遵义碳化硅衬底设备项目招商引资方案(范文).docx
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1、泓域咨询/遵义碳化硅衬底设备项目招商引资方案目录第一章 行业发展分析7一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越7二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期8第二章 项目概述11一、 项目概述11二、 项目提出的理由12三、 项目总投资及资金构成13四、 资金筹措方案13五、 项目预期经济效益规划目标14六、 项目建设进度规划14七、 环境影响14八、 报告编制依据和原则14九、 研究范围16十、 研究结论16十一、 主要经济指标一览表17主要经济指标一览表17第三章 项目背景分析19一、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒19二、 衬底为技术壁垒
2、最高环节,价值量占比46%20三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心21四、 构建全面开放新格局22五、 项目实施的必要性23第四章 项目选址方案24一、 项目选址原则24二、 建设区基本情况24三、 推动县域经济高质量发展27四、 激发全社会创新活力27五、 项目选址综合评价28第五章 产品方案与建设规划29一、 建设规模及主要建设内容29二、 产品规划方案及生产纲领29产品规划方案一览表29第六章 运营管理模式31一、 公司经营宗旨31二、 公司的目标、主要职责31三、 各部门职责及权限32四、 财务会计制度35第七章 法人治理39一、 股东权利及义务39二、 董事41三、 高
3、级管理人员44四、 监事48第八章 项目环境影响分析50一、 编制依据50二、 环境影响合理性分析51三、 建设期大气环境影响分析51四、 建设期水环境影响分析54五、 建设期固体废弃物环境影响分析55六、 建设期声环境影响分析55七、 建设期生态环境影响分析56八、 清洁生产56九、 环境管理分析58十、 环境影响结论60十一、 环境影响建议60第九章 进度计划62一、 项目进度安排62项目实施进度计划一览表62二、 项目实施保障措施63第十章 劳动安全生产64一、 编制依据64二、 防范措施65三、 预期效果评价71第十一章 原辅材料及成品分析72一、 项目建设期原辅材料供应情况72二、
4、项目运营期原辅材料供应及质量管理72第十二章 项目投资计划73一、 编制说明73二、 建设投资73建筑工程投资一览表74主要设备购置一览表75建设投资估算表76三、 建设期利息77建设期利息估算表77固定资产投资估算表78四、 流动资金79流动资金估算表80五、 项目总投资81总投资及构成一览表81六、 资金筹措与投资计划82项目投资计划与资金筹措一览表82第十三章 经济效益评价84一、 经济评价财务测算84营业收入、税金及附加和增值税估算表84综合总成本费用估算表85固定资产折旧费估算表86无形资产和其他资产摊销估算表87利润及利润分配表89二、 项目盈利能力分析89项目投资现金流量表91三
5、、 偿债能力分析92借款还本付息计划表93第十四章 招标及投资方案95一、 项目招标依据95二、 项目招标范围95三、 招标要求95四、 招标组织方式97五、 招标信息发布98第十五章 项目总结分析99第十六章 附表附录101主要经济指标一览表101建设投资估算表102建设期利息估算表103固定资产投资估算表104流动资金估算表105总投资及构成一览表106项目投资计划与资金筹措一览表107营业收入、税金及附加和增值税估算表108综合总成本费用估算表108固定资产折旧费估算表109无形资产和其他资产摊销估算表110利润及利润分配表111项目投资现金流量表112借款还本付息计划表113建筑工程投
6、资一览表114项目实施进度计划一览表115主要设备购置一览表116能耗分析一览表116本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 行业发展分析一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了
7、信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更
8、低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来
9、将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器
10、电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信
11、、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率
12、器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和
13、纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。第二章 项目概述一、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:遵义碳化硅衬底设备项目2、承办单位名称:xx集团有限公司3、项目性质:扩建4、项目建设地点:xx园区5、项目联系人:吕xx(二)主办单位基本情况公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。面对宏观经济增速放缓、结
14、构调整的新常态,公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索,提升企业综合实力,配合产业供给侧结构改革。同时,公司注重履行社会责任所带来的发展机遇,积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来,公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。经过多年的发展,公司拥有雄厚的技术实力,丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系,综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今,始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进,以技术领先求发展的方针。未来,在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时,公司以“和谐发展”为目标,践行社会责任,秉
15、承“责任、公平、开放、求实”的企业责任,服务全国。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx园区,占地面积约12.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方案为:xxx套碳化硅设备/年。二、 项目提出的理由相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优
16、势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资5905.67万元,其中:建设投资4357.82万元,占项目总投资的73.79%;建设期利息52.72万元,占项目总投资的0.89%;流动资金1495.13万元,占项目总投资的25.32%。四、 资金筹措方案(一)项目资本金筹措方案项目总投资5905.67万元,根据资金筹措方案,xx集团有限公司计划自筹资金(资本金)3753.87万元。(二)申请银行借款方案根据谨慎财务测
17、算,本期工程项目申请银行借款总额2151.80万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入(SP):12600.00万元。2、年综合总成本费用(TC):10847.99万元。3、项目达产年净利润(NP):1275.91万元。4、财务内部收益率(FIRR):13.11%。5、全部投资回收期(Pt):6.80年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):5999.28万元(产值)。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 环境影响本期项目采用国内领先技术,把可能产生污染的各环节控制在生产工艺过程中,使外排的“三
18、废”量达到最低限度,项目投产后不会给当地环境造成新污染。八、 报告编制依据和原则(一)编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划,部门与地区规划,经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等;2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等;3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料;4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等;5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定;6、相关市场调研报告等。(二)编制原则1、政策符合性原则:报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则:树立和落
19、实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础,通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划,提高资源利用率,减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链,减少生产过程的污染排放,走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子,实现可持续发展。3、工艺先进性原则:按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则,积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术,能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则:近一步提高信息化水平,切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定
20、员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则:认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点,来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求,以此来扩大市场占有率,寻求经济效益最大化,提高企业在国内外的知名度。九、 研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析,为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。十、 研究结论此项目建设条件良好,可利用当地丰富的
21、水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施,项目投资省、见效快;此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则,技术先进,成熟可靠,投产后可保证达到预定的设计目标。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积8000.00约12.00亩1.1总建筑面积13532.901.2基底面积4480.001.3投资强度万元/亩344.812总投资万元5905.672.1建设投资万元4357.822.1.1工程费用万元3752.212.1.2其他费用万元489.092.1.3预备费万元116.522.2建设期利息万元52.722.3流动资金万元1495.133资金筹措
22、万元5905.673.1自筹资金万元3753.873.2银行贷款万元2151.804营业收入万元12600.00正常运营年份5总成本费用万元10847.996利润总额万元1701.217净利润万元1275.918所得税万元425.309增值税万元423.2810税金及附加万元50.8011纳税总额万元899.3812工业增加值万元3147.5513盈亏平衡点万元5999.28产值14回收期年6.8015内部收益率13.11%所得税后16财务净现值万元540.22所得税后第三章 项目背景分析一、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括:长晶炉、切片机、研磨机
23、、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高,设备+工艺合作研发是关键。长晶炉:主要由衬底制造厂商自研开发,可基本实现国产化(与传统晶硅级长晶炉有相同性,炉子结构不是非常复杂),市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT(物理气相传输)的技术路线,温度很高,不可实施监控,难点不在设备本身,而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样,也是各家的核心机密所在,只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括:Wolfspeed,Aymont,Aixtron,LHT,中国电科二所,山东天岳,天科合达,中科院硅酸盐所,中国电科四十
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