江阴碳化硅衬底设备公司成立可行性报告【范文模板】.docx
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1、泓域咨询/江阴碳化硅衬底设备公司成立可行性报告江阴碳化硅衬底设备公司成立可行性报告xx有限公司目录第一章 拟成立公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据9公司合并利润表主要数据9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据11六、 项目概况11第二章 行业发展分析15一、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒15二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%16第三章 项目背景及必要性18一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期18二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下
2、性能优越19三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心21四、 聚力城乡统筹,在展现美丽江阴面貌上有新突破22五、 项目实施的必要性24第四章 公司筹建方案26一、 公司经营宗旨26二、 公司的目标、主要职责26三、 公司组建方式27四、 公司管理体制27五、 部门职责及权限28六、 核心人员介绍32七、 财务会计制度33第五章 法人治理结构41一、 股东权利及义务41二、 董事44三、 高级管理人员48四、 监事51第六章 发展规划分析53一、 公司发展规划53二、 保障措施54第七章 项目环境保护57一、 编制依据57二、 建设期大气环境影响分析58三、 建设期水环境影响分析60四
3、、 建设期固体废弃物环境影响分析60五、 建设期声环境影响分析61六、 环境管理分析61七、 结论62八、 建议63第八章 风险评估64一、 项目风险分析64二、 公司竞争劣势67第九章 选址分析68一、 项目选址原则68二、 建设区基本情况68三、 加快转型升级,在增强区域综合实力上有新突破71四、 深化改革开放,在释放发展动力活力上有新突破73五、 项目选址综合评价75第十章 建设进度分析76一、 项目进度安排76项目实施进度计划一览表76二、 项目实施保障措施77第十一章 经济效益分析78一、 基本假设及基础参数选取78二、 经济评价财务测算78营业收入、税金及附加和增值税估算表78综合
4、总成本费用估算表80利润及利润分配表82三、 项目盈利能力分析83项目投资现金流量表84四、 财务生存能力分析86五、 偿债能力分析86借款还本付息计划表87六、 经济评价结论88第十二章 投资方案分析89一、 投资估算的编制说明89二、 建设投资估算89建设投资估算表91三、 建设期利息91建设期利息估算表92四、 流动资金93流动资金估算表93五、 项目总投资94总投资及构成一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表96第十三章 项目总结98第十四章 附表附件100主要经济指标一览表100建设投资估算表101建设期利息估算表102固定资产投资估算表103流动资金估算
5、表104总投资及构成一览表105项目投资计划与资金筹措一览表106营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表107固定资产折旧费估算表108无形资产和其他资产摊销估算表109利润及利润分配表110项目投资现金流量表111借款还本付息计划表112建筑工程投资一览表113项目实施进度计划一览表114主要设备购置一览表115能耗分析一览表115报告说明xx有限公司主要由xxx(集团)有限公司和xxx集团有限公司共同出资成立。其中:xxx(集团)有限公司出资187.50万元,占xx有限公司25%股份;xxx集团有限公司出资563万元,占xx有限公司75%股份。根据谨慎财务估算,项目总
6、投资11263.39万元,其中:建设投资8783.75万元,占项目总投资的77.98%;建设期利息236.09万元,占项目总投资的2.10%;流动资金2243.55万元,占项目总投资的19.92%。项目正常运营每年营业收入22000.00万元,综合总成本费用18429.51万元,净利润2604.02万元,财务内部收益率16.14%,财务净现值859.29万元,全部投资回收期6.56年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。SiC衬底设备主要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高,设备+工艺合作研发是关键。本报告基
7、于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 拟成立公司基本信息一、 公司名称xx有限公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本750万元三、 注册地址江阴xxx四、 主要经营范围经营范围:从事碳化硅设备相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xx有限公司主要由xxx(集团)有限公司和xxx集团有限公司发起成立。(一)xxx(集团)有限公司基本情况1、公司简介公司按照“布局合理、产业协同
8、、资源节约、生态环保”的原则,加强规划引导,推动智慧集群建设,带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流,发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制,承担社会责任,营造和谐发展环境。公司不断建设和完善企业信息化服务平台,实施“互联网+”企业专项行动,推广适合企业需求的信息化产品和服务,促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用,业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台,培育产业链,打造创新链,提升价值链,促进带动产业链上下游企业协同发展。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目202
9、0年12月2019年12月2018年12月资产总额5129.004103.203846.75负债总额2465.741972.591849.30股东权益合计2663.262130.611997.45公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入13500.6310800.5010125.47营业利润3050.672440.542288.00利润总额2473.831979.061855.37净利润1855.371447.191335.87归属于母公司所有者的净利润1855.371447.191335.87(二)xxx集团有限公司基本情况1、公司简介公司始终坚持“人本、诚信、
10、创新、共赢”的经营理念,以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念,将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念,不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额5129.004103.203846.75负债总额2465.741972.591849.30股东权益合计2663.262130.611997.45公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入13500.
11、6310800.5010125.47营业利润3050.672440.542288.00利润总额2473.831979.061855.37净利润1855.371447.191335.87归属于母公司所有者的净利润1855.371447.191335.87六、 项目概况(一)投资路径xx有限公司主要从事碳化硅衬底设备公司成立的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸
12、SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。(三)项目选址项目选址位于xx(以选址意见书为准),占地面积约23.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(
13、四)生产规模项目建成后,形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积25793.56,其中:生产工程17181.55,仓储工程4384.26,行政办公及生活服务设施2268.31,公共工程1959.44。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资11263.39万元,其中:建设投资8783.75万元,占项目总投资的77.98%;建设期利息236.09万元,占项目总投资的2.10%;流动资金2243.55万元,占项目总投资的19.92%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):22000.00万元。2、综合总成本费用(TC):18429.51万元。3、净利润(NP
14、):2604.02万元。4、全部投资回收期(Pt):6.56年。5、财务内部收益率:16.14%。6、财务净现值:859.29万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划24个月。(九)项目综合评价项目建设符合国家产业政策,具有前瞻性;项目产品技术及工艺成熟,达到大批量生产的条件,且项目产品性能优越,是推广型产品;项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案;项目设施对环境的影响经评价分析是可行的;根据项目财务评价分析,经济效益好,在财务方面是充分可行的。第二章 行业发展分析一、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等
15、。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高,设备+工艺合作研发是关键。长晶炉:主要由衬底制造厂商自研开发,可基本实现国产化(与传统晶硅级长晶炉有相同性,炉子结构不是非常复杂),市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT(物理气相传输)的技术路线,温度很高,不可实施监控,难点不在设备本身,而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样,也是各家的核心机密所在,只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括:Wolfspeed,Aymont,Aixtron,LHT,中国电科二所,山东天岳,天科合达,中科院硅酸盐所,中国电科四十六所等。切片机:碳化
16、硅的切割和传统硅的切割方式相似,但因为碳化硅属于硬质材料(莫氏硬度达9.5,除金刚石以外世界上第二硬的材料),切割难度非常大,切一刀可能需几百个小时,对系统设备的稳定性很高,国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备(金刚石多线切割机)占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备:和传统硅机台基本类似,主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括:日本不二越、韩国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和
17、外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器
18、件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。第三章 项目背景及必要性一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wol
19、fspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差
20、距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国
21、内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程
22、快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件
23、的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的
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