池州碳化硅衬底设备公司成立可行性报告_模板.docx
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1、泓域咨询/池州碳化硅衬底设备公司成立可行性报告池州碳化硅衬底设备公司成立可行性报告xx有限公司报告说明据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行
2、。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。xx有限公司主要由xx有限责任公司和xx投资管理公司共同出资成立。其中:xx有限责任公司出资108.00万元,占xx有限公司15%股份;xx投资管理公司出资612万元,占xx有限公司85%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资38410.50万元,其中:建设投资29371.04万元,占项目总投资的76.47%;建设期利息426.98万元,占项目总投资的1.11%;流动
3、资金8612.48万元,占项目总投资的22.42%。项目正常运营每年营业收入79900.00万元,综合总成本费用60941.55万元,净利润13898.59万元,财务内部收益率30.12%,财务净现值34491.95万元,全部投资回收期4.76年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求,符合市场要求,受到国家技术经济政策的保护和扶持,适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备,交通运输及水电供应均有充分保证,有优越的建设条件。,企业经济和社会效益较好,能实现技术进步,产业结构调整,提高经济效益的目
4、的。项目建设所采用的技术装备先进,成熟可靠,可以确保最终产品的质量要求。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 筹建公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据12公司合并利润表主要数据12六、 项目概况13第二章 行业发展分析16一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期16二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场
5、景下性能优越17第三章 项目投资背景分析20一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心20二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期21三、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒23四、 深化与沪苏浙协同合作24第四章 公司筹建方案26一、 公司经营宗旨26二、 公司的目标、主要职责26三、 公司组建方式27四、 公司管理体制27五、 部门职责及权限28六、 核心人员介绍32七、 财务会计制度33第五章 发展规划40一、 公司发展规划40二、 保障措施41第六章 法人治理43一、 股东权利及义务43二、 董事47三、 高级管理人员53四、 监事55第七章
6、 风险评估分析57一、 项目风险分析57二、 公司竞争劣势64第八章 环保方案分析65一、 编制依据65二、 环境影响合理性分析66三、 建设期大气环境影响分析67四、 建设期水环境影响分析67五、 建设期固体废弃物环境影响分析68六、 建设期声环境影响分析68七、 环境管理分析69八、 结论及建议72第九章 项目选址方案74一、 项目选址原则74二、 建设区基本情况74三、 实施产业强市战略,加快发展创新型现代产业体系77四、 项目选址综合评价80第十章 投资计划81一、 投资估算的编制说明81二、 建设投资估算81建设投资估算表83三、 建设期利息83建设期利息估算表84四、 流动资金85
7、流动资金估算表85五、 项目总投资86总投资及构成一览表86六、 资金筹措与投资计划87项目投资计划与资金筹措一览表88第十一章 进度规划方案90一、 项目进度安排90项目实施进度计划一览表90二、 项目实施保障措施91第十二章 经济效益92一、 基本假设及基础参数选取92二、 经济评价财务测算92营业收入、税金及附加和增值税估算表92综合总成本费用估算表94利润及利润分配表96三、 项目盈利能力分析96项目投资现金流量表98四、 财务生存能力分析99五、 偿债能力分析100借款还本付息计划表101六、 经济评价结论101第十三章 总结103第十四章 附表附录105主要经济指标一览表105建设
8、投资估算表106建设期利息估算表107固定资产投资估算表108流动资金估算表109总投资及构成一览表110项目投资计划与资金筹措一览表111营业收入、税金及附加和增值税估算表112综合总成本费用估算表112固定资产折旧费估算表113无形资产和其他资产摊销估算表114利润及利润分配表115项目投资现金流量表116借款还本付息计划表117建筑工程投资一览表118项目实施进度计划一览表119主要设备购置一览表120能耗分析一览表120第一章 筹建公司基本信息一、 公司名称xx有限公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本720万元三、 注册地址池州xxx四、 主要经营范围经营范围:从事碳化硅设备相关业
9、务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xx有限公司主要由xx有限责任公司和xx投资管理公司发起成立。(一)xx有限责任公司基本情况1、公司简介公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定,制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则,董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 公司自成立以来,坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本,强调服务,一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推
10、进战略转型和管理变革,实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一,质量第一,信誉第一”为原则,在产品质量上精益求精,追求完美,对客户以诚相待,互动双赢。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额11436.239148.988577.17负债总额6100.394880.314575.29股东权益合计5335.844268.674001.88公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入55072.0244057.6241304.01营业利润13033.4810426.789775.11利润总额1
11、0667.768534.218000.82净利润8000.826240.645760.59归属于母公司所有者的净利润8000.826240.645760.59(二)xx投资管理公司基本情况1、公司简介公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上,坚持优化结构,提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式,补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板,走绿色、协调和可持续发展道路,不断优化供给结构,提高发展质量和效益
12、。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,以提质增效为中心,以提升创新能力为主线,降成本、补短板,推进供给侧结构性改革。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额11436.239148.988577.17负债总额6100.394880.314575.29股东权益合计5335.844268.674001.88公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入55072.0244057.6241304.01营业利润13033.4810426.789775.11利润总额10667.768534.218
13、000.82净利润8000.826240.645760.59归属于母公司所有者的净利润8000.826240.645760.59六、 项目概况(一)投资路径xx有限公司主要从事碳化硅衬底设备公司成立的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级
14、增长。锚定二三五年远景目标,奋力实现“增速居前列、人均争上游”,加快建设经济强、百姓富、生态美的新阶段现代化“三优池州”。综合实力实现新跨越。始终坚持发展是硬道理,坚持新发展理念,充分发挥增长潜力,主要经济指标增幅位居全省前列,地区生产总值突破1400亿元、力争1500亿元,人均地区生产总值进入全省中上游。经济结构实现新优化。工业化进程加快,创新驱动发展取得显著成效,主导产业转型升级取得较大突破,制造业增加值、战略性新兴产业增加值占地区生产总值比重达到全省平均水平。(三)项目选址项目选址位于xx园区,占地面积约91.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设
15、施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xx套碳化硅设备的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积104206.39,其中:生产工程70353.39,仓储工程17382.31,行政办公及生活服务设施11896.40,公共工程4574.29。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资38410.50万元,其中:建设投资29371.04万元,占项目总投资的76.47%;建设期利息426.98万元,占项目总投资的1.11%;流动资金8612.48万元,占项目总投资的22.42%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):79900.00万元。2、综合总成本费用(TC
16、):60941.55万元。3、净利润(NP):13898.59万元。4、全部投资回收期(Pt):4.76年。5、财务内部收益率:30.12%。6、财务净现值:34491.95万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划12个月。(九)项目综合评价本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。第二章 行业发展分析一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场
17、:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市
18、占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下
19、游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各
20、国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖
21、尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。第三章 项目投资背景分析一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业
22、化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2
23、.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大
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