大多数的DAC、ADC均采用 工艺。CMOS30、读写存储简称 。RAM31、只读存储器简称 。ROM二、单选选择题1、在本征半导体中掺入微量的（ ）价元素，形成N型半导体。DA、二 B、三 C、四 D、五2、在本征半导体中掺入微量的（ ）价元素，形成P型半导体。BA、二 B、三 C、四 D、五3、在P型半导体中，电子浓度（ ）空穴

4、浓度。CA、大于 B、等于 C、小于 D、与温度有关 4、在本征半导体中，电子浓度（ ）空穴浓度。BA、大于 B、等于 C、小于 D、与温度有关5、在N型半导体中，电子浓度（ ）空穴浓度。AA、大于 B、等于 C、小于 D、与温度有关6、锗二极管正向导通的条件是( )。BA、Ub=0.7V B、Ub =0.3V C、Ub =0.5V D、 Ub =0.1V7、硅二极管正向导通的条件是( )。AA、 Ub=0.7V B、Ub =0.3V C、 Ub =0.5V D、Ub =0.1V8、二极管正向导通时的电阻RD ( )。A A、很小 B、很大 C、等于1k D、无法确认9、二极管反向导通时的电阻

5、RD ( )。BA、很小 B、 很大 C、 等于1k D、无法确认10、晶体二极管最显著的特性是( )。CA、开关特性 B、信号放大特性 C、单向导通特性 D、稳压特性11、稳压管的稳压区是其工作在（ ）。CA、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 D、反向截止或击穿12、测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管，各电极对地的电位是：U1=2V，U2=6V，U3=2.7V，则该三极管各管脚的名称是( )。BA、1脚为c，2脚为b，3脚为e B、1脚为e，2脚为c，3脚为bC、1脚为b，2脚为e，3脚为c D、1脚为b，2脚为c，3脚为e13、若晶体三极管工作在截止状态，则以下符合的条件为( )

6、。CA、UCE UBE C、IB=0 D、IC=0 14、晶体三极管有( )种工作状态。CA、1种 B、2种 C、3种 D、4种15、若测得UCE UBE，则可以判断三极管处于（ ）状态。AA、放大 B、饱和 C、截止 D、短路16、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。BA、前者反偏、后者也反偏 B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏 D、前者反偏、后者正偏17、晶体三极管的重要特性是( )。AA、电流放大作用 B、电压放大作用 C、功率放大作用 D、电能流放大作用18、晶体三极管由（ ）构成。AA、 三个半导体区和两个PN结 B、两个半导体区和三个PN结C、四个

7、半导体区和三个PN结 D、 三个半导体区和三个PN结19、在放大电路中，三极管静态工作点用（ ）表示。 BA、IB、IC、VCE B、 IB、IC、UCE C、 iB、iC、VCE D、 ib、ic、uce 20、晶体管三个电极的电流关系为（ ）。BA、IC=IE+IB B、IE = IC +IB C、 IB =IE+ IC D、IE =IB21、电力场效应晶体管中主要类型是（ ）。BA、P沟道增强型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、N沟道耗尽型22、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为（ ）。DA、栅极 B、源极 C、基极 D、漏极 23、在放大电路中，场效应晶体管应工作在漏极特性

8、的（ ）。CA、 可变电阻区 B、 截止区 C、饱和区 D、击穿区24、集成放大器之间均采用（ ）耦合。AA、直接 B、电容 C、电阻 D、变压器25、在放大电路中，要使信号不进入饱和区，UCE的选择应是（ ）。DA、UCE1V B、UCE=UCC C、UCE1V D、UCEUcem+UCE(sat)26、在固定偏置的共发射极放大电路中，测得三极管的集电极电压UC=UCC，而测得发射极电压UE=0，此管处于（ ）。CA、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不确定27、差动放大电路中发射极公共电阻Re的作用是（ ）。AA、使静态工作点稳定 B、抑制差模信号 C、增强共模信号 D、提高差模输

9、入电阻28、要提高电路的负载能力，可采用（ ）。CA、串联负反馈 B、电流负反馈 C、电压负反馈 D、并联负反馈29、两个三极管的值分别是60和80，其组成复合管后的值是（ ）。BA、60 B、4800 C、80 D、14030、复合管的类型由（ ）决定。AA、第一只 B、第二只 C、两只共同 D、不一定31、功率放大器的效率是指（ ）。BA、输出功率与输入功率之比 B、输出功率与电源供给功率之比C、输出功率与管耗之比 D、管好与电源功率之比32、在OCL电路中，若要求负载获得的最大不失真功率为10W，则两个功放管的额定管耗只要求大于（ ）。DA、20W B、10W C、5W D、2W33、集

10、成功放的输出级一般采用（ ）。CA、差动放大电路 B、共发射极放大电路 C、互补对称电路 D、共集电极放大电路34、读图时发现有的运放处于开环状态，那么此运放所在的本级电路可能是（ ）。DA、基本运算电路 B、信号放大电路 C、信号产生电路 D、电压比较器35、施密特触发器可将（ ）变换为方波。BA、锯齿波 B、三角波 C、尖波 D、正弦波36、反相比例运算和同相比例运算相比较（ ）。AA、同相比例运算输入电阻大 B、同相比例运算输入电阻小 C、两者一样大 D、不一定37、在放大电路中插入（ ）电路就可获得正弦振荡。DA、正反馈 B、负反馈 C、正反馈和负反馈 D、正反馈选频网络38、石英晶体

11、的化学成分是（ ）。CA、二氧化碳 B、二氧化硫 C、二氧化硅 D、二氧化镁39、石英晶体振荡器的频率准确性和稳定性都极高其稳定度可达（ ）。DA、10-6 B、10-7 C、10-8 D、10-9 40、在桥式整流电容滤波电路中，U2=100V，正常时UO=120V，现实测UO=45V，那么电路中可能出现的故障是（ ）。A A、滤波电容和一个二极管开路 B、有一个整流管烧断C、RL开路 D、滤波电容开路41、用三端稳压器组成稳压电路，要求UO=12V，IO=1.5V，应选用的稳压器是（ ）。A A、CW7812 B、CW7912 C、CW78M12 D、CW78L1242、要使CW7800正

12、常工作，必须使（ ）。C A、UIUO B、因UO稳定，所以 UI大小无所谓 C、UI大于UO一定值 D、UIUO43、四位二进制代码可以编出的状态有（ ）。CA、4种 B、8种 C、16种 D、32种 44、TTL与CMOS电路输入电流相比较，关系为（ ）。AA、前者大 B、后者大 C、一样 D、不能相比45、半导体数码管每一段电流约为（ ）。BA、几微安到十几微安 B、几毫安到十几毫安 C、几十毫安到几百毫安 D、几安到十几安46、每个发光二极管的工作电压约为（ ）。BA、0.60.7V B、1.53V C、35V D、58V47、液晶显示器的工作电压应（ ）。AA、低于3V B、高于5V

13、 C、高于10V D、高于15V48、液晶显示器的清晰度与（ ）有关。CA、电压 B、电流 C、环境光 D、电功率49、在集成器件不能直接带动负载时，可以通过（ ）带动。CA、二极管 B、三极管放大电路 C、三极管反相器 D、变压器50、触发器是由逻辑门组成，所以它的功能特点是（ ）。BA、和逻辑门功能相同 B、有记忆功能 C、没有记忆功能 D、都不是51、构成一个五进制计数器最少需要（ ）个触发器。C A、一 B、二 C、三 D、四 52、集成单稳态触发器的暂稳态维持时间决定于（ ）。CA、电源电压值 B、触发脉冲宽度C、外接定时电阻电容 D、触发脉冲类型53、用555构成的单稳态触发器，在

14、无触发的情况下，其输出稳态是（ ）。AA、低电平 B、高电平C、高阻状态 D、零54、单稳态触发器的输出状态有（ ）。AA、一个稳态，一个暂态 B、两个稳态C、没有稳态 D、没有暂态55、双积分A/D转换器的抗干扰能力比逐次比较型的A/D转换器抗干扰能力（ ）。CA、差 B、一样 C、好 D、不具可比性56、双积分A/D转换器的转换速度比逐次比较型的A/D转换器要（ ）。AA、慢 B、一样 C、快 D、不具可比性57、一般讲A/D转换器的位数越多，则其能分辨的模拟电压值（ ）。AA、越小 B、越大 C、与位无关 D、根据具体情况而定58、信息可随时写入或读出，断后信息立即消失的存储器是（ ）。

15、BA、ROM B、RAM C、PROM D、EEPROM59、只能读不能写入，但信息可永久保存的存储器是（ ）。AA、ROM B、RAM C、PROM D、EEPROM60、只能一次写入信息的存储器是（ ）。CA、ROM B、RAM C、PROM D、EEPROM三、多项选择题1、半导体的导电能力受（ ）的影响特别大。A C EA、温度 B、电压 C、光照D、功率 E、掺杂2、用于制造半导体器件的半导体材料是（ ）。B DA、磷 B、硅 C、铟 D、锗 E、铁3、三极管工作在饱和区时，（ ）。A C EA、发射结正偏 B、发射结反偏 C、集电结正偏 D、集电结反偏 E、UCE ,所以三极管处于饱和状态。(b) (mA) (mA) (mA)因0,所以三极管处于放大状态。(c)因 UBE0所以三极管处于截止状态。(d)因 0所以三极管处于截止状态。