遂宁碳化硅衬底项目招商引资方案范文参考.docx
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1、泓域咨询/遂宁碳化硅衬底项目招商引资方案遂宁碳化硅衬底项目招商引资方案xxx有限责任公司目录第一章 绪论8一、 项目名称及建设性质8二、 项目承办单位8三、 项目定位及建设理由9四、 报告编制说明10五、 项目建设选址11六、 项目生产规模11七、 建筑物建设规模12八、 环境影响12九、 项目总投资及资金构成12十、 资金筹措方案13十一、 项目预期经济效益规划目标13十二、 项目建设进度规划14主要经济指标一览表14第二章 行业、市场分析16一、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期16二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心18三、 第三代半导体之星,高压、高功率
2、应用场景下性能优越19第三章 项目背景分析22一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%22二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期23三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临24四、 积极探索融入新发展格局的战略路径26第四章 公司基本情况29一、 公司基本信息29二、 公司简介29三、 公司竞争优势30四、 公司主要财务数据32公司合并资产负债表主要数据32公司合并利润表主要数据32五、 核心人员介绍33六、 经营宗旨34七、 公司发展规划35第五章 建设规模与产品方案41一、 建设规模及主要建设内容41二、 产品规划方案及生产纲领41产品规划方案一览表41第六章 建
3、筑工程说明44一、 项目工程设计总体要求44二、 建设方案44三、 建筑工程建设指标45建筑工程投资一览表45第七章 发展规划47一、 公司发展规划47二、 保障措施53第八章 运营模式分析55一、 公司经营宗旨55二、 公司的目标、主要职责55三、 各部门职责及权限56四、 财务会计制度59第九章 SWOT分析说明63一、 优势分析(S)63二、 劣势分析(W)65三、 机会分析(O)65四、 威胁分析(T)66第十章 环保方案分析72一、 编制依据72二、 建设期大气环境影响分析72三、 建设期水环境影响分析73四、 建设期固体废弃物环境影响分析73五、 建设期声环境影响分析74六、 环境
4、管理分析74七、 结论75八、 建议76第十一章 劳动安全生产分析77一、 编制依据77二、 防范措施78三、 预期效果评价84第十二章 人力资源分析85一、 人力资源配置85劳动定员一览表85二、 员工技能培训85第十三章 技术方案分析88一、 企业技术研发分析88二、 项目技术工艺分析90三、 质量管理91四、 设备选型方案92主要设备购置一览表93第十四章 进度计划94一、 项目进度安排94项目实施进度计划一览表94二、 项目实施保障措施95第十五章 投资方案分析96一、 投资估算的编制说明96二、 建设投资估算96建设投资估算表98三、 建设期利息98建设期利息估算表99四、 流动资金
5、100流动资金估算表100五、 项目总投资101总投资及构成一览表101六、 资金筹措与投资计划102项目投资计划与资金筹措一览表103第十六章 经济收益分析105一、 经济评价财务测算105营业收入、税金及附加和增值税估算表105综合总成本费用估算表106固定资产折旧费估算表107无形资产和其他资产摊销估算表108利润及利润分配表110二、 项目盈利能力分析110项目投资现金流量表112三、 偿债能力分析113借款还本付息计划表114第十七章 项目招标方案116一、 项目招标依据116二、 项目招标范围116三、 招标要求117四、 招标组织方式117五、 招标信息发布118第十八章 项目综
6、合评价说明119第十九章 附表附件120建设投资估算表120建设期利息估算表120固定资产投资估算表121流动资金估算表122总投资及构成一览表123项目投资计划与资金筹措一览表124营业收入、税金及附加和增值税估算表125综合总成本费用估算表126固定资产折旧费估算表127无形资产和其他资产摊销估算表128利润及利润分配表128项目投资现金流量表129本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 绪论一、 项目名称及建设性质(一)项目名称遂宁碳化硅衬底项目(二)项目
7、建设性质本项目属于扩建项目二、 项目承办单位(一)项目承办单位名称xxx有限责任公司(二)项目联系人薛xx(三)项目建设单位概况公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念,将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念,不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。公司自成立以来,坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本,强调服务,一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革,实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一,质量第一,信誉第一”为原则,在产品质量上精益求精,追求完美,对客户以诚相待,互动双赢。展望未来,公司将围绕企业发展目标的实现
8、,在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下,围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑,推动体制机制改革和管理及业务模式的创新,加强团队能力建设,提升核心竞争力,努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。三、 项目定位及建设理由相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸
9、可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。四、 报告编制说明(一)报告编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。(二)报告编制原则坚持以经济效益为中心,社会效益和不境效益为重点指导思想,
10、以技术先进、经济可行为原则,立足本地、面向全国、着眼未来,实现企业高质量、可持续发展。1、优化规划方案,尽可能减少工程项目的投资额,以求得最好的经济效益。2、结合厂址和装置特点,总图布置力求做到布置紧凑,流程顺畅,操作方便,尽量减少用地。3、在工艺路线及公用工程的技术方案选择上,既要考虑先进性,又要确保技术成熟可靠,做到先进、可靠、合理、经济。4、结合当地有利条件,因地制宜,充分利用当地资源。5、根据市场预测和当地情况制定产品方向,做到产品方案合理。6、依据环保法规,做到清洁生产,工程建设实现“三同时”,将环境污染降低到最低程度。7、严格执行国家和地方劳动安全、企业卫生、消防抗震等有关法规、标
11、准和规范。做到清洁生产、安全生产、文明生产。(二) 报告主要内容按照项目建设公司的发展规划,依据有关规定,就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究,并提出研究结论。五、 项目建设选址本期项目选址位于xxx(待定),占地面积约81.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后,形成年产xxx万片碳化硅衬底的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积91579.95,其中:生产工程
12、55384.56,仓储工程20424.69,行政办公及生活服务设施8951.58,公共工程6819.12。八、 环境影响本项目符合国家和地方产业政策,建成后有较高的社会、经济效益;拟采用的各项污染防治措施合理、有效,水、气污染物、噪声均可实现达标排放,固体废物可实现零排放;项目投产后,对周边环境污染影响不明显,环境风险事故出现概率较低;环保投资可基本满足污染控制需要,能实现经济效益和社会效益的统一。因此在下一步的工程设计和建设中,如能严格落实建设单位既定的污染防治措施和各项环境保护对策建议,从环保角度分析,本项目在拟建地建设是可行的。九、 项目总投资及资金构成(一)项目总投资构成分析本期项目总
13、投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资34905.85万元,其中:建设投资26858.24万元,占项目总投资的76.94%;建设期利息328.85万元,占项目总投资的0.94%;流动资金7718.76万元,占项目总投资的22.11%。(二)建设投资构成本期项目建设投资26858.24万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用22718.90万元,工程建设其他费用3553.04万元,预备费586.30万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资34905.85万元,其中申请银行长期贷款13422.31万元,其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划
14、目标(一)经济效益目标值(正常经营年份)1、营业收入(SP):79800.00万元。2、综合总成本费用(TC):63774.32万元。3、净利润(NP):11719.44万元。(二)经济效益评价目标1、全部投资回收期(Pt):5.25年。2、财务内部收益率:25.23%。3、财务净现值:21239.34万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设,本期项目建设期限规划12个月。十四、项目综合评价本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。主要经济
15、指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积54000.00约81.00亩1.1总建筑面积91579.951.2基底面积29700.001.3投资强度万元/亩309.932总投资万元34905.852.1建设投资万元26858.242.1.1工程费用万元22718.902.1.2其他费用万元3553.042.1.3预备费万元586.302.2建设期利息万元328.852.3流动资金万元7718.763资金筹措万元34905.853.1自筹资金万元21483.543.2银行贷款万元13422.314营业收入万元79800.00正常运营年份5总成本费用万元63774.326利润总额万元15625.92
16、7净利润万元11719.448所得税万元3906.489增值税万元3331.3310税金及附加万元399.7611纳税总额万元7637.5712工业增加值万元25644.5113盈亏平衡点万元30109.98产值14回收期年5.2515内部收益率25.23%所得税后16财务净现值万元21239.34所得税后第二章 行业、市场分析一、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆
17、)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DI
18、GITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET
19、与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新
20、能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包
21、括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-Si
22、C)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上
23、。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起
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