2022年超大规模集成电路中低功耗设计与分析 .pdf
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1、摘要摘要随着 IC 设计的规模更大,速度更快,以及便携式设备的广泛需求,设计中功耗的问题越来越凸现出来, 所以在整个设计流程中就需要对功耗进行分析和低功耗设计,这些技术可以保证芯片的每一部分都能高效、可靠、正确地工作。选择合适的低功耗手段, 必须以细致的功耗预估为前提, 并且也要掌握工具的适用范围和能达到的低功耗底限。在流程中尽可能早的分析出功耗需求,可以避免和功耗相关的设计失败。 通过早期的分析, 可以使用高层次的技巧来降低大量的功耗,更容易达到功耗的要求。本论文围绕数字 CMOS 电路的功耗问题进行展开,主要分成两大部分。首先针对超大规模集成电路中的功耗分析进行探讨,介绍了在RTL 级、门
2、级不同层次上对功耗进行分析的方法和对实际设计的指导意义,并对一个450万门的超大规模芯片在各层次上进行功耗分析,并和流片后测试得到的结果有着很好的吻合。然后是对低功耗进行了一些结构上的设计。动态电压缩放(DVS)技术是一种通过将不同电路模块的工作电压调低到恰好满足系统最低要求来实时降低系统中不同电路模块功耗的方法,有着良好的应用前景。 本论文实现了一款动态电压缩放( DVS)电路,可应用于突发吞吐量工作模式的处理器,通过和一个电路实例的整体仿真,验证了该DVS 电路的低功耗效果。关键字:低功耗;功耗分析;动态电压缩放I 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - -
3、- - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页,共 49 页 - - - - - - - - - Abstract Abstract Liu Hainan (Microelectronics and Solid-State Electronics) Directed by Professor Zhou YumeiAs the design of IC go into larger and faster, the issue about power consumption is more critical. It is necessary to an
4、alysis the power accurately and manage low power techniques in every step of the design flow, so as to assure the efficient, reliable and correct function. Choosing the appropriate low power solutions depends on careful power analysis as well as understanding the capabilities of available tools. Ana
5、lyzing power requirements as early as possible in the design flow helps avoid power related disasters. Early analysis also makes power goals easier to attain because higher-level techniques save the greatest amount of power. The thesis is made up of two main parts based on the discussion of the digi
6、tal CMOS power consumption. First of all, this thesis introduces and demonstrates a top-down VLSI design methodology for power analysis, discuss the method to estimate the power on RTL and gate level, which could serve as a guide to the floorplan and place & route. And estimate the power consumption
7、 about a 4.5 million VLSI on several level, draw some conclusion from comparing the test result of the fabricated chip. In the second, completed a low power technique on the structure level. Dynamic Voltage Scaling is a technique using the lowest level voltage in real time on different block dramati
8、cally reducing energy consumption, while maintaining the desired level of performance, which has a nice prospect to realize low power. The thesis has developed a DVS circuit, which could get the corresponding lowest voltage according to the system frequency. Take a 16X16 multiplier as a test circuit
9、 to simulate together, proving the low power action of DVS. Keyword:low power, power analysis, Dynamic Voltage ScalingII 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页,共 49 页 - - - - - - - - - 目录目 录摘 要 目 录 第一章 绪论 1 1.1 前言 1 1.2 低功耗设计研究的现状 2 1.3 论文的内容与安排 3 第二章 低功耗
10、设计方法 5 2.1 功耗模型 5 2.2 低功耗设计方法 6 2.3 各个层次上的功耗预估 132.4 450 万门超大规模芯片的功耗预估 20 第三章 动态电压缩放电路 24 3.1 DVS概述 24 3.2 DVS的适用范围 28 3.3 DVS的应用 31 3.4 DVS的性能指标 32 3.5 动态 DC-DC 转换器的设计考虑 34 第四章 动态电压缩放控制电路的实现 41 4.1 DVS原理框图 41 4.2 电路的实现 43 4.3 电路的仿真与低功耗验证 53 第五章 总结 57 参考文献 58 发表文章目录 60 致 谢 61III 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载
11、 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页,共 49 页 - - - - - - - - - 第一章绪论第一章绪论一、 前言随着微电子技术的迅猛发展,最突出的表现是特征尺寸的不断缩小,集成度遵从摩尔定律不断提高。1964 年,Intel 公司创始人之一Golden Moore 便预测说集成在单个硅芯片上的晶体管数量每18 个月将会翻一番, 同时芯片成本也将相应下降,这就是著名的“摩尔定律”。集成电路芯片的功能变得更加丰富,工作速度越来越快,器件尺寸越来越小,芯片的成本越来越低。当前系统芯片(SOC)成为微电子发
12、展的必然趋势。基于SOC的芯片设计是将更大,更复杂的系统集成于单个芯片。单个芯片内可能集成通用微处理器核 (MCU Core)、数字信号处理器核 (DSP Core)、存储器核(Memory Core)、专用电路 (ASIC)等1。系统功能的多样性和复杂性一方面增加了芯片功耗,对低功耗设计和精确预估功耗提出了挑战;另一方面也提供了更多降低功耗的机会。与此同时,器件越做越小,工作频率越来越高,使芯片单位面积的计算负荷迅速上升,导致高性能芯片的功耗越来越大。尤其是在进入90nm后,芯片频率可能高达3GHz,其巨大的发热现象极大地影响了芯片功能的实现,已经被业界称为发热壁垒。功耗的迅速增加将会引起一
13、系列的问题,比如芯片的散热措施也需要不断更新,从改变封装形式到添加散热装置,明显地增加了芯片的成本。最新的苹果 Mac5 处理器,已经开始采用水冷散热的措施。在半导体工艺不断进步的同时,以电池为供电形式的手持设备和笔记本电脑等便携式电子产品迅速普及开来,系统的功耗已经成为这些系统设计首要考虑的因素。 尽管电池技术一直在提高, 但与半导体和通信产业的飞速发展相比,它的供电能力和重量一直是便携设备的瓶颈。在过去的 30 年中,电池的容量仅增加了 24倍2,不可能跟上集成电路发展的要求。低功耗设计对于确保合理的电池工作时间是具有决定意义的,所以说,各种便携式通信及其它消费电子产品的快速发展,是要求低
14、功耗设计的一个直接推动因素。 1 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页,共 49 页 - - - - - - - - - 超大规模集成电路低功耗设计与分析另一个与功耗有关的问题是可靠性。功耗增加会引起芯片温度的升高,将引发一系列的故障机制,如硅片连线故障、封装故障、电学参数漂移、电迁移等等,都会导致器件可靠性下降。温度每升高10,器件的故障率就要提高2倍3。高速数字电路中的地线反弹(Ground Bounce)现象也要求对功耗进行细致的分析,尤其是对瞬态的功耗分析有
15、更为迫切的要求。随着数字电路工作频率的不断提高,其输出跳变速率也不断上升,再加上I/O 数目的增加,在接电源、地引脚上的电流变化率也会大大上升,而使芯片内部电源、地线的电压有一个较大的变化,会损害信号的完整性,这就需要功耗完整性(Power Integrality)方面的考虑。 PI 是不能够避免的,但可以从各个方面着手降低这方面的影响,比如封装形式、容性负载,电路板级优化等。如果能够降低芯片的功耗,就会使电流的绝对数值减小,对降低地线反弹会有直接的改善。基于以上原因低功耗设计越来越引起人们的关注,已经继速度、 面积之后,和可测性一起成为现在VLSI 设计中的又一个热门领域。二、 低功耗设计研
16、究的现状低功耗电路设计就是在电路设计过程中采用各种设计手段,降低电路的功耗,当然所采用手段不能明显降低电路的时序性能,电路应该是一个合理的速度、面积、功耗和可测性的折衷。根据低功耗措施介入电路设计阶段的不同,低功耗设计方法可以分为多个层次,按照抽象层次的不同,可以分为:系统级、算法级、结构级、逻辑门级、电路级、版图级和工艺级。每个级别可以达到的低功耗设计效果也完全不同。抽象层次越高表明在数字系统的设计中进行低功耗考虑得越早,所采用的低功耗设计策略的效果就会越明显。系统级低功耗设计主要考虑软硬件分工、动态电压管理等方面,它研究的重点是数字系统如何操作和控制各个芯片的工作,达到降低功耗的目的。算法
17、级的低功耗设计研究主要在算法的复杂性、规整性和所需的数据精度几个方面。2 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页,共 49 页 - - - - - - - - - 第一章绪论结构级可以使用包括并行化处理、 流水线处理和分布处理在内的并发处理,以及门控时钟、操作数隔离和电源管理的方法降低功耗。逻辑门级低功耗设计的主要手段有:工艺映射、改变晶体管尺寸、缓冲器插入、调整相位、管脚置换和因式化简等。电路级主要利用动态逻辑、 传输门逻辑、 异步逻辑等电路结构来降低功耗。在版图级
18、阶段,设计者可以考虑互连线电容的降低和以功耗驱动的自动布局布线来降低功耗。工艺级是可以进行低功耗考虑的最低层次,也就是在具体电路实现采用某些措施来降低电路的功耗,在这个层次主要可以考虑:逻辑类型的选择、优化工艺降低电容、电压缩小(voltage scaling)等方面。这里的电压缩小是指在具体电路实现时通过降低电路的供电电压来达到降低功耗的目的,是系统级的动态电压管理的具体实现。抽象层次的合并与细化会产生其他不同的分类方法,但这些技术的基本思想都是为了降低电源电压、电压摆幅、电容、开关活动率中的一项或几项。国外很多大学和公司都开展了数字电路的低功耗研究,在各个层次上都进行了很深入的研究,并取得
19、了很显著的成果。我国在集成电路的低功耗研究的各个层次上也都有所开展,主要集中在各高校和研究所。三、 论文的内容与安排本论文围绕数字 CMOS 电路的功耗问题进行展开,主要分成两大部分。首先针对超大规模集成电路中的功耗分析进行探讨,介绍了在 RTL 级、门级不同层次上对功耗进行分析的方法和对实际设计的指导意义,并对一个450万门的超大规模芯片在各层次上进行功耗分析,根据流片后测试得到的结果,得到一个相互对照的结论。然后是对低功耗进行了一些结构上的设计,实现了一款动态电压缩放( DVS)电路,适用于突发模式的处理器,并和一个电路实例一起进行仿真,验证了该DVS 电路的低功耗效果。研究重点及章节安排
20、如下: 3 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页,共 49 页 - - - - - - - - - 超大规模集成电路低功耗设计与分析第二章首先对数字CMOS 电路的功耗建模进行介绍, 然后介绍了在不同层次上的低功耗技术,最后是对低功耗ASIC 流程中的功耗预估进行着重讨论。第三章是针对动态电压缩放电路而展开的,介绍了动态电压缩放的概念、 指标、适用范围和一些设计上的考虑,以及现阶段动态电压缩放的应用和开发状况。第四章是动态电压缩放控制电路的实现,包括各部分电路的实现
21、、仿真结果低功耗验证与分析。第五章是对全文的总结。4 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 7 页,共 49 页 - - - - - - - - - 第二章低功耗设计方法与分析第二章低功耗设计方法本章对数字 CMOS 电路进行了功耗建模, 系统地介绍了在各个层次上的低功耗技术,并对低功耗ASIC 流程中的功耗预估进行重点讨论。第一节 功耗模型CMOS 电路的功耗可以分为两部分:广义地被分成静态和动态两大类。一、静态功耗静态功耗是由于 MOS 晶体管的开关特性并不是理想的,存
22、在漏电流、亚阈值电流、衬底注入电流等非理想的因素,在门不翻转时,即不活动或静态时所消耗的功耗。绝大部分静态功耗是由漏源亚阈值漏电产生,主要由于减小阈值电压而不能使晶体管完全截止。有源区和衬底间的漏电也能产生漏电流。因此,静态功耗也常称为漏功耗。二、动态功耗动态功耗是指消耗在电路动作时的功耗,动态功耗是由于 CMOS 电路的开关动作所引起的。当外加激励加在电路上,使节点上电压变化时,电路便处于活动状态。因为在输入端的电平变化可能不能导致在输出端的逻辑变化,所以在输出端即使不发生逻辑变化时也可以发生动态的功率消耗。动态功耗由两方面组成:开关转换功耗和内部功耗。1. 开关转换功耗开关转换功耗:对于驱
23、动单元的开关转换功耗是指消耗在对单元的输出负载电容进行充放电的消耗,这些电容是由连线、器件的寄生电容、CMOS 的输入电容等构成,驱动单元的总负载电容是指驱动的输出端所有的节点和门电容的总和。因为充电和放电是单元输出端的逻辑转换的结果,所以当逻辑转换增加时,功耗也相应增加。因此,单元的开关转换功耗是总负载电容和逻辑转换率的函数。开关转换功耗构成了CMOS 电路功耗的大部分组成。 5 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 8 页,共 49 页 - - - - - - - -
24、- 超大规模集成电路低功耗设计与分析fCVPdddyn2=其中为负载电容,是工作电压, f 为电路工作频率,CddV是开关活动率。在所有的功耗中,充放电功耗是最重要的部分,至少占了整个功耗的90%以上3。而相当多的低功耗设计技术正是围绕减少充放电功耗展开的。2. 内部功耗内部功耗:内部功耗是指在开关转换过程中消耗在单元内部的功耗。在开关过程中,通过对单元内部的电容充放电而消耗的功耗。内部功耗还包括对于p 管和 n 管在瞬间短路时所消耗的功耗,也称为短路功耗。fWPsc=其中时由工艺和电压决定的,W是晶体管的宽度, 是输入信号上升 /下降的时间,是开关频率。f对于转换时间较短的电路,短路功耗很小
25、,但对于转换较慢的电路,短路功耗对于一个门的消耗的50%还要多4。短路功耗还受到晶体管的尺寸和负载电容的影响。第二节低功耗设计方法人们一直以来主要关注的问题是如何提高芯片的工作速度、节省硅片面积与成本以及提高系统工作的可靠性,而对电路功耗的考虑通常处于相对次要的位置。但是由于VLSI 本身的发展及市场需求使情况发生了一些根本的变化,在很多领域,降低功耗已成为数字系统设计的一个最为重要的问题。低功耗设计贯穿于从系统级、算法(行为)级、结构级、逻辑电路级直到器件/工艺级的整个数字系统设计流程。在低功耗设计中,首先要明确一个系统中的功耗分布,在此基础上针对功耗消耗大的模块单元、关键路径和非关键路径进
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