模拟电子技术课件chapt03.ppt
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1、3.2RC电路的频率响应,第3章 放大电路的频率响应,3.5 放大电路的增益带宽积,小 结,3.1概述,3.3晶体管的高频等效模型,3.4共射放大电路的频率响应,第三章放大电路的频率响应,1.幅频特性和相频特性,Au( f ) 幅频特性,( f ) 相频特性,0.707Aum,f L 下限截止频率,f H 上限截止频率,2. 频带宽度(带宽)fBW(Band Width),fBW = f H - f L f H,3.1 概述,3.1概述,3.2.1 RC 低通电路的频率响应,3.2 RC 电路的频率响应,1. 频率特性的描述,令 1/RC = H, =RC,则 fH = 1/2RC,3.2.1
2、RC低通电路的频率响应(1),滞后,幅频特性,相频特性,3.2.1RC低通电路的频率响应(2),滞后,2. 频率特性的波特图,3.2.1RC低通电路的频率响应(3),2. 频率特性的波特图,频率特性,波特图, 3 dB, 20 dB/十倍频, 45/十倍频,波特图的优点:能够扩大频率的表达范围,并使作图方法得到简化,3.2.1RC低通电路的频率响应(4),3.2.2 RC 高通电路的频率响应,令 1/RC = L,则 fL = 1/2RC,超前,3.2.2RC高通电路的频率响应(1),例 :,求已知一阶低通电路的上限截止频率。,0.01 F,1 k,1 k,1/1 k,0.01 F,例 :,已
3、知一阶高通电路的 fL = 300 Hz,求电容 C。,500 ,C,2 k,戴维南定理等效,3.2.1RC高通电路的频率响应(2),3.3.1晶体管的混合模型(1),3.3 晶体管的高频等效模型,3.3.1 晶体管的混合 型的建立,在低频和中频情况下,信号频率较低,晶体管的PN结极间电容的容抗很大,而结电容很小,两者并联时,可以忽略极间电容的作用;而在高频情况下,晶体管的极间电容的容抗变小,与其结电阻相比,影响就不能被忽略了。,PN结结电容的影响:, 的影响:,因 值随频率升高而降低,结论:高频下不能采用 H 参数等效电路,3.3.1晶体管的混合模型(2),晶体管结构示意图,混合 型的建立,
4、Cbe :不恒定, 与工作状态有关,简化的结构示意图,3.3.1晶体管的混合模型(3),3.3.1晶体管的混合模型(4),晶体管的混合模型,Cbc=C, Cbe=C,3.3.1晶体管的混合模型(5),晶体管的混合模型,3.3.2 简化混合模型,rceRL rbcC的容抗 将C单向化: C及C、 C中的电流相同,3.3.3 混合 模型的主要参数,低频等效电路,混合 模型主要参数的计算依据:混合 模型与h参数模型在低频时是等效的。,3.3.3混合模型的主要参数(1),混合 模型的主要参数:,3.3.3混合模型的主要参数(2),3.4 共射放大电路的频率响应,基本共射放大电路,为了分析简化,这里只分
5、析后一级放大电路,即在考虑耦合电容时,只考虑C的影响,信号源与放大电路为直接耦合。,3.4共射放大电路的频率响应(1),1. 全频段小信号模型,全频段交流等效电路,3.4共射放大电路的频率响应(2),2. 中频段电压放大倍数,中频段,C可视为短路,极间电容可视为开路。,3.4共射放大电路的频率响应(3),3. 高频电压放大倍数,C 视为短路, 仅考虑C的影响,3.4共射放大电路的频率响应(4),3.4共射放大电路的频率响应(5),4. 低频段电压放大倍数,低频段:极间电容视为开路,耦合电容 C 与电路中电阻串联容抗不能忽略,3.4共射放大电路的频率响应(6),3.4共射放大电路的频率响应(7)
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