最新半导体器件习题课ppt课件.ppt

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1、进入夏天，少不了一个热字当头，电扇空调陆续登场，每逢此时，总会进入夏天，少不了一个热字当头，电扇空调陆续登场，每逢此时，总会想起那一把蒲扇。蒲扇，是记忆中的农村，夏季经常用的一件物品。记想起那一把蒲扇。蒲扇，是记忆中的农村，夏季经常用的一件物品。记忆中的故乡，每逢进入夏天，集市上最常见的便是蒲扇、凉席，不论男女老忆中的故乡，每逢进入夏天，集市上最常见的便是蒲扇、凉席，不论男女老少，个个手持一把，忽闪忽闪个不停，嘴里叨叨着少，个个手持一把，忽闪忽闪个不停，嘴里叨叨着“怎么这么热怎么这么热”，于是三，于是三五成群，聚在大树下，或站着，或随即坐在石头上，手持那把扇子，边唠嗑五成群，聚在大树下，或站着

2、，或随即坐在石头上，手持那把扇子，边唠嗑边乘凉。孩子们却在周围跑跑跳跳，热得满头大汗，不时听到边乘凉。孩子们却在周围跑跑跳跳，热得满头大汗，不时听到“强子，别跑强子，别跑了，快来我给你扇扇了，快来我给你扇扇”。孩子们才不听这一套，跑个没完，直到累气喘吁吁，。孩子们才不听这一套，跑个没完，直到累气喘吁吁，这才一跑一踮地围过了，这时母亲总是，好似生气的样子，边扇边训，这才一跑一踮地围过了，这时母亲总是，好似生气的样子，边扇边训，“你你看热的，跑什么？看热的，跑什么？”此时这把蒲扇，是那么凉快，那么的温馨幸福，有母亲此时这把蒲扇，是那么凉快，那么的温馨幸福，有母亲的味道！蒲扇是中国传统工艺品，在我国

3、已有三千年多年的历史。取材的味道！蒲扇是中国传统工艺品，在我国已有三千年多年的历史。取材于棕榈树，制作简单，方便携带，且蒲扇的表面光滑，因而，古人常会在上于棕榈树，制作简单，方便携带，且蒲扇的表面光滑，因而，古人常会在上面作画。古有棕扇、葵扇、蒲扇、蕉扇诸名，实即今日的蒲扇，江浙称之为面作画。古有棕扇、葵扇、蒲扇、蕉扇诸名，实即今日的蒲扇，江浙称之为芭蕉扇。六七十年代，人们最常用的就是这种，似圆非圆，轻巧又便宜的蒲芭蕉扇。六七十年代，人们最常用的就是这种，似圆非圆，轻巧又便宜的蒲扇。蒲扇流传至今，我的记忆中，它跨越了半个世纪，也走过了我们的扇。蒲扇流传至今，我的记忆中，它跨越了半个世纪，也走过

4、了我们的半个人生的轨迹，携带着特有的念想，一年年，一天天，流向长长的时间隧半个人生的轨迹，携带着特有的念想，一年年，一天天，流向长长的时间隧道，袅道，袅3月月14日作业日作业l1、讨论影响共射极电流增益的因素；l2、比较多晶硅发射极晶体管与扩散晶体管的优越性。2、比较多晶硅发射极晶体管与扩散晶体管、比较多晶硅发射极晶体管与扩散晶体管 的优越性的优越性l其他优点：l一、采用多晶硅作发射极，离子注入惨杂形成发射区时，粒子打在多晶硅上，避免了硅表面损伤和缺陷的残生，实现了完美注入l二、多晶硅形成良好浅结的同时还形成了欧姆接触和发射极引线第十章作业第十章作业l10.1均匀掺杂的n+p+n型双极晶体管，

5、处于热平衡状态。（a）画出其能带图，（b）画出器件中的电场，（c）晶体管处于正向有源区时，重复（a）和（b）。第十章作业第十章作业l10.5（a）一个双极晶体管工作于正向有源区，基极电流iB=6.0A，集电极电流iC=6.0A。计算，和iE。对于iB=50A，iC=2.65mA，重复（a）。10. 5第十章作业第十章作业l10.8一个均匀掺杂的npn型硅双极晶体管工作于正向有源区，B-C结加反偏电压3V。基区宽度为1.10m。晶体管的掺杂浓度为NE=1017cm-3，NB=1016cm-3，NC=1015cm-3。（a）T=300K时，B-E结电压为何值时，x=0处的少子浓度是多子浓度的10%

6、？（b）在该偏置下，确定x=0出的少子浓度。（c）计算中性区宽度。复习复习-PN结结lPN结是将同种半导体材料的N型和P型两部分紧密结合在一起，在交界处形成一个结，即称为PN结，为实现“紧密接触”一般采用合金法、扩散法、外延生长法和离子注入法l结的两边载流子相差悬殊会发生扩散，形成一个N区为正，P区为负的电偶极层，产生又N区指向P区的自建电场，此电场的作用是阻止载流子进一步相互扩散。复习复习-PN结结l所产生的电势差称为自建电势差，其作用是对载流子的扩散运动形成势垒，使载流子通过结的净流动为零，达到平衡。这个势垒的存在使整个结构在结区形成能带弯曲，其弯曲高度称为势垒高度，它恰恰补偿了原来两边半

7、导体中费米能级的高度差，使两边达到等高的同意费米能级。l势垒高度02lnNPDDFFiN NAqVEEk Tn复习复习-PN结结lPN结总电流（肖克莱方程） l肖克莱方程是在理想PN结条件下导出的，它只是揭示了PN结导电性质的基本原理。但实际的PN结与它有差异，主要是因为没有考虑以下效应（1）表面效应（2）势垒区中的载流子产生和复合（3）大注入效应（4）串联电阻效应0001qVnppnk TnpD nD pJqeLL复习复习-PN结结复习复习-PN结结复习复习-PN结结复习复习-PN结结复习复习-PN结结复习复习-PN结结复习复习-PN结结复习复习-PN结结第十章作业第十章作业l10.8一个均

8、匀掺杂的npn型硅双极晶体管工作于正向有源区，B-C结加反偏电压3V。基区宽度为1.10m。晶体管的掺杂浓度为NE=1017cm-3，NB=1016cm-3，NC=1015cm-3。（a）T=300K时，B-E结电压为何值时，x=0处的少子浓度是多子浓度的10%？（b）在该偏置下，确定x=0出的少子浓度。（c）计算中性区宽度。10. 810. 810. 810. 810. 810. 8复习复习-肖克莱方程肖克莱方程复习复习-肖克莱方程肖克莱方程第十章作业第十章作业l10.34一个均匀掺杂的pnp型硅双极晶体管，其参数为NE=1018cm-3，NB=1016cm-3，NC=1015cm-3。T=

9、300K。冶金结基区宽度为1.2 m。DB=10cm2/s，B0=510-7s。假设基区中的少子空穴按线性分布。VEB=0.625V。（a）计算VBC=5V， VBC=10V ， VBC=15V三种情况下基区中的空穴扩散电流密度。（b）估计厄尔利电压。10. 3410. 34(8.110)(P214例例8.7)10. 3410. 3410. 3410. 3410. 34l1. 某一晶体管，它的基区掺杂浓度从pp(0)=21017/cm3 到pp(WB)=21014/cm3线性变化，其中，WB=0.4ml(1)计算x=WB/2处，由于载流子浓度梯度产生的电场强度。l(2)计算这种结构的基区Gummel数。l2. 下图给出基极某偏置条件下Si-npn晶体管基区电子密度分布图l(1)计算在VBE=0.5V时，基区电子密度梯度dnB/dx;l(2)计算集电极电流IC;l(3)在发射区靠近发射结处，空穴电流密度为2.410-4A/cm2，计算值。0XB=1 mnB(x)nB(0)NB=1017/cm3AE=10-4cm2DnB=18cm2/s44 结束语结束语