《电力电子技术及试卷》5页.doc

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1、如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流电力电子技术及试卷【精品文档】第 5 页红河学院2016-2017学年秋季学期电力电子技术课程期中考试试卷卷别： 考试单位：工学院 考试日期： 年 月 日题 号一二三四五六总分得 分得 分评卷人一、填空题(每小题2分，共30分)1、电力电子技术的诞生是以1957年美国通用公司研制出第一个 标志的。2、电力电子器件一般总是工作在 ，以减小本身的损耗，提高效率。3、全控型器件电路的主要控制方式为 。4、电力电子器件的损耗包括 、 和 。5、晶闸管的开通是靠在其双晶体管模型中形成强烈的 ，使两个晶体管进入完全饱和状态，从而使晶闸管导通。6、IGBT内部寄生着一

2、个晶闸管，可能引发IGBT的栅极对集电极电流失去控制作用，导致集电极电流增大，造成器件功耗过高而损坏，这种现象称为 。7、电力电子器件的驱动电路采用的隔离技术有 和 。8、晶闸管的缓冲电路一般采用 。9、可控整流电路采用的控制方式是 。10、单相桥式全控整流电路，带直流电动机负载工作时，会出现电流断续情况，将导致电动机的机械特性变软，为了克服这个缺点，一般在主电路中直流输出侧串联一个 。11、单相桥式半控整流电路，如果输出端不并联续流二极管，会出现 。12、可控整流电路中，交流侧n次谐波电流的有效值比基波电流的有效值等于 。得 分评卷人二、选择题(每小题2分，共18分)1、下列器件中，（ ）属

3、于半控型器件。A、SR；B、SCR；C、GTO；D、MOSFET2、IGBT是一种由（ ）组成的复合型器件；A、SCR和BJT；B、SCR和MOSFET；C、GTO和MOSFET；D、MOSFET和BJT；3、若晶闸管电流有效值是157A，且其阳极和阴极间电压为60sint V，则其额定电流和额定电压分别为（ ）。A、100A，60V；B、157A，60V；C、100A，30V；D、157A，30V；4、单相桥式全控整流电路，带阻感负载工作时，当=30时，晶闸管的导通角为（ ）。A、60；B、120；C、150；D、180；5、单相桥式全控整流电路，带阻感负载工作时，的移相范围是（ ）。A、0

4、90；B、0120；C、0150；D、0180；6、三相半波可控整流电路中，为了避免3次谐波流入电网且获得零线，变压器的接法为（ ）。A、-；B、-；C、-；D、-；7、三相半波可控整流电路带电阻性负载工作时，晶闸管承受的最高正向电压和最高反向电压为（ ）。A、均为；B、 ；C、均为；D、；8、三相半波可控整流电路带阻感性负载工作时，输出电压的平均值为（ ）。A、；B、；C、；D、9、三相桥式可控整流电路工作在有源逆变状态时，逆变角的范围是（ ）。A、090；B、0120；C、0150；D、0180得 分评卷人三、判断题(每小题1分，共9分)1、电力电子技术可以看成是弱电控制强电的技术，是弱电

5、控制强电的接口。（ ）2、MOSFET是一种电流控制型器件。（ ）3、电力晶体管的集电极电压升高到某一数值时，会出现雪崩击穿现象，这会使管子永久损坏。（ ）4、智能功率模块IPM一般指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的封装集成，也称智能IGBT。（ ）5、电力电子器件的保护包括：过压保护、过流保护。（ ）6、晶闸管的串联是为了提高总体的耐压能力，而并联则是为承担较大的电流。（ ）7、单相半波可控整流电路结构简单，输出电压脉动大，不存在变压器铁心直流磁化问题。（ ）8、一般情况下，整流电路带阻感性负载时晶闸管的导通角比带电阻性负载时大，所以整流电路输出电压平均值也增大了。（ ）9、m脉波整

6、流电路变压器二次侧电流所含谐波次数为mk次，而输出直流电压和电流所含谐波次数为mk1次。（ ）得 分评卷人四、计算题(10分)单相桥式全控整流电路，带反电势阻感负载，R=1，L=，E=40V，当=60时求、与的值。得 分评卷人五、作图计算题(23分)三相桥式全控整流电路，带阻感性负载，R=10，L=，要求：（1）请作出=0、30、60、90时整流电路输出电压的波形，并作出=30时流过晶闸管VT1的电流波形和变压器二次侧a相电流的波形。（2）计算=30时、和（3）=30时，求晶闸管的额定电压和额定电流；（4）计算此电路在=0时的功率因素；得 分评卷人六、简答题(10分)1、可控整流电路产生逆变的条件是什么？为了防止逆变失败，最小逆变角应限制在什么范围？（5分）2、晶闸管在使用的过程中需要考虑哪些保护措施，晶闸管的触发信号有哪些？（5分）