最新场效应管的应用和分类精品课件.ppt
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1、场效应管的应用和分类场效应管的应用和分类3.1 场效应管场效应管 场效应管按结构分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类。 3.1.1结型场效应管结型场效应管 1. 结型场效应管的结构及工作原理结型场效应管的结构及工作原理 1) 基本结构及符号 如图3.1(a)所示, 在一块N型硅半导体两侧制作两个P型区域, 形成两个PN结, 把两个P型区相连后引出一个电极, 称为栅极, 用字母G(或g)表示。 3.1.2绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管 1. 增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理 1) 结构及符号 2) 工作原理 图 3.5增强型MOS管结构及符号图 (a)
2、 N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号sgdNNP型硅衬底衬底引线gdsgds(a)(b)(c)SiO2gdNNP型硅衬底sUGGUDDiD 图 3.6 N沟道增强型MOS管工作原理 3) 特性曲线 (1) N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线如图3.7(a)所示。 在uGSUGS(th)时, iD与uGS的关系可用下式表示: 2)() 1(UuIithGSGSDOD(3. 4) 其中ID0是uGS=2UGS(th)时的iD值。 (2) N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 如图3.7(b)所示。 4321iD / mA02468uGS / VuDS10 VUGS(
3、th)3 V012345iD / mA6 V5 V4 V3 V24681012141618uDS / V(a)(b) 图3.7N沟道增强型场效应管特性曲线 (a) 转移特性; (b) 输出特性 2. 耗尽型绝缘栅场效应管的结构及工作原理耗尽型绝缘栅场效应管的结构及工作原理 图3.8为N沟道耗尽型场效应管的结构图。 其结构与增强型场效应管的结构相似, 不同的是这种管子在制造时, 就在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子。 sgdNNP型硅衬底衬底引线gdsgds(a)(b)(c) 图3.8耗尽型MOS管结构及符号图(a) N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号 图3.9N沟道耗尽
4、型场效应管特性曲线 (a) 转移特性; (b) 输出特性 5 4321024681012uDS= 常数uGS / ViD / mAUGS(off)IDSS02468101214162 V1 V3 VuGS= 2 V1 V24681012uDS/V(a)(b)iD / mA0 V在uGS UGS(off)时, iD与uGS的关系可用下式表示: 2)()1 (UuIioffGSGSDSSD(3. 5) 3.1.3场效应管的主要参数及使用注意事项 1 主要参数 1) 夹断电压UGS(off)或开启电压UGS(th) 2) 饱和漏极电流IDSS 3) 漏源击穿电压U(BR)DS 4) 栅源击穿电压U(
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