宜昌MOSFET功率器件项目商业计划书【模板】.docx

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1、泓域咨询/宜昌MOSFET功率器件项目商业计划书宜昌MOSFET功率器件项目商业计划书xxx有限责任公司目录第一章 项目投资背景分析8一、 中国半导体行业发展概况8二、 MOSFET器件概述8三、 功率半导体行业概述13四、 加快构建现代产业体系，增强经济核心竞争力15五、 积极融入新发展格局统筹国际国内两种资源、两个市场，坚定实施扩大内需战略，促进生产、分配、流通、消费各环节良性循环，建设更高水平开放型经济新体制，打造融入双向循环的关节点和中西部对外开放桥头堡。17第二章 市场分析21一、 功率器件应用发展机遇21二、 功率半导体市场规模与竞争格局25三、 功率MOSFET的行业发展趋势26

2、第三章 绪论29一、 项目名称及项目单位29二、 项目建设地点29三、 可行性研究范围29四、 编制依据和技术原则30五、 建设背景、规模30六、 项目建设进度31七、 环境影响31八、 建设投资估算32九、 项目主要技术经济指标32主要经济指标一览表33十、 主要结论及建议34第四章 项目选址可行性分析36一、 项目选址原则36二、 建设区基本情况36三、 全面深化改革，优化高质量发展经济体制42四、 项目选址综合评价47第五章 产品规划与建设内容48一、 建设规模及主要建设内容48二、 产品规划方案及生产纲领48产品规划方案一览表49第六章 SWOT分析51一、 优势分析（S）51二、 劣

3、势分析（W）53三、 机会分析（O）53四、 威胁分析（T）54第七章 运营管理62一、 公司经营宗旨62二、 公司的目标、主要职责62三、 各部门职责及权限63四、 财务会计制度66第八章 发展规划74一、 公司发展规划74二、 保障措施75第九章 法人治理78一、 股东权利及义务78二、 董事80三、 高级管理人员86四、 监事88第十章 项目规划进度90一、 项目进度安排90项目实施进度计划一览表90二、 项目实施保障措施91第十一章 工艺技术及设备选型92一、 企业技术研发分析92二、 项目技术工艺分析95三、 质量管理96四、 设备选型方案97主要设备购置一览表98第十二章 项目环境

4、影响分析99一、 编制依据99二、 环境影响合理性分析99三、 建设期大气环境影响分析101四、 建设期水环境影响分析102五、 建设期固体废弃物环境影响分析103六、 建设期声环境影响分析103七、 建设期生态环境影响分析103八、 清洁生产104九、 环境管理分析105十、 环境影响结论109十一、 环境影响建议109第十三章 项目投资计划111一、 投资估算的依据和说明111二、 建设投资估算112建设投资估算表116三、 建设期利息116建设期利息估算表116固定资产投资估算表118四、 流动资金118流动资金估算表119五、 项目总投资120总投资及构成一览表120六、 资金筹措与投

5、资计划121项目投资计划与资金筹措一览表121第十四章 项目经济效益分析123一、 基本假设及基础参数选取123二、 经济评价财务测算123营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表125利润及利润分配表127三、 项目盈利能力分析127项目投资现金流量表129四、 财务生存能力分析130五、 偿债能力分析131借款还本付息计划表132六、 经济评价结论132第十五章 招标及投资方案134一、 项目招标依据134二、 项目招标范围134三、 招标要求134四、 招标组织方式135五、 招标信息发布136第十六章 项目风险防范分析137一、 项目风险分析137二、 项目风险对策

6、139第十七章 总结分析142第十八章 补充表格143建设投资估算表143建设期利息估算表143固定资产投资估算表144流动资金估算表145总投资及构成一览表146项目投资计划与资金筹措一览表147营业收入、税金及附加和增值税估算表148综合总成本费用估算表149固定资产折旧费估算表150无形资产和其他资产摊销估算表151利润及利润分配表151项目投资现金流量表152本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目投资背景分析一、 中国半导体行业发展概况我国本土半导

7、体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎

8、来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至

9、73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份

10、额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十

11、年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平

12、面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和

13、高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型

14、三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合

15、计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入

16、前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器

17、件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET

18、特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Pla

19、nar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。四、 加快构建现代产业体系，增强经济核心竞争力坚持创新驱动、数字赋能，打好产业基础高级化、产业链现代化攻坚战。打造区域性先进制造业中心、现代服务中心，建设全国制造业高质量发展示范城、长江经济带产业转型升级示范区、中部地区先进制造业集聚地、鄂西南产业崛起动力源、现代服务业发展示范区，构建以生物医药、新材料、航空航天、清洁能源、新一代

20、信息技术、节能环保和新能源汽车等战略性新兴产业为引领，以精细化工、装备制造、建筑、食品饮料、绿色建材和轻工纺织等先进制造业为主导，文旅、现代物流、健康、金融和大数据等现代服务业繁荣发展的现代产业体系。（一）提升产业基础高级化和产业链现代化水平以重点行业转型升级、重点领域创新发展需求为导向，围绕关键基础材料、核心基础零部件、重要技术装备和基础制造工艺、基础工业软件等方面，不断提升产业基础能力。支持一类新药研发及产业化、仿制药首仿快仿、特色原料药绿色工艺提升和中药配方颗粒化。提升湿法磷酸净化、磷石膏综合利用等关键技术水平。推动高性能硅烷偶联剂、高纯度硅油、高档次白炭黑、无水氟化氢等技术产业化。积极

21、参与国家集成电路产业链关键分工。推动磷、氟、硅、碳基新材料产业突破性发展。（二）推动传统产业向中高端转型升级重点培育磷化工、煤化工、盐化工、硅化工等产业链，打造全省万亿现代化工产业的核心区和增长极。支持姚家港化工园（含田家河片区）、宜都化工园建设全国一流化工园。持续推动化工产业向“高端化、精细化、循环化、绿色化、国际化”发展，打造国家磷复肥保供基地、全国磷精细化工示范基地、国家工业资源磷石膏综合利用基地、华中地区新型煤化工基地、有机硅产业示范基地，建设长江经济带化工绿色转型升级示范区。力争到2025年，全市精细化工产业产值达到1800亿元，把宜昌建设成全国精细磷化工中心。（三）发展壮大战略性新

22、兴产业实施战略性新兴产业倍增计划。优先发展势头好、活力足、潜力大的生物医药、新材料、航空航天等产业，培育发展清洁能源、新一代信息技术、新能源汽车、节能环保等产业，高质量建设全国一流仿制药生产基地、电子化学品示范基地、商业航天动力基地、大数据产业重要承载地，促进平台经济、共享经济健康发展。（四）加快发展现代服务业推动现代服务业同先进制造业、现代农业深度融合，推动生产性服务业向专业化、高端化延伸，推动生活性服务业向品质化、规模化转型，推动城市公共服务向区域化、现代化拓展，打造区域性现代服务中心，建成世界旅游名城、国际物流枢纽城市、世界级康养产业基地、长江经济带一体化大数据中心、区域性金融中心。（五

23、）做大做强建筑业以数字化、智能化建造技术为支撑，以新型建筑工业化为路径，加快传统建筑业与先进制造业、信息技术、节能环保等技术融合，打造具有区域竞争力的“宜昌建造”品牌。培育壮大装配式建筑产业，开展被动式超低能耗建筑试点示范，提高绿色建材使用比例。加快推进住宅全装修。鼓励建筑企业积极参与“一带一路”建设，充分发挥在宜建筑业央企优势，发展对外承包工程投建营一体化模式。到2025年，全市建筑业产值达2000亿元，施工总承包特级企业达到8家，施工总承包一级企业达到50家，1-2家龙头企业主板上市。五、 积极融入新发展格局统筹国际国内两种资源、两个市场，坚定实施扩大内需战略，促进生产、分配、流通、消费各

24、环节良性循环，建设更高水平开放型经济新体制，打造融入双向循环的关节点和中西部对外开放桥头堡。（一）培育区域强大市场创新消费供给模式，构建以城市商业中心、城区休闲中心、社区商超和特色街区为载体的多层次消费供给体系。推动县市休闲购物中心和特色市场建设，提升县域消费供给能力。释放消费潜力，扩大居民消费，适当增加公共消费。实施“互联网+服务业”新型消费计划，改造提升商贸服务、文化旅游、健康养老、教育培训、体育运动等生活性服务业，推动旅游圈、商业圈、文化圈融合发展。促进消费提质扩容，强化服务消费，扩大信息消费，拓宽智能消费，挖掘农村消费，倡导绿色消费，推动吃、穿、用、住、行等商品消费优化升级，加快释放文

25、化、教育、旅游、体育、托幼、养老、家政等消费潜力。发展夜间经济、假日经济，以夜购、夜游、夜娱、夜市等为重点，打造西坝夜市、国贸中心城、环球港等城区夜经济聚集区。着力发展体验经济，积极举办旅游观赏、啤酒节等体验型活动，加快无人体验店、智慧社区店、自提柜、云柜等新业态布局，打造“新消费醉宜昌”品牌。加快发展会展经济，打造高端会展服务区，争取承办大型国际展览会、国际论坛、国际国内产业行业会议活动，举办一批有影响力的重要节事活动。力争到2025年，全市会展场馆面积达到58万平方米，年展会数量达到50个；引进省级以上专业展会35个，培育和引进专业会展机构810家，建设3个以上省内外知名、行业领先的展会项

26、目；基本形成结构优化、布局合理、功能完善、机制健全、服务优良的会展经济发展体系，打造长江中上游区域性会展中心和国内重要的会议目的地城市。积极发展首店经济，支持时尚秀和新品发布会在宜首发新品。坚持线上线下结合，搭建产销对接平台，建立常态化供需对接机制。发展直播消费新模式，孵化一批地标性网红打卡地和网红品牌，推进直播电商产业园、直播产业基地建设。发展总部楼宇经济，大力引进世界500强企业、上市公司、区域性总部或研发中心、营销中心等分支机构。建设立足宜昌、辐射鄂西、面向全国的区域性消费中心。（二）建设内陆开放新高地积极融入“一带一路”建设，构建宜昌“水陆兼行、东西双进、南北突围、通江达海”大开放格局

27、。全面提升口岸功能，争创对外水运口岸、宜昌铁路口岸。优化东向通道，发挥承东启西区位优势，利用长江黄金水道，提升江海直达能力。打通西向通道，依托三峡翻坝转运体系，对接“渝新欧”，融入“一带一路”第三亚欧大陆桥。畅通北向通道，依托铁水联运优势，对接“汉新欧”，健全中欧班列常态化运营机制。拓展南向通道，依托焦柳铁路，扩大“江铁海”联运功能，对接北部湾，融入西部陆海大通道。（三）精准扩大有效投资发挥投资对优化供给结构的关键性作用，大力优化投资结构，保持投资合理增长。聚焦基础设施、市政工程、农业农村、生态环保、公共卫生、应急保障、物资储备、防灾减灾、民生保障等关键领域和薄弱环节，谋划一批强基础、增功能、

28、利长远的重大项目。提高投资有效性和精准性，支持企业设备更新和技术改造投资，扩大战略性新兴产业投资。聚焦“两新一重”、关键产业、创新平台、民生改善等领域，谋划实施一批对疫后重振具有较强拉动作用、对经济发展具有战略意义的重大工程、重大项目、重大基地、重大设施、重大平台。发挥政府对投资撬动作用，调动民间投资积极性。坚持定期开展重大项目“集中签约+集中开工”活动，用足用好资金、土地、能耗等要素保障支持政策，加快在建和新开工项目建设进度。积极与经济发达国家、新兴经济体开展经贸、科技、文化、教育等多方面投资交流合作，支持优势企业投资建立海外生产基地，开展海外资源、专利技术、著名品牌和商业网络收购。规范政府

29、和社会资本合作（PPP）模式，常态化发布回报机制明确、商业潜力大的项目，吸引民间资本参与。盘活存量资产，积极稳妥开展基础设施领域不动产投资信托基金试点（REITs）等工作。第二章 市场分析一、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管

30、理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座

31、增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小

32、时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输

33、入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的

34、功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推

35、进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而M

36、assiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100

37、美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）

38、、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MO

39、SFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET

40、将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行

41、业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-202

42、4年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。第三章 绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：宜昌MOSFET功率器件项目项目单位：xxx有限责任公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约78.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围根据项目的特点，报告的研究范围主要包括：1、项目单位及项目概况；2、产业规划及产业政策；3、资源综合利用条件；4、建设用地与厂址方案；5、环境和生态影响分析；6、投资方案分析；7、经济效益和社会效益分析。通

43、过对以上内容的研究，力求提供较准确的资料和数据，对该项目是否可行做出客观、科学的结论，作为投资决策的依据。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。（二）技术原则按照“保证生产，简化辅助”的原则进行设计，尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下，综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业管理制度，采取有效的环境保护措施，使生产中的排放物符合国家排放标准和规定，重视安全与工业卫生使工程项目

44、具有良好的经济效益和社会效益。五、 建设背景、规模（一）项目背景与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积52000.00（折合约78.00亩），预计场区规划总建筑面积83602.06。其中：生产工程46883.20，仓储工程15375.36，行政办公及生活服务设施11218.48，公共工程10125.02。项目建成后，形成年产xx件MOSFET功率器件的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情

45、况，xxx有限责任公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响项目建设区域生态及自然环境良好，该项目建设及生产必须严格按照环保批复的控制性指标要求进行建设，不要在企业创造经济效益的同时对当地环境造成破坏。本项目如能在项目的建设和运营过程中落实以上针对主要污染物的防止措施，那么污染物的排放就能达到国家标准的要求，从而保证不对环境产生影响，从环保角度确保项目可行。项目建设不会对当地环境造成影响。从环保角度上，本项目的选址与建设是可行的。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包

46、括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资31949.57万元，其中：建设投资25546.85万元，占项目总投资的79.96%；建设期利息636.48万元，占项目总投资的1.99%；流动资金5766.24万元，占项目总投资的18.05%。（二）建设投资构成本期项目建设投资25546.85万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用22036.22万元，工程建设其他费用2946.66万元，预备费563.97万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入64300.00万元，综合总成本费用49457.68万元，纳税总额

47、6915.93万元，净利润10867.08万元，财务内部收益率26.35%，财务净现值21505.18万元，全部投资回收期5.43年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积52000.00约78.00亩1.1总建筑面积83602.061.2基底面积29120.001.3投资强度万元/亩317.412总投资万元31949.572.1建设投资万元25546.852.1.1工程费用万元22036.222.1.2其他费用万元2946.662.1.3预备费万元563.972.2建设期利息万元636.482.3流动资金万元5766.243资金筹措万元31949.573.1自筹资金万元18960.213.2银行贷款万元12989.364营业收入万元643