遂宁碳化硅衬底项目商业计划书(模板).docx
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1、泓域咨询/遂宁碳化硅衬底项目商业计划书遂宁碳化硅衬底项目商业计划书xxx有限公司目录第一章 项目概况9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 建设背景、规模9四、 项目建设进度11五、 建设投资估算12六、 项目主要技术经济指标12主要经济指标一览表12七、 主要结论及建议14第二章 项目背景分析15一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心15二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越16三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临18四、 主动服务国家重大发展战略全局19五、 项目实施的必要性22第三章 建设单位基本情况24一、 公司基本信息24二、
2、公司简介24三、 公司竞争优势25四、 公司主要财务数据26公司合并资产负债表主要数据26公司合并利润表主要数据27五、 核心人员介绍27六、 经营宗旨29七、 公司发展规划29第四章 行业、市场分析35一、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期35二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%37第五章 创新发展39一、 企业技术研发分析39二、 项目技术工艺分析41三、 质量管理42四、 创新发展总结43第六章 SWOT分析45一、 优势分析(S)45二、 劣势分析(W)46三、 机会分析(O)47四、 威胁分析(T)48第七章 法人治理52一、 股东权利及义务52二、 董事
3、55三、 高级管理人员59四、 监事61第八章 运营管理63一、 公司经营宗旨63二、 公司的目标、主要职责63三、 各部门职责及权限64四、 财务会计制度68第九章 发展规划71一、 公司发展规划71二、 保障措施75第十章 产品方案分析78一、 建设规模及主要建设内容78二、 产品规划方案及生产纲领78产品规划方案一览表79第十一章 建筑物技术方案80一、 项目工程设计总体要求80二、 建设方案81三、 建筑工程建设指标82建筑工程投资一览表82第十二章 风险分析84一、 项目风险分析84二、 公司竞争劣势87第十三章 项目规划进度88一、 项目进度安排88项目实施进度计划一览表88二、
4、项目实施保障措施89第十四章 投资方案90一、 编制说明90二、 建设投资90建筑工程投资一览表91主要设备购置一览表92建设投资估算表93三、 建设期利息94建设期利息估算表94固定资产投资估算表95四、 流动资金96流动资金估算表97五、 项目总投资98总投资及构成一览表98六、 资金筹措与投资计划99项目投资计划与资金筹措一览表99第十五章 经济效益及财务分析101一、 经济评价财务测算101营业收入、税金及附加和增值税估算表101综合总成本费用估算表102固定资产折旧费估算表103无形资产和其他资产摊销估算表104利润及利润分配表106二、 项目盈利能力分析106项目投资现金流量表10
5、8三、 偿债能力分析109借款还本付息计划表110第十六章 总结112第十七章 附表附录114营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表114固定资产折旧费估算表115无形资产和其他资产摊销估算表116利润及利润分配表117项目投资现金流量表118借款还本付息计划表119建设投资估算表120建设投资估算表120建设期利息估算表121固定资产投资估算表122流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125报告说明相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳
6、化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。根据谨慎财务估算,项目总投资30110.09万元,其中:建设投资23761.86万元,占项目总投资的78.92%;建设期利息321.81万元,占项目总投资的1.07%;流动资金6026.42万元,占项目总投资的20.01%。项目正常运营每年营业收入62200.00万元,综合总成本费用50169.31万元,净利润8789.97万元,财务内部收益率21.9
7、0%,财务净现值17363.03万元,全部投资回收期5.54年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目概况一、 项目名称及项目单位项目名称:遂宁碳化硅衬底项目项目单位:xxx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准),占地面积约60.00亩。项目拟定建设区域地理
8、位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 建设背景、规模(一)项目背景经济实力实现跃升。全市地区生产总值每年跨越一个百亿台阶,年均增长8.6%,总量在全省排位上升3位。地方一般公共预算收入年均增长8.8%,2019年达69.27亿元。城乡居民可支配收入年均增长8.7%、9.5%。“5+2+1”现代产业体系加快构建,五大优势制造业集聚发展,“4+6”现代服务业体系、“10+3”现代农业产业体系加快成势,三次产业结构由2015年的16.7:55.2:28.1优化到2019年的13.8:45.7:40.5。被授予中国“锂业之都”“中国肉类罐头之都”,获
9、批陆港型国家物流枢纽、国家基础电子元器件高新技术产业化基地。协同发展全面深化。“一核三片、四区协同”发展战略纵深推进,“1+3+6+20”市域城镇发展体系逐步构建。中心城区经济发展极核能级快速提升,船山区成功创建全国休闲农业和乡村旅游示范区,安居区成功创建全国绿色发展优秀城市,遂宁经开区进入主营业务收入“千亿园区”俱乐部,市河东新区加快建设绿色宜居幸福城市典范,遂宁高新区成功创建省级高新区。三大经济片区差异发展、竞相发展,射洪县撤县设市,蓬溪县从“中国西部门都”晋升“中国门都”,大英县纳入全国县城新型城镇化建设示范名单。开放合作深入推进。提前谋划投身成渝地区双城经济圈建设,规划建设遂潼涪江创新
10、产业园区,遂潼川渝毗邻地区一体化发展强势开局,遂潼川渝毗邻地区一体化发展先行区总体方案在全省率先获批。“双联双拓、全域开放”战略深入实施,主动融入西部陆海新通道建设等国家战略,现代综合交通运输体系加快形成。对外开放合作层次和水平不断提高,累计引进亿元以上重大项目282个。2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英
11、寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%
12、。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积40000.00(折合约60.00亩),预计场区规划总建筑面积86697.00。其中:生产工程57075.20,仓储工程14196.00,行政办公及生活服务设施7571.20,公共工程7854.60。项目建成后,形成年产xxx万片碳化硅衬底的生产能力。四、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xxx有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。五、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项
13、目总投资30110.09万元,其中:建设投资23761.86万元,占项目总投资的78.92%;建设期利息321.81万元,占项目总投资的1.07%;流动资金6026.42万元,占项目总投资的20.01%。(二)建设投资构成本期项目建设投资23761.86万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用20820.35万元,工程建设其他费用2317.04万元,预备费624.47万元。六、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入62200.00万元,综合总成本费用50169.31万元,纳税总额5830.14万元,净利润8789.97万元,财务内部
14、收益率21.90%,财务净现值17363.03万元,全部投资回收期5.54年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积40000.00约60.00亩1.1总建筑面积86697.001.2基底面积26000.001.3投资强度万元/亩387.112总投资万元30110.092.1建设投资万元23761.862.1.1工程费用万元20820.352.1.2其他费用万元2317.042.1.3预备费万元624.472.2建设期利息万元321.812.3流动资金万元6026.423资金筹措万元30110.093.1自筹资金万元16974.923.2银行贷款万元1313
15、5.174营业收入万元62200.00正常运营年份5总成本费用万元50169.316利润总额万元11719.967净利润万元8789.978所得税万元2929.999增值税万元2589.4210税金及附加万元310.7311纳税总额万元5830.1412工业增加值万元19993.3813盈亏平衡点万元25235.08产值14回收期年5.5415内部收益率21.90%所得税后16财务净现值万元17363.03所得税后七、 主要结论及建议项目建设符合国家产业政策,具有前瞻性;项目产品技术及工艺成熟,达到大批量生产的条件,且项目产品性能优越,是推广型产品;项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案;
16、项目设施对环境的影响经评价分析是可行的;根据项目财务评价分析,经济效益好,在财务方面是充分可行的。第二章 项目背景分析一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行
17、业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。
18、目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体
19、材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的
20、理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/1
21、0,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功
22、率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的S
23、iC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里
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