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1、如有侵权,请联系网站删除,仅供学习与交流习 题 4【精品文档】第 176 页习 题 44.1 图4.1所示为场效应管的转移特性,请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压(或夹断电压)约是多少。图4.1 习题4.1图解: (a) N沟道 耗尽型FET UP=3V;(b) P沟道 增强型FET Uth=4V;(c) P沟道 耗尽型FET UP=2V。4.2 图4.2所示为场效应管的输出特性曲线,分别判断各场效应管属于何种类型(增强型、耗尽型、N沟道或P沟道),说明它的夹断电压(或开启电压)为多少。图4.2 习题4.2图解: (a) 增强型MOSFET,P沟道 Uth= 1V;(b) 耗尽
2、型 N沟道FET UP=1V4.3 某MOSFET的IDSS = 10mA且UP = 8V。(1) 此元件是P沟道还是N沟道?(2) 计算UGS = 3V时的ID;(3) 计算UGS = 3V时的ID。解:(1) N沟道;(2) (3) 4.4 画出下列FET的转移特性曲线。(1) UP = 6V,IDSS = 1mA的MOSFET;(2) Uth = 8V,Kn = 0.2mA/V2的MOSFET。解: (1) (2) 4.5 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图,并标明各自的开启电压或夹断电压。解:4.6 判断图4.3所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。
3、电容对交流信号可视为短路。图4.3 习题4.6电路图解: (a) 能放大 (b) 不能放大,增强型不能用自给偏压 (c) 能放大(d)不能放大,电源极性错误,共漏,可增加Rd,并改为共源放大4.7 电路如图4.4所示,MOSFET的Uth = 2V,Kn = 50mA/V2,确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。解:4.8 试求图4.5所示每个电路的UDSQ,已知|IDSS| = 8mA。图4.4 习题4.7电路图 图4.5 习题4.8电路图解:(a) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDDIDQRd = 1281=4(V) (b) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS
4、=8(mA) UDSQ=VDDIDQRd = 9+80.56=4.52(V)4.9 电路如图4.6所示,已知VT在UGS = 5V时的ID = 2.25mA,在UGS = 3V时的ID = 0.25mA。现要求该电路中FET的VDQ = 2.4V、IDQ = 0.64mA,试求:(1) 管子的Kn和Uth的值;(2) Rd和RS的值应各取多大?解:(1)ID=Kn(UGS-Uth)22.25= Kn(5-UTh)2 0.25= Kn(3-Uth)2 Uth1=3.5(V) (不合理,舍去),Uth2=2(V)求得:Kn=0.25mA/V2,Uth=2V(2)VDQ=VDD-IDQRd 2.4=
5、120.64Rd Rd=15k UGSQ1=0.4(V)(不合理,舍去) UGSQ2=3.6(V)UGSQ=100.64Rs Rs=10k4.10 电路如图4.7所示,已知FET的Uth = 3V、Kn = 0.1mA/V2。现要求该电路中FET的IDQ = 1.6mA,试求Rd的值应为多大?图4.6 习题4.9图 图4.7 习题4.10图解:1.6=0.1(UGSQ3)2 UGSQ1=7(V) UGSQ2=1(V)(不合理,舍去)UDSQ=UGSQ=7(V) UDSQ=151.6Rd Rd=5k4.11 电路如图4.8所示,已知场效应管VT的Uth = 2V,U(BR)DS = 16V、U(
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