电流镜负载的差分放大器设计.doc

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1、如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流电流镜负载的差分放大器设计【精品文档】第 13 页电流镜负载的差分放大器设计摘 要在对单极放大器与差动放大器的电路中，电流源起一个大电阻的作用，但不消耗过多的电压余度。而且，工作在饱和区的MOS器件可以当作一个电流源。在模拟电路中，电流源的设计是基于对基准电流的“复制”，前提是已经存在一个精确的电流源可以利用。但是，这一方法可能引起一个无休止的循环。一个相对比较复杂的电路被用来产生一个稳定的基准电流，这个基准电流再被复制，从而得到系统中很多电流源。而电流镜的作用就是精确地复制电流而不受工艺和温度的影响。在典型的电流镜中差动对的尾电流源通过一个NMOS镜像

2、来偏置，负载电流源通过一个PMOS镜像来偏置。电流镜中的所有晶体管通常都采用相同的栅长，以减小由于边缘扩散所产生的误差。而且，短沟器件的阈值电压对沟道长度有一定的依赖性。因此，电流值之比只能通过调节晶体管的宽度来实现。而本题就是利用这一原理来实现的。一、设计目标（题目）3二、相关背景知识41、单个MOSTFET的主要参数包括：4三、设计过程51、电路结构52、主要电路参数的手工推导63、参数验证（手工推导）7四、电路仿真71、NMOS特性仿真及参数推导72、PMOS特性仿真及参数推导103、最小共模输入电压仿真134、电流镜负载的差分放大器特性仿真及参数推导15五、性能指标对比18六、心得18

3、一、设计目标（题目）电流镜负载的差分放大器设计一款差分放大器，要求满足性能指标：l 负载电容l 对管的m取4的倍数l 低频开环增益100l GBW(增益带宽积)30MHzl 输入共模范围3Vl 功耗、面积尽量小参考电路图如下图所示设计步骤：1、 仿真单个MOS的特性，得到某W/L下的MOS管的小信号输出电阻和跨导。2、 根据上述仿真得到的器件特性，推导上述电路中的器件参数。3、 手工推导上述尺寸下的差分级放大器的直流工作点、小信号增益、带宽、输入共模范围。4、 如果增益和带宽不符合题目要求，则修改器件参数，并重复上述计算过程。5、 一旦计算结果达到题目要求，用Hspice仿真验证上述指标。如果

4、仿真得到的增益和带宽不符合要求，则返回步骤2，直至符合要求二、相关背景知识传统运算放大器的输入级一般都采用电流镜负载的差分对。如下图所示。1、单个MOSTFET的主要参数包括： 1.直流参数： 开启电压Vt，即当Vds为某一固定值使Id等于一微小电流时，栅源间的电压。 2.交流小信号参数： PMOS、NMOS的栅跨导 g m ： g m 越大，说明器件的放大能力越强，可以通过设计宽长比大的图形结构来提高跨导。小信号电阻 r0 ： r0 说明了Vds对Id的影响，是输出特性在某一点上切线斜率的倒数。 3.相关公式： 电流公式： MOS管等效电阻公式： （饱和区）Gds=nID电压增益：增益带宽积

5、：三、设计过程1、电路结构整体电路如上图。2、主要电路参数的手工推导根据题目要求：n 负载电容n 低频开环增益100n GBW(增益带宽积)30MHz因以上公式不考虑沟道长度调制效应和体效应，所以理论计算和实际值会有一定误差，因此在此将增益带宽积提升为40MHz。由 ，得；40 得；2.51又有 = （）从工艺库得到：model nvn nmos：+tox= 1.17e-08+toxn 、+u0= 3.8300000e-02得：=6.1839后经仿真计算得到的 =7.8600选取ID2=15U 得：3.396 ，考虑到存在一定误差，选择10.要使MN2和MN4同时饱和，最小Vin.CM=Vds

6、at2+Vth4。仿真得Vdsat2=0.552V。Vth4=0.780V. 得最小输入共模电压Vin.CM=1.332V.仿真得Vin.CM=4.5V时，增益为45db，增益带宽积为53MHz. 仍满足要求。得输入共模范围大于：4.5-1.332=3.168V3V事实上当MN2和MN4没有同时饱和也能达到增益和带宽要求，输入共模电压Vin.CM=1.1V时，ID4=16.6u，增益为58.3db，增益带宽积为32.1MHz。3、参数验证（手工推导）根据上节的电路器件尺寸，通过手工推导出电路要求设计的各项指标。并将计算出来的指标与要求进行对比。如果实际电路未能达到设计要求，则还需返回上一节的计

7、算和推动过程，直至所设计电路符合题目要求。为了减小面积并增大增益，PMOS的宽长比选取为1.仿真得=10的NMOS的n=0.03581. =1的PMOS的p=0.01791=4.307.故增益带宽积为=68.548MHz30MHz，满足题目要求。Ro2|Ro4=1.241106故=534.5100. 满足要求。四、电路仿真1、NMOS特性仿真及参数推导单个NMOS管以二极管形式连接，如图，其中电流I=15u，W=20U，L=2U,VDD=5V.仿真网表：.prot.lib E:viewlogic05modelh05hvcddtt09v01.lib tt.lib E:viewlogic05mod

8、elh05hvcddtt09v01.lib res .lib E:viewlogic05modelh05hvcddtt09v01.lib cap.unprotMN1 N1N32 N1N32 0 0 NVN L=2U W=20U M=4V1I3 N1N46 0 5 I1I30 N1N46 N1N32 DC=15U * DICTIONARY 1* GND = 0.options list node post.op.OPTIONS INGOLD=2 CSDF=2.END静态仿真结果：* mosfets subckt element 0:mn1 model 0:nvn region Saturati

9、id 1.500e-05 ibs -3.406e-22 ibd -3.204e-17 vgs 8.466e-01 vds 8.466e-01 vbs 0. vth 7.805e-01 vdsat 7.733e-02 vod 6.606e-02 beta 5.205e-03 gam eff 8.945e-01 gm 2.428e-04 gds 5.372e-07 gmb 9.836e-05 cdtot 1.242e-13 cgtot 3.438e-13 cstot 3.494e-13 cbtot 3.953e-13 cgs 2.619e-13 cgd 1.993e-14从中可得到gm=2.428

10、e-04，和手工推导得到的有一定误差。推导NMOS参数：由公式 Gds=nID。得n=0.03581。2、PMOS特性仿真及参数推导单个PMOS管以二极管形式连接，如图，其中电流I=15u，W=2U，L=2U,VDD=5V.仿真网表：.prot.lib E:viewlogic05modelh05hvcddtt09v01.lib tt.lib E:viewlogic05modelh05hvcddtt09v01.lib res .lib E:viewlogic05modelh05hvcddtt09v01.lib cap.unprotMN1 0 0 N1N7 N1N9 NVP L=2U W=2U M

11、=1V1I2 N1N9 0 5 I1I3 N1N9 N1N7 DC=15U * DICTIONARY 1* GND = 0.options list node post.op.OPTIONS INGOLD=2 CSDF=2.END静态仿真结果：* mosfets subckt element 0:mn1 model 0:nvp region Saturati id -1.500e-05 ibs 2.495e-18 ibd 4.729e-18 vgs -2.363e+00 vds -2.363e+00 vbs 2.636e+00 vth -1.387e+00 vdsat -9.069e-01 v

12、od -9.767e-01 beta 3.101e-05 gam eff 3.500e-01 gm 2.751e-05 gds 2.687e-07 gmb 4.199e-06 cdtot 2.382e-15 cgtot 9.145e-15 cstot 7.903e-15 cbtot 5.428e-15 cgs 8.640e-15 cgd 4.210e-16从中可得到gm=2.751e-05。推导NMOS参数：由公式 Gds=nID。得p=0.01791。3、最小共模输入电压仿真电路图：仿真网表：.prot.lib E:viewlogic05modelh05hvcddtt09v01.lib tt

13、.lib E:viewlogic05modelh05hvcddtt09v01.lib res .lib E:viewlogic05modelh05hvcddtt09v01.lib cap.unprot*MN1 N4 N2 N3 0 NVN L=2U W=20U M=4*MN2 N6 N5 N3 0 NVN L=2U W=20U M=4MN1 N4 N2 N3 0 NVN L=2U W=20U M=4MN2 N6 N2 N3 0 NVN L=2U W=20U M=4MN3 N1 N1 0 0 NVN L=2U W=2U M=1MN4 N3 N1 0 0 NVN L=2U W=2U M=1MP1

14、N4 N4 N7 N7 NVP L=2U W=2U M=1MP2 N6 N4 N7 N7 NVP L=2U W=2U M=1*VP N2 0 DC=2 AC=1V 180IREF N7 N1 DC=30U VDD N7 0 5V C1 N6 0 1P *VN N5 0 DC=2 AC=1V VN N2 0 5.dc VN 0 5 0.1* DICTIONARY 8* 1 = N1* 2 = N2* 3 = N3* 4 = N4* 5 = N5* 6 = N6* 7 = N7* GND = 0*.options probe*.AC DEC 40 100 100MEG .op*.print VDB

15、(N6) .print I1(MN2).END波形图：从图中可以看出使MN2和MN4同时饱和的最小输入共模电压Vin.CM=1.4V。这是由于体效应导致Vth提高而引起的。4、电流镜负载的差分放大器特性仿真及参数推导整体电路如下图：仿真网表：* Project SCH1* Innoveda Wirelist Created with Version 6.3.5* Inifile : * Options : -h -d -n -m -z -x -c6 * Levels : .prot.lib E:viewlogic05modelh05hvcddtt09v01.lib tt.lib E:viewl

16、ogic05modelh05hvcddtt09v01.lib res .lib E:viewlogic05modelh05hvcddtt09v01.lib cap.unprotMN1 N4 N2 N3 0 NVN L=2U W=20U M=4MN2 N6 N5 N3 0 NVN L=2U W=20U M=4MN3 N1 N1 0 0 NVN L=2U W=2U M=1MN4 N3 N1 0 0 NVN L=2U W=2U M=1MP1 N4 N4 N7 N7 NVP L=2U W=2U M=1MP2 N6 N4 N7 N7 NVP L=2U W=2U M=1VP N2 0 DC=2 AC=1V

17、 180IREF N7 N1 DC=30U VDD N7 0 5V C1 N6 0 1P VN N5 0 DC=2 AC=1V * DICTIONARY 8* 1 = N1* 2 = N2* 3 = N3* 4 = N4* 5 = N5* 6 = N6* 7 = N7* GND = 0.options probe.AC DEC 40 100 100MEG .op.print VDB(N6) .END仿真参数：* mosfets subckt element 0:mn1 0:mn2 0:mn3 0:mn4 0:mp1 0:mp2 model 0:nvn 0:nvn 0:nvn 0:nvn 0:n

18、vp 0:nvp region Saturati Saturati Saturati Saturati Saturati Saturati id 14.9973u 14.9973u 30.0000u 29.9946u -14.9973u -14.9973u ibs -62.7640a -62.7640a -6.811e-22 -6.810e-22 7.626e-22 7.626e-22 ibd -118.4675a -118.4675a -1.5784a -1.5684a 1.7675a 1.7675a vgs 1.3413 1.3413 1.6692 1.6692 -1.8692 -1.86

19、92 vds 1.4721 1.4721 1.6692 1.6587 -1.8692 -1.8692 vbs -1.6587 -1.6587 0. 0. 0. 0. vth 1.2925 1.2925 794.5766m 794.5766m -918.3170m -918.3170m vdsat 86.2818m 86.2818m 552.1671m 552.1672m -789.0672m -789.0672m vod 48.8124m 48.8124m 874.6499m 874.6499m -950.9270m -950.9270m beta 5.2105m 5.2105m 120.47

20、12u 120.4712u 36.7421u 36.7421u gam eff 931.2989m 931.2989m 894.5246m 894.5246m 384.0554m 384.0554m gm 258.9827u 258.9827u 63.4382u 63.4239u 28.2039u 28.2039u gds 309.2459n 309.2459n 507.9654n 514.2709n 374.3018n 374.3018n gmb 60.6327u 60.6327u 22.3853u 22.3807u 7.0591u 7.0591u cdtot 104.0761f 104.0

21、761f 3.2886f 3.2907f 2.9936f 2.9936f cgtot 311.6988f 311.6988f 9.6670f 9.6662f 9.5160f 9.5160f cstot 281.7321f 281.7321f 10.4530f 10.4531f 10.0473f 10.0473f cbtot 279.6288f 279.6288f 10.3382f 10.3411f 8.5988f 8.5988f cgs 243.5613f 243.5613f 8.4651f 8.4651f 8.9649f 8.9649f cgd 20.4390f 20.4390f 507.8

22、724a 507.0131a 422.0242a 422.0242a幅频特性曲线：由图中可以看出：增益为58.4db，3db带宽为90.9KHz，增益带宽积为49.8MHz。五、性能指标对比开环增益GBWIDW/L题目要求10030MHz理论值 534.50 68.548MHz 15u(单边)10（对管）1 （其它）仿真值 831.76 49.800MHz六、心得本次的课程设计让我收获甚多。由于之前有个比赛要参加，所以因赶进度，耽误了本次课程设计。直到比赛完后才开始本次的课程设计，但那时别的组别都提交完了，心里感到很对不住老师。回来后正好赶上别的组别讲解他们的设计，吸取了各队的优点，注意到该注

23、意的地方，为接下来三天的设计打下了重要的基础。在此要感谢各个组别。由于听取了其它组别的讲解，刚开始就对本次的课程设计有了一定的思路。刚开始由于之前听有个组别能做到ID=2u，对管宽长比好像为1:4. 所以我开始设定的ID为1u，后来发现由于增益带宽积限定了gm，而且，将上面的数据代入，得到的gm远远达不到所要的数值。为了得到较大的gm，有两个方法，一是增大宽长比，二是增大ID。开始时为了降低功耗，想通过增大宽长比来增大gm，但通过仿真发现当宽长比达到一定数值时，gm增大变得不再明显，所以不得以将ID增大到15u，宽长比选取为10，才获得所想要的数值。后来发现其它MOSFET对性能指标都不起作用，而且由于Ro2|Ro4=，可以通过降低p来提高增益，同时也为了降低面积，将其它的MOSFET宽长比选取为1:1.由于本次课程设计的时间较短，因此还有很多做得不足的地方。比如由结果得仿真的gm大概只有理论计算得到的gm的一半，这在实际的设计中是很不利的，因此想对上面的公式进行修正，但由于时间有限等原因，最终没有进行修正。不管怎样说，本次课程设计让我学到了不少知识，在此感谢老师。