鄂州碳化硅衬底设备项目商业计划书_范文参考.docx
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1、泓域咨询/鄂州碳化硅衬底设备项目商业计划书鄂州碳化硅衬底设备项目商业计划书xx(集团)有限公司目录第一章 项目概况9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 建设背景、规模9四、 项目建设进度10五、 建设投资估算10六、 项目主要技术经济指标11主要经济指标一览表11七、 主要结论及建议13第二章 市场分析14一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%14二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越15第三章 项目建设背景及必要性分析17一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临17二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期18三、 全面深化改革,激发高
2、质量发展新动能20四、 推进区域协调发展,打造武汉城市圈同城化核心区21五、 项目实施的必要性24第四章 公司基本情况25一、 公司基本信息25二、 公司简介25三、 公司竞争优势26四、 公司主要财务数据28公司合并资产负债表主要数据28公司合并利润表主要数据28五、 核心人员介绍29六、 经营宗旨30七、 公司发展规划31第五章 法人治理36一、 股东权利及义务36二、 董事43三、 高级管理人员48四、 监事51第六章 发展规划分析54一、 公司发展规划54二、 保障措施58第七章 SWOT分析61一、 优势分析(S)61二、 劣势分析(W)63三、 机会分析(O)63四、 威胁分析(T
3、)64第八章 运营模式分析68一、 公司经营宗旨68二、 公司的目标、主要职责68三、 各部门职责及权限69四、 财务会计制度73第九章 创新驱动76一、 企业技术研发分析76二、 项目技术工艺分析78三、 质量管理80四、 创新发展总结81第十章 项目风险防范分析82一、 项目风险分析82二、 公司竞争劣势85第十一章 建筑工程说明86一、 项目工程设计总体要求86二、 建设方案86三、 建筑工程建设指标89建筑工程投资一览表90第十二章 进度计划92一、 项目进度安排92项目实施进度计划一览表92二、 项目实施保障措施93第十三章 建设规模与产品方案94一、 建设规模及主要建设内容94二、
4、 产品规划方案及生产纲领94产品规划方案一览表94第十四章 投资方案96一、 编制说明96二、 建设投资96建筑工程投资一览表97主要设备购置一览表98建设投资估算表99三、 建设期利息100建设期利息估算表100固定资产投资估算表101四、 流动资金102流动资金估算表103五、 项目总投资104总投资及构成一览表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表105第十五章 项目经济效益评价107一、 基本假设及基础参数选取107二、 经济评价财务测算107营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表109利润及利润分配表111三、 项目盈利能力分析112项
5、目投资现金流量表113四、 财务生存能力分析115五、 偿债能力分析115借款还本付息计划表116六、 经济评价结论117第十六章 总结说明118第十七章 附表120营业收入、税金及附加和增值税估算表120综合总成本费用估算表120固定资产折旧费估算表121无形资产和其他资产摊销估算表122利润及利润分配表123项目投资现金流量表124借款还本付息计划表125建设投资估算表126建设投资估算表126建设期利息估算表127固定资产投资估算表128流动资金估算表129总投资及构成一览表130项目投资计划与资金筹措一览表131报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资40426.75万元,其中:建设投资3
6、2011.44万元,占项目总投资的79.18%;建设期利息319.25万元,占项目总投资的0.79%;流动资金8096.06万元,占项目总投资的20.03%。项目正常运营每年营业收入70300.00万元,综合总成本费用60122.33万元,净利润7401.88万元,财务内部收益率10.21%,财务净现值-2985.36万元,全部投资回收期7.24年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基
7、础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分
8、析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目概况一、 项目名称及项目单位项目名称:鄂州碳化硅衬底设备项目项目单位:xx(集团)有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约91.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 建设背景、规模(一)项目背景展望2035年,我市基本实现社会主义现代化,经济实力、科技实力、综合实力迈上新台阶,人均生产总值力争达到发达经济体水平,航空城、科学城、生态城全面建成,新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化水平处于全省前列;整体
9、智治体系科学完善,法治鄂州、法治政府、法治社会基本建成;城市对高素质人才的吸引力进一步增强,居民素质和社会文明程度显著提升;公共文化服务水平大幅提高,现代化公共服务体系基本建成;绿色生产生活方式广泛形成,建成江南美丽田园城市;中等收入群体显著扩大,城乡居民生活水平差距显著缩小,人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的
10、浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积60667.00(折合约91.00亩),预计场区规划总建筑面积97253.54。其中:生产工程64771.99,仓储工程18061.41,行政办公及生活服务设施9348.20,公共工程5071.94。项目建成后,形成年产xx套碳化硅设备的生产能力。四、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xx(集团)有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。五、 建设投
11、资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资40426.75万元,其中:建设投资32011.44万元,占项目总投资的79.18%;建设期利息319.25万元,占项目总投资的0.79%;流动资金8096.06万元,占项目总投资的20.03%。(二)建设投资构成本期项目建设投资32011.44万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用26863.97万元,工程建设其他费用4113.34万元,预备费1034.13万元。六、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入70300.00万
12、元,综合总成本费用60122.33万元,纳税总额5346.56万元,净利润7401.88万元,财务内部收益率10.21%,财务净现值-2985.36万元,全部投资回收期7.24年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积60667.00约91.00亩1.1总建筑面积97253.541.2基底面积35793.531.3投资强度万元/亩330.702总投资万元40426.752.1建设投资万元32011.442.1.1工程费用万元26863.972.1.2其他费用万元4113.342.1.3预备费万元1034.132.2建设期利息万元319.252.3流动资金万元
13、8096.063资金筹措万元40426.753.1自筹资金万元27396.253.2银行贷款万元13030.504营业收入万元70300.00正常运营年份5总成本费用万元60122.336利润总额万元9869.187净利润万元7401.888所得税万元2467.309增值税万元2570.7710税金及附加万元308.4911纳税总额万元5346.5612工业增加值万元19242.9913盈亏平衡点万元35305.88产值14回收期年7.2415内部收益率10.21%所得税后16财务净现值万元-2985.36所得税后七、 主要结论及建议此项目建设条件良好,可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产
14、、生活辅助设施,项目投资省、见效快;此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则,技术先进,成熟可靠,投产后可保证达到预定的设计目标。第二章 市场分析一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域
15、。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设
16、。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频
17、器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高
18、温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。第三章 项目建设背景及必要性分析一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2
19、026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据
20、英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3
21、成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)
22、占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替
23、代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、
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