连云港MOSFET功率器件项目实施方案模板范文.docx

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1、泓域咨询/连云港MOSFET功率器件项目实施方案报告说明根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。

2、根据谨慎财务估算，项目总投资12294.06万元，其中：建设投资9406.01万元，占项目总投资的76.51%；建设期利息260.93万元，占项目总投资的2.12%；流动资金2627.12万元，占项目总投资的21.37%。项目正常运营每年营业收入28200.00万元，综合总成本费用22198.08万元，净利润4389.47万元，财务内部收益率27.17%，财务净现值6359.26万元，全部投资回收期5.42年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及临近地区的相关

3、产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备，交通运输及水电供应均有充分保证，有优越的建设条件。，企业经济和社会效益较好，能实现技术进步，产业结构调整，提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进，成熟可靠，可以确保最终产品的质量要求。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 市场预测8一、 功率半导体行业概述8二、 MOSFET器件概述9三、 全球半导体行业发展概况14第二章 项目基本情况15一、 项目名称及建设性质

4、15二、 项目承办单位15三、 项目定位及建设理由16四、 报告编制说明19五、 项目建设选址21六、 项目生产规模21七、 建筑物建设规模21八、 环境影响21九、 项目总投资及资金构成22十、 资金筹措方案22十一、 项目预期经济效益规划目标22十二、 项目建设进度规划23主要经济指标一览表23第三章 项目建设背景及必要性分析26一、 功率器件应用发展机遇26二、 功率半导体市场规模与竞争格局30三、 构建双循环战略链接打造双向开放新高地31第四章 产品方案38一、 建设规模及主要建设内容38二、 产品规划方案及生产纲领38产品规划方案一览表39第五章 选址方案40一、 项目选址原则40二

5、、 建设区基本情况40三、 建设现代化国际性海滨城市促进城乡协调发展43四、 创新驱动发展建设国家创新型城市47五、 项目选址综合评价52第六章 法人治理结构53一、 股东权利及义务53二、 董事55三、 高级管理人员59四、 监事62第七章 发展规划65一、 公司发展规划65二、 保障措施66第八章 SWOT分析69一、 优势分析（S）69二、 劣势分析（W）70三、 机会分析（O）71四、 威胁分析（T）71第九章 工艺技术及设备选型77一、 企业技术研发分析77二、 项目技术工艺分析79三、 质量管理80四、 设备选型方案81主要设备购置一览表82第十章 安全生产分析83一、 编制依据8

6、3二、 防范措施84三、 预期效果评价90第十一章 投资估算及资金筹措91一、 投资估算的编制说明91二、 建设投资估算91建设投资估算表93三、 建设期利息93建设期利息估算表94四、 流动资金95流动资金估算表95五、 项目总投资96总投资及构成一览表96六、 资金筹措与投资计划97项目投资计划与资金筹措一览表98第十二章 经济效益100一、 基本假设及基础参数选取100二、 经济评价财务测算100营业收入、税金及附加和增值税估算表100综合总成本费用估算表102利润及利润分配表104三、 项目盈利能力分析104项目投资现金流量表106四、 财务生存能力分析107五、 偿债能力分析108借

7、款还本付息计划表109六、 经济评价结论109第十三章 风险评估分析111一、 项目风险分析111二、 项目风险对策113第十四章 项目总结分析115第十五章 补充表格116建设投资估算表116建设期利息估算表116固定资产投资估算表117流动资金估算表118总投资及构成一览表119项目投资计划与资金筹措一览表120营业收入、税金及附加和增值税估算表121综合总成本费用估算表122固定资产折旧费估算表123无形资产和其他资产摊销估算表124利润及利润分配表124项目投资现金流量表125第一章 市场预测一、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要

8、用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半

9、导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标

10、，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种

11、可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技

12、进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2

13、019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，

14、因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDM

15、OS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSF

16、ET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，

17、全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电

18、压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的

19、核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。第二章 项目基本情况一、 项目名称及建设性质（一）项目名称连云港MOSFET功率器件项目（二）项目建设性质本项目属于新建项目二、

20、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xxx有限责任公司（二）项目联系人汤xx（三）项目建设单位概况本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。经过多年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成

21、立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动

22、作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。三、 项目定位及建设理由“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。按照2035年远景目标的阶段性部署安排，“十四五”时期，创造性落实“争当表率、争做示范、走在前列”要求，以探索性、创新性、引领性的发展，建设“强富美高”连云港，推动“高质发展、后发先至”

23、迈上新台阶、进入新境界。高质发展更加强劲，综合实力明显提升。坚持创新驱动，推动经济结构持续优化，发展内生动力不断增强，在发展速度和效率上走在前列。累计产业投资6000亿元，地区生产总值跨越2个千亿元台阶，工业应税销售收入、一般公共预算收入实现翻番。高端创新要素集聚能力显著增强，科技成果向生产力转化的通道更加顺畅，科技进步贡献率突破60%，产业基础高级化、产业链现代化深入推进，国家石化产业基地基本建成，“中华药港”建设取得明显成效，海洋经济做大做强，数字连云港建设实现重大突破，现代服务业加快发展，农业基础更加稳固，高质量现代产业体系更加健全，供给体系质量和效率进一步增强。县域经济赶超进位，市域内

24、部基础设施体系进一步完善，区域和城乡发展更加协调。社会民生更加优化，生活品质明显提升。实现更加充分更高质量就业，城乡居民收入和经济同步增长，城乡居民收入差距和生活水平差距持续缩小。教育、医疗、文化等公共服务投入稳步加大，普惠型、均等化的城乡基本公共服务体系基本建成。教育发展水平整体跃升，健康和经济社会良性协调发展，全民健身公共服务体系更加健全。社会保障网络体系更加完善，医疗、养老保险等覆盖范围和保障水平持续提高，低收入群体居住生活条件得到更大改善，房地产市场平稳健康发展，群众对高质量发展的获得感和满意度进一步提高。自然生态更加向好，环境质量明显提升。“两山”理论深入践行，生态文明制度健全，绿色

25、低碳生产生活方式深入人心，美丽连云港建设深入推进。生态优先、绿色发展，资源节约型、环境友好型社会建设取得扎实成效。生态环境质量明显改善，大气、水、土壤等污染得到有效治理，化工整治深入推进，生态修复全面提升，生态环境质量改善、节能减排等约束性指标完成省定任务。建设公园城市，构建美丽乡村，山海之美、生态之美、城乡之美、人文之美充分彰显。社会文明更加进步，精神文化明显提升。“中国梦”和社会主义核心价值观更加深入人心，爱国主义、集体主义、社会主义精神广为弘扬，新时代“连云港精神”凝聚力和影响力明显提升，“一群好人、满城春风”城市形象进一步彰显。文明创建纵深发展，全国文明城市、国家卫生城市创建成果巩固提

26、升，申建国家历史文化名城。文化和旅游深度融合，以文塑旅、以旅彰文的文旅产业繁荣发展。推进全民终身学习，市民思想道德、科学文化和健康素养明显提高。深化改革更加拓展，开放能级明显提升。围绕构建新发展格局推出系列改革举措，不断深化供给侧结构性改革，“放管服”改革、要素市场化配置改革、国资国企改革等取得更显著成效，在改革创新、推动高质量发展上争当表率。打造全方位、多层次、多元化的平台载体，深度融入“一带一路”建设，全面推进国家东中西区域合作示范区建设，东西双向开放不断深化，支点城市全面构建，“东方大港”地位凸显，“两基地、一班列”提档升级，自贸试验区建设取得重大阶段性成效，服务国内国际双循环的能力进一

27、步增强，高水平开放成为高质量发展的强大动能。港口吞吐量达到3亿吨，集装箱运量达到600万标箱，外贸进出口（货物贸易和服务贸易）总额达到140亿美元，累计实际利用外资50亿美元。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。（二）报告编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。（二） 报告主要内

28、容1、项目背景及市场预测分析；2、建设规模的确定；3、建设场地及建设条件；4、工程设计方案；5、节能；6、环境保护、劳动安全、卫生与消防；7、组织机构与人力资源配置；8、项目招标方案；9、投资估算和资金筹措；10、财务分析。五、 项目建设选址本期项目选址位于xx园区，占地面积约33.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx件MOSFET功率器件的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积36714.30，其中：生产工程22033.44，仓储工程6450.84，行政办公及生活服

29、务设施4259.46，公共工程3970.56。八、 环境影响本项目符合国家产业政策，符合宜规划要求，项目所在区域环境质量良好，项目在运营过程应严格遵守国家和地方的有关环保法规，采取切实可行的环境保护措施，各项污染物都能达标排放，将环境管理纳入日常生产管理渠道，项目正常运营对周围环境产生的影响较小，不会引起区域环境质量的改变，从环境影响角度考虑，本评价认为该项目建设是可行的。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资12294.06万元，其中：建设投资9406.01万元，占项目总投资的76.51%；建设期利息2

30、60.93万元，占项目总投资的2.12%；流动资金2627.12万元，占项目总投资的21.37%。（二）建设投资构成本期项目建设投资9406.01万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用7853.33万元，工程建设其他费用1323.15万元，预备费229.53万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资12294.06万元，其中申请银行长期贷款5325.29万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：28200.00万元。2、综合总成本费用（TC）：22198.08万元。3、净利润（NP）：4389.47万元

31、。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：5.42年。2、财务内部收益率：27.17%。3、财务净现值：6359.26万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积22000.00约33.

32、00亩1.1总建筑面积36714.301.2基底面积13200.001.3投资强度万元/亩268.072总投资万元12294.062.1建设投资万元9406.012.1.1工程费用万元7853.332.1.2其他费用万元1323.152.1.3预备费万元229.532.2建设期利息万元260.932.3流动资金万元2627.123资金筹措万元12294.063.1自筹资金万元6968.773.2银行贷款万元5325.294营业收入万元28200.00正常运营年份5总成本费用万元22198.086利润总额万元5852.627净利润万元4389.478所得税万元1463.159增值税万元1244.

33、1910税金及附加万元149.3011纳税总额万元2856.6412工业增加值万元9504.3013盈亏平衡点万元10846.51产值14回收期年5.4215内部收益率27.17%所得税后16财务净现值万元6359.26所得税后第三章 项目建设背景及必要性分析一、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“

34、建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近

35、几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，

36、一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中

37、部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、

38、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部

39、部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统

40、信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为Mass

41、vieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（Te

42、xasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 构建双循环战略链接打造双

43、向开放新高地发挥港口区位优势，增强精准性，注重差别化，开拓“两个市场”，用好“两种资源”，汇聚人流、物流、资金流、信息流，加快构筑功能强大、优势突出、特色鲜明的国内国际双循环战略链接，在服务全国构建新发展格局上争做示范。（一）建设“一带一路”强支点坚定不移实施以港兴市战略，紧紧围绕“一带一路”交汇点战略支点建设，打造亚欧重要的国际交通枢纽和智慧物流中心，探索建设“一带一路”综合改革开放试验区，积极参与国际产能合作，主动融入“丝路贸易”，提高对“一带一路”的战略支撑能力。1、打造新亚欧陆海联运通道标杆示范项目坚持向东开放引领向西开放，深耕日韩、东南亚等重点地区，全面深化与“一带一路”沿线国家的交

44、流合作，实现更大范围、更宽领域、更深层次的开放，打造东西双向、更富活力的开放新门户，在更高水平建设“一带一路”新亚欧陆海联运通道标杆示范项目上争做示范。2、建设亚欧重要国际交通枢纽建设国际枢纽海港。立足陆海联运、海河联运，加快完善国际性港口基础设施和集疏运体系，推动航运与铁路、公路、水路、管道、航空协同发展，“深水大港、远洋干线、中欧班列、物流场站”无缝对接，构建“大枢纽、大路网、大运输”发展格局。推进集装箱干线港建设，增加远洋干线的数量、密度，开辟至欧洲远洋干线航线，加密至日韩、东南亚近洋航线，扩大辐射范围。3、构建高质量发展的枢纽经济体系依托“一带一路”交汇点战略支点优势，加快交通枢纽转化

45、为枢纽经济，培育构建枢纽偏好产业体系，大力发展空港、海港、高铁枢纽经济区，推动枢纽经济成为更高层次开放、更高质量发展的重要支撑。依托空港枢纽，扩大机场口岸开放，完善高效集疏运体系，提升机场服务能级，建设空港产业园，加快创建省级物流园区。4、建设“一带一路”智慧物流中心推动“一带一路”智慧物流中心建设，深化与国际物流服务商合作，推动物流中转、仓储、分拨、配送、运输等综合链条有效整合，建立完善交通物流数据政企共建共享机制。5、深化“一带一路”交流合作积极参与“一带一路”国际产能合作。紧紧围绕优势产业和新兴产业，推动优势产能走出去，培育国际经济合作和竞争新优势，不断拓展产业发展空间。（二）高水平建设

46、江苏自贸试验区连云港片区聚焦江苏自贸试验区连云港片区目标定位，推进联动创新区建设，深化制度创新，集成超越，在自贸试验区建设上争做示范。1、建立与国际接轨的开放型经济体制机制围绕“亚欧重要国际交通枢纽、集聚优质要素的开放门户、一带一路沿线国家（地区）交流合作平台”的功能定位，深入推进制度型开放，建立与国际先进规则相适应的投资贸易制度创新体系，着力培育国际化、法治化、市场化营商环境，形成开放新动能。2、拓展自贸试验区制度创新领域以制度创新为核心，开展深层次探索和试验，逐步推动自贸试验区制度创新、系统集成。3、做强自贸试验区开放载体大力推进“数字自贸”，加快信息化、智能化平台建设，完善5G网络、大数据等新基建，拓展区块链、物联网等新技术应用。完善综合保税区基础设施建设，拓展加工制造、展示交易、研发检测、跨境电商进出口等功能。4、推动自贸试验区协同联动发展发挥自贸试验区示范引领作用，突出政策共享、平台共用、设施联通、联动创新、协同发展，放大溢出效益和辐射效应，带动全市共享自贸试验区改革红利。（三）深化国际经贸合作统筹高水平引进来和高水平走出去，提升出口质量，增加优质产品进口，推动规则理念、创新技术与要素配置模式融合互促，提升国际经贸合作层次和水平。1、提升利用外资质量和水平加快推动吸引外资由总量规模增长向质量、集约