2022年非隔离恒压控制芯片SMP[定 .pdf

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1、SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片QWISITV1.6- 1 - SM7035/SM7035P 特点输入电压： 85Vac265Vac 恒压精度 2KV注 1：最大输出功率受限于芯片结温，最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。在极限参数范围内工作，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。注 2：R JA在 TA=25 C 自然对流下根据JEDEC JESD51 热测量标准在单层导热试验板上测量。注 3：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由TJMAX，R JA和环境温度TA所决定的。最大允许功耗为PD = (TJMAX-TA)/ R JA或是极限范围给出的数值中比较低

2、的那个值。电气工作参数（注 4、5）若无特殊说明，TA=25 C。符号说明条件范围单位最小典型最大VDDVDD工作电压VDRAIN=30V;VFB=0.5V5.46.06.5VIDD芯片静态工作电流VVDD=6V ;VFB=5V200290450uAVFB_CVFB端口恒压阈值VVDD=5V1.9222.03VFOSC芯片工作频率VDRAIN=7V;VFB=0V; VVDD=5V464753kHzJitter抖频范围VVDD=6V131517%TLEB消隐时间VVDD=6V200300500nSBV_DRAINDRAIN端耐压VVDD=7V;ID=250uA500-VRdson内部集成 MOS

3、管导通电阻-192021ToTP过温保护温度 （注 6）-135140145 CToTP-r过温迟滞恢复-121518 C注 4：电气工作参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。注 5：规格书的最小、最大参数范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。注 6：过温保护温度为芯片内部设定温度140 C。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 9

4、 页 - - - - - - - - - SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片QWISITV1.6- 4 - 功能表述SM7035是一款恒压控制芯片，内置CS电阻。全电压范围内恒压精度小于 3%，外围元件少，方案成本低。SM7035具有自恢复的输出开短路等多重保护功能，以提高系统可靠性。内部稳压器DRAIN端口通过 JFET对 VDD电容充电，利用稳压器的稳压特性，从而稳定VDD的电压。恒压控制芯片通过 FB端口电压进行跳频控制，从而稳定输出电压，得到高恒压精度。OUTFB_CVFBHFBLFBLVVRRR其中，FBLR是反馈网络的下分压电阻FBHR是反馈网络的上分压电阻OUTV是

5、输出稳压点CVFBV_是恒压阈值前沿消隐电路为了消除高压功率管在开启瞬间产生的尖峰造成的干扰，内置前沿消隐电路，避免芯片在功率管开启瞬间产生误动作。保护控制SM7035芯片完善的各种保护功能提高了电源系统的可靠性，包括：逐周期峰值电流限制，输出短路保护，输出开路保护等。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 9 页 - - - - - - - - - SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片QWISITV1.6- 5 - 典型应用方案SM7035P 5V/

6、200mA BUCK系统原理图ACDC+DC-FR1DB1R3E1U1C1D1R2L1R1E2RV1GNDDRAINNC12348765NCFBVDDGNDNCLND2C2BOM清单：位号参数位号参数FR1 10R/0.25W D2 RS1M RV1 7D471 C1 0.1uF/16V DB1 MB6S C2 100nF/16V R1 1K/0805 E1 2.2uF/400V R2 10K/0805 E2 330uF/10V R3 18K/0805 L1 470uH/7850 封装D1 ES1J U1 SM7035P 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - -

7、 - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 9 页 - - - - - - - - - SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片QWISITV1.6- 6 - PCB layout注意事项简要说明：SOP8/DIP8 初级环路与反馈环路的走线尽量粗而短，以便更容易通过EMC测试。高压信号与低压信号分开走线，避免高压信号对低压反馈信号产生干扰。芯片 VDD及 FB的地尽量靠近芯片的GND。IC的 7、8 脚 GND需要铺铜处理，铺铜面积建议大于8*8mm ，以降低芯片的温度。网状铺铜阻焊层名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 -

8、 - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页，共 9 页 - - - - - - - - - SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片QWISITV1.6- 7 - 封装焊接制程明微电子所生产的半导体产品遵循欧洲RoHs标准，封装焊接制程锡炉温度符合J-STD-020标准。封装厚度体积mm3 350 体积mm3：3502000 体积mm3 2000 1.6mm 260+0C 260+0C 260+0 C 1.6mm2.5mm 260+0C 250+0C 245+0 C 2.5mm 250+0C 245+0C

9、245+0 C 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 7 页，共 9 页 - - - - - - - - - SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片QWISITV1.6- 8 - 封装形式DIP8 Symbol Min(mm) Max(mm) A - 4.8 A1 0.5 - A2 3.0 3.7 B 0.3 0.6 B1 1.524(BSC) C 0.2 0.4 D 9.1 9.5 E 6.15 6.45 E1 7.2 8.4 e 2.54(BSC) L 2.8

10、 4.0 E2 8.8(BSC) 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 8 页，共 9 页 - - - - - - - - - SM7035/SM7035P 小功率恒压控制芯片QWISITV1.6- 9 - SOP8 Symbol Min(mm) Max(mm) A 1.25 1.95 A1 - 0.25 A2 1.25 1.75 b 0.25 0.7 c 0.1 0.35 D 4.6 5.3 e 1.27(BSC) E 5.7 6.4 E1 3.7 4.2 L 0.2 1.5 010名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 9 页，共 9 页 - - - - - - - - -