2022年2022年开关电源设计范例 .pdf

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1、1/141目的希望以简短的篇幅，将公司目前设计的流程做介绍，若有介绍不当之处，请不吝指教. 2设计步骤 : 2.1绘线路图、 PCB Layout. 2.2变压器计算 . 2.3零件选用 . 2.4设计验证 . 3设计流程介绍 (以 DA-14B33 为例): 3.1线路图、 PCB Layout请参考资识库中说明 . 3.2变压器计算 : 变压器是整个电源供应器的重要核心，所以变压器的计算及验证是很重要的，以下即就DA-14B33 变压器做介绍 . 3.2.1决定变压器的材质及尺寸 : 依据变压器计算公式GaussxNpxAeLpxIpB100(max)B(max) = 铁心饱合的磁通密度

2、(Gauss) Lp = 一次侧电感值 (uH) Ip = 一次侧峰值电流 (A) Np = 一次侧 (主线圈 )圈数Ae = 铁心截面积 (cm2) B(max) 依铁心的材质及本身的温度来决定， 以 TDK Ferrite Core PC40 为例，100时的 B(max)为 3900 Gauss ，设计时应考虑零件误差，所以一般取30003500 Gauss 之间，若所设计的power为 Adapter( 有外壳 )则应取 3000 Gauss左右，以避免铁心因高温而饱合，一般而言铁心的尺寸越大，Ae 越高，所以可以做较大瓦数的Power 。3.2.2决定一次侧滤波电容 : 滤波电容的决

3、定，可以决定电容器上的Vin(min)，滤波电容越大， Vin(win)越高，可以做较大瓦数的Power，但相对价格亦较高。3.2.3决定变压器线径及线数 : 当变压器决定后，变压器的Bobbin即可决定，依据 Bobbin 的槽宽，可决定变压器的线径及线数， 亦可计算出线径的电流密度， 电流密度一般以6A/mm2为参考，电流密度对变压器的设计而言，只能当做参考值， 最终应以温升记录为准。3.2.4决定 Duty cycle (工作周期 ): 由以下公式可决定 Duty cycle ， Duty cycle的设计一般以 50%为基准， Duty cycle若超过 50%易导致振荡的发生。名师资

4、料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 14 页 - - - - - - - - - 2/14xDVinDxVVoNpNsD(min)1()(NS = 二次侧圈数NP = 一次侧圈数Vo = 输出电压VD= 二极管顺向电压Vin(min) = 滤波电容上的谷点电压D = 工作周期 (Duty cycle) 3.2.5决定 Ip 值: IIavIp21xDxVinPoutIav(min)fPxLpVinI(min)Ip = 一次侧峰值电流Iav = 一次侧平均电流Pout

5、 = 输出瓦数效率fPWM震荡频率3.2.6决定辅助电源的圈数 : 依据变压器的圈比关系，可决定辅助电源的圈数及电压。3.2.7决定 MOSFET及二次侧二极管的Stress( 应力): 依据变压器的圈比关系， 可以初步计算出变压器的应力(Stress) 是否符合选用零件的规格，计算时以输入电压264V(电容器上为 380V)为基准。3.2.8其它: 若输出电压为 5V 以下，且必须使用TL431而非 TL432时，须考虑多一组绕组提供 Photo coupler 及 TL431 使用。3.2.9将所得资料代入GaussxNpxAeLpxIpB100(max)公式中，如此可得出B(max)，若

6、B(max)值太高或太低则参数必须重新调整。3.2.10DA-14B33 变压器计算 : 输出瓦数 13.2W(3.3V/4A)， Core = EI-28 ， 可绕面积 (槽宽)=10mm， Margin Tape = 2.8mm(每边)，剩余可绕面积 =4.4mm. 假设 fT = 45 KHz ，Vin(min)=90V，=0.7，P.F.=0.5(cos )，Lp=1600 Uh 计算式 : 变压器材质及尺寸 : 由以上假设可知材质为PC-40，尺寸=EI-28，Ae=0.86cm2，可绕面积(槽宽)=10mm，因 Margin Tape使用 2.8mm ，所以剩余可绕面积为 4.4m

7、m. 假设滤波电容使用47uF/400V，Vin(min)暂定 90V。决定变压器的线径及线数: 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页，共 14 页 - - - - - - - - - 3/14AxxxxVinPoutIin42. 05 . 07.0902.13cos(min)假设 NP使用 0.32的线电流密度 =Axx286.11024.014.342.0232.014.342. 02可绕圈数 =圈線徑剩餘可繞面績57.1203. 032.04 .4假设 Sec

8、ondary使用 0.35的线电流密度 =Axx07.440289. 014. 34235. 014. 342假设使用 4P，则电流密度 =A02.11407.44可绕圈数 =圈57.1103.035. 04. 4决定 Duty cycle: 假设 Np=44T，Ns=2T，VD=0.5(使用 schottky Diode) DVinDVVoNpNsD(min)1%2 .489015 .03.3442DDD决定 Ip 值: IIavIp21AxxxDxVinPoutIav435.0482.07.0902.13(min)AKxufDxLpVinI603.045482.0160090(min)AI

9、p737.02603.0435.0决定辅助电源的圈数 : 假设辅助电源 =12V 128 .31ANNs128 .321ANNA1=6.3圈假设使用 0.23的线名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 14 页 - - - - - - - - - 4/14可绕圈数 =圈13.19)02.023.0(4.4若 NA1=6Tx2P，则辅助电源 =11.4V 决定 MOSFET及二次侧二极管的Stress( 应力): MOSFET(Q1) = 最高输入电压 (380V)

10、+DVVoNsNp=5.03.3244380=463.6V Diode(D5)=输出电压 (Vo)+NpNsx 最高输入电压 (380V) =3804423.3x=20.57V Diode(D4)=)380()(2VxNpNsNA最高輸入電壓輸出電壓=3804446.6x=41.4V 其它: 因为输出为 3.3V，而 TL431 的 Vref 值为 2.5V，若再加上 photo coupler上的压降约 1.2V， 将使得输出电压无法推动Photo coupler及 TL431，所以必须另外增加一组线圈提供回授路径所需的电压。假设 NA2 = 4T使用 0.35线，则可绕圈数 =T58.11

11、03.035. 04. 4，所以可将 NA2定为 4Tx2P 228.3AAVNNsVVVAA6.78.34222GaussxxxGaussxNpxAeLpxIpB3.311610086.044737.01600)(100(max)名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 14 页 - - - - - - - - - 5/14变压器的接线图 : 3.3零件选用 : 零件位置 (标注)请参考线路图 : (DA-14B33 Schematic) 3.3.1FS1: 由变

12、压器计算得到Iin 值，以此 Iin 值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V，设计时亦须考虑 Pin(max) 时的 Iin 是否会超过保险丝的额定值。3.3.2TR1(热敏电阻 ): 电源启动的瞬间，由于C1(一次侧滤波电容 )短路，导致 Iin 电流很大，虽然时间很短暂，但亦可能对 Power产生伤害，所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻，以限制开机瞬间Iin 在 Spec之内(115V/30A，230V/60A)，但因热敏电阻亦会消耗功率，所以不可放太大的阻值 (否则会影响效率 )， 一般使用 SCK053(3A/5)，若 C1电容使用较大的值， 则必须考虑将热敏电阻的阻值变

13、大(一般使用在大瓦数的 Power上)。3.3.3VDR1(突波吸收器 ): 当雷极发生时，可能会损坏零件，进而影响Power的正常动作，所以必须在靠AC 输入端 (Fuse之后)，加上突波吸收器来保护Power( 一般常用 07D471K)，但若有价格上的考虑，可先忽略不装。3.3.4CY1，CY2(Y-Cap): Y-Cap 一般可分为 Y1 及 Y2 电容，若 AC Input 有 FG(3 Pin) 一般使用 Y2- Cap ，AC Input 若为 2Pin(只有 L，N)一般使用 Y1-Cap，Y1 与 Y2 的差异，除了价格外(Y1 较昂贵 )，绝缘等级及耐压亦不同 (Y1 称为

14、双重绝缘， 绝缘耐压约为 Y2 的两倍，且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1)，此电路因为有 FG所以使用Y2-Cap，Y-Cap 会影响 EMI 特性，一般而言越大越好，但须考虑漏电及价格问题，漏电 (Leakage Current ) 必须符合安规须求 (3Pin公司标准为 750uA max)。0.32x1Px22T 0.32x1Px22T 0.35x2Px4T 0.35x4Px2T 0.23x2Px6T 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 14 页

15、 - - - - - - - - - 6/143.3.5CX1(X-Cap)、RX1: X-Cap 为防制 EMI 零件，EMI 可分为 Conduction及 Radiation两部分，Conduction规范一般可分为 : FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 两种 ，FCC测试频率在 450K30MHz，CISPR 22测试频率在 150K30MHz， Conduction可在厂内以频谱分析仪验证，Radiation 则必须到实验室验证， X-Cap 一般对低频段(150K 数 M 之间)的 EMI 防制有效，一般而言 X-Ca

16、p愈大，EMI 防制效果愈好(但价格愈高 )，若 X-Cap在 0.22uf以上(包含 0.22uf)，安规规定必须要有泄放电阻 (RX1，一般为 1.2M 1/4W)。3.3.6LF1(Common Choke): EMI 防制零件，主要影响Conduction 的中、低频段，设计时必须同时考虑EMI特性及温升，以同样尺寸的 Common Choke 而言，线圈数愈多 (相对的线径愈细 )，EMI 防制效果愈好，但温升可能较高。3.3.7BD1(整流二极管 ): 将 AC 电源以全波整流的方式转换为DC，由变压器所计算出的Iin 值，可知只要使用 1A/600V 的整流二极管，因为是全波整流

17、所以耐压只要600V 即可。3.3.8C1(滤波电容 ): 由 C1 的大小 (电容值 )可决定变压器计算中的Vin(min)值，电容量愈大， Vin(min)愈高但价格亦愈高， 此部分可在电路中实际验证Vin(min)是否正确，若 AC Input 范围在 90V132V (Vc1 电压最高约 190V)， 可使用耐压 200V 的电容 ;若 AC Input 范围在 90V264V(或 180V264V)，因 Vc1 电压最高约 380V，所以必须使用耐压400V 的电容。3.3.9D2(辅助电源二极管 ): 整流二极管，一般常用FR105(1A/600V) 或 BYT42M(1A/100

18、0V)，两者主要差异 : 1.耐压不同 (在此处使用差异无所谓 ) 2.VF不同(FR105=1.2V ，BYT42M=1.4V) 3.3.10R10(辅助电源电阻 ): 主要用于调整 PWM IC 的 VCC 电压，以目前使用的3843 而言，设计时 VCC 必须大于 8.4V(Min. Load 时)，但为考虑输出短路的情况，VCC 电压不可设计的太高，以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大 )。3.3.11C7(滤波电容 ): 辅助电源的滤波电容， 提供 PWM IC 较稳定的直流电压， 一般使用 100uf/25V 电容。3.3.12Z1(Zener二极管 ): 当回授失效时的保护电路

19、， 回授失效时输出电压冲高， 辅助电源电压相对提高，此时若没有保护电路，可能会造成零件损坏，若在3843 VCC 与 3843 Pin3脚之间加一个 Zener Diode ，当回授失效时 Zener Diode会崩溃，使得 Pin3脚提前到达1V，以此可限制输出电压，达到保护零件的目的.Z1 值的大小取决于辅助电源的高低，Z1 的决定亦须考虑是否超过Q1的 VGS耐压值，原则上使用公司的现有料(一般使用 1/2W 即可). 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页，共

20、 14 页 - - - - - - - - - 7/143.3.13R2(启动电阻 ): 提供 3843第一次启动的路径，第一次启动时透过 R2对 C7充电， 以提供 3843 VCC所需的电压， R2 阻值较大时， turn on的时间较长，但短路时Pin瓦数较小， R2阻值较小时， turn on 的时间较短，短路时Pin 瓦数较大，一般使用220K/2W M.O。. 3.3.14R4 (Line Compensation): 高、低压补偿用，使3843 Pin3脚在 90V/47Hz及 264V/63Hz接近一致 (一般使用750K1.5M 1/4W 之间)。3.3.15R3，C6，D1

21、 (Snubber): 此三个零件组成 Snubber ，调整 Snubber的目的:1.当 Q1 off 瞬间会有 Spike产生，调整 Snubber可以确保 Spike不会超过 Q1 的耐压值，2.调整 Snubber 可改善 EMI.一般而言， D1 使用 1N4007(1A/1000V)EMI特性会较好 .R3使用 2W M.O.电阻，C6 的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压 500V 的陶质电容 )。3.3.16Q1(N-MOS): 目前常使用的为 3A/600V 及 6A/600V两种，6A/600V 的 RDS(ON)较 3A/600V 小，所以温升会较低，若IDS电流未

22、超过3A，应该先以 3A/600V 为考虑，并以温升记录来验证，因为 6A/600V 的价格高于 3A/600V 许多， Q1 的使用亦需考虑 VDS是否超过额定值。3.3.17R8: R8 的作用在保护 Q1，避免 Q1呈现浮接状态。3.3.18R7(Rs电阻): 3843 Pin3脚电压最高为 1V， R7 的大小须与 R4 配合， 以达到高低压平衡的目的，一般使用 2W M.O.电阻，设计时先决定R7后再加上 R4 补偿，一般将 3843 Pin3脚电压设计在 0.85V0.95V之间(视瓦数而定， 若瓦数较小则不能太接近1V，以免因零件误差而顶到1V)。3.3.19R5，C3(RC f

23、ilter): 滤除 3843 Pin3脚的噪声， R5 一般使用 1K 1/8W，C3一般使用 102P/50V的陶质电容，C3 若使用电容值较小者， 重载可能不开机 (因为 3843 Pin3瞬间顶到 1V);若使用电容值较大者，也许会有轻载不开机及短路Pin过大的问题。3.3.20R9(Q1 Gate电阻 ): R9 电阻的大小，会影响到 EMI 及温升特性，一般而言阻值大，Q1 turn on / turn off的速度较慢， EMI 特性较好，但 Q1的温升较高、效率较低 (主要是因为 turn off速度较慢 );若阻值较小，Q1 turn on / turn off的速度较快，

24、Q1温升较低、 效率较高，但 EMI 较差，一般使用 51-150 1/8W。3.3.21R6，C4(控制振荡频率 ): 决定 3843的工作频率，可由Data Sheet 得到 R、C 组成的工作频率， C4 一般为10nf 的电容 (误差为 5%)， R6 使用精密电阻，以 DA-14B33为例， C4 使用 103P/50V PE电容， R6为 3.74K 1/8W 精密电阻，振荡频率约为45 KHz。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 7 页，共 14 页 - -

25、 - - - - - - - 8/143.3.22C5: 功能类似 RC filter，主要功用在于使高压轻载较不易振荡，一般使用101P/50V陶质电容。3.3.23U1(PWM IC): 3843是 PWM IC的一种，由 Photo Coupler (U2) 回授信号控制 Duty Cycle的大小，Pin3 脚 具 有 限 流 的 作 用 ( 最 高 电 压1V) ， 目 前 所 用 的3843 中 ， 有KA3843(SAMSUNG)及 UC3843BN(S.T.) 两种，两者脚位相同， 但产生的振荡频率略有差异， UC3843BN较 KA3843 快了约 2KHz，fT的增加会衍生

26、出一些问题 (例如:EMI 问题、短路问题 )，因 KA3843 较难买，所以新机种设计时，尽量使用UC3843BN。3.3.24R1、R11、R12、C2(一次侧回路增益控制 ): 3843内部有一个 Error AMP(误差放大器 )，R1、R11、R12、C2 及 Error AMP 组成一个负回授电路，用来调整回路增益的稳定度，回路增益，调整不恰当可能会造成振荡或输出电压不正确，一般C2使用立式积层电容 (温度持性较好 )。3.3.25U2(Photo coupler) 光耦合器 (Photo coupler) 主要将二次侧的信号转换到一次侧(以电流的方式 )， 当二次侧的 TL431

27、 导通后，U2 即会将二次侧的电流依比例转换到一次侧，此时 3843由 Pin6 (output) 输出 off 的信号 (Low)来关闭 Q1，使用 Photo coupler 的原因，是为了符合安规需求 (primacy to secondary 的距离至少需 5.6mm)。3.3.26R13(二次侧回路增益控制 ): 控制流过 Photo coupler的电流，R13阻值较小时，流过 Photo coupler 的电流较大，U2 转换电流较大， 回路增益较快 (需要确认是否会造成振荡)，R13 阻值较大时，流过 Photo coupler的电流较小， U2 转换电流较小，回路增益较慢，虽

28、然较不易造成振荡，但需注意输出电压是否正常。3.3.27U3(TL431)、R15、R16、R18 调整输出电压的大小，16/151816/13RRRRRxVrefVo， 输出电压不可超过38V(因为 TL431 VKA最大为 36V，若再加 Photo coupler 的 VF值，则 Vo 应在 38V 以下较安全)，TL431 的 Vref 为 2.5V，R15 及 R16 并联的目的使输出电压能微调，且R15 与 R16并联后的值不可太大 (尽量在 2K以下)，以免造成输出不准。3.3.28R14，C9(二次侧回路增益控制 ): 控制二次侧的回路增益，一般而言将电容放大会使增益变慢；电容

29、放小会使增益变快，电阻的特性则刚好与电容相反，电阻放大增益变快；电阻放小增益变慢，至于何谓增益调整的最佳值，则可以Dynamic load来量测，即可取得一个最佳值。3.3.29D4(整流二极管 ): 因 为输 出电 压为 3.3V，而 输 出 电压 调 整 器 (Output Voltage Regulator)使 用TL431(Vref=2.5V)而非 TL432(Vref=1.25V) ，所以必须多增加一组绕组提供Photo 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 8

30、页，共 14 页 - - - - - - - - - 9/14coupler及 TL431 所需的电源，因为U2 及 U3 所需的电流不大 (约 10mA 左右)，二极管耐压值 100V 即可，所以只需使用1N4148(0.15A/100V) 。3.3.30C8(滤波电容 ): 因为 U2 及 U3 所需的电流不大，所以只要使用1u/50V 即可。3.3.31D5(整流二极管 ): 输出整流二极管， D5 的使用需考虑 : a.电流值b.二极管的耐压值以 DA-14B33 为例，输出电流 4A，使用 10A 的二极管 (Schottky) 应该可以，但经点温升验证后发现D5 温度偏高，所以必须

31、换为15A 的二极管，因为10A 的 VF较 15A的 VF值大。 耐压部分 40V经验证后符合，因此最后使用 15A/40V Schottky 。3.3.32C10，R17(二次侧 snubber) : D5 在截止的瞬间会有spike产生，若 spike超过二极管 (D5)的耐压值，二极管会有被击穿的危险，调整snubber可适当的减少 spike的电压值，除保护二极管外亦可改善 EMI，R17 一般使用 1/2W的电阻， C10一般使用耐压500V 的陶质电容，snubber调整的过程 (264V/63Hz) 需注意 R17,C10是否会过热，应避免此种情况发生。3.3.33C11，C1

32、3(滤波电容 ): 二次侧第一级滤波电容， 应使用内阻较小的电容 (LXZ，YXA )，电容选择是否洽当可依以下三点来判定: a.输出 Ripple电压是符合规格b.电容温度是否超过额定值c.电容值两端电压是否超过额定值3.3.34R19(假负载 ): 适当的使用假负载可使线路更稳定，但假负载的阻值不可太小，否则会影响效率，使用时亦须注意是否超过电阻的额定值(一般设计只使用额定瓦数的一半)。3.3.35L3，C12(LC滤波电路 ): LC 滤波电路为第二级滤波， 在不影响线路稳定的情况下， 一般会将 L3 放大(电感量较大 )，如此 C12 可使用较小的电容值。4设计验证 :(可分为三部分

33、) a.设计阶段验证b.样品制作验证c.QE验证4.1设计阶段验证设计实验阶段应该养成记录的习惯，记录可以验证实验结果是否与电气规格相符，以下即就 DA-14B33 设计阶段验证做说明 (验证项目视规格而定 )。4.1.1电气规格验证 : 4.1.1.13843 PIN3脚电压(full load 4A) : 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 9 页，共 14 页 - - - - - - - - - 10/1490V/47Hz = 0.83V 115V/60Hz = 0

34、.83V 132V/60Hz = 0.83V 180V/60Hz = 0.86V 230V/60Hz = 0.88V 264V/63Hz = 0.91V 4.1.1.2Duty Cycle , fT: %5.4735.2115.108 .4647/90CycleDutyusTustonKHzfHzVT%2 .1535.2125.38.4660/264CycleDutyustustonKHzfHzVT4.1.1.3Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load) 4.1.1.4Stress (264V / 63Hz full load) : Q1 MOSFET: D5

35、: D4: 4.1.1.5辅助电源 (开机，满载 )、短路 Pin max.: 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 10 页，共 14 页 - - - - - - - - - 11/14.)(max2 .1)4(26.11)0.18A(8.4V47/90WAVHzV短路滿載開機.)(max8. 8)4(26.11)0.13A(8.4V63/264WAVHzV短路滿載開機4.1.1.6Static (full load) Pin(w) Iin(A) Iout(A) Vout

36、(V) P.F. Ripple(mV) Pout(w) eff 90V/47Hz 18.7 0.36 4 3.30 0.57 32 13.22 70.7 115V/60Hz 18.6 0.31 4 3.30 0.52 28 13.22 71.1 132V/60Hz 18.6 0.28 4 3.30 0.50 29 13.22 71.1 180V/60Hz 18.7 0.21 4 3.30 0.49 30 13.23 70.7 230V/60Hz 18.9 0.18 4 3.30 0.46 29 13.22 69.9 264V/60Hz 19.2 0.16 4 3.30 0.45 29 13.2

37、3 68.9 4.1.1.7Full Range负载(0.3A-4A) (验证是否有振荡现象 ) 4.1.1.8回授失效 (输出轻载 ) 90V/47Hz Vout = 8.3V 264V/63Hz Vout = 6.03V 4.1.1.9O.C.P.( 过电流保护 ) 90V/47Hz = 7.2A 264V/63Hz = 8.4A 4.1.1.10Pin(max.) 90V/47Hz = 24.9W 264V/63Hz = 27.1W 4.1.1.11Dynamic test H=4A，t1=25ms ，slew Rate = 0.8A/ms (Rise) L=0.3A，t2=25ms ，

38、slew Rate = 0.8A/ms (Full) 90V/47Hz = OK 115V/60Hz = OK 132V/60Hz = OK 180V/60Hz = OK 230V/60Hz = OK 264V/63Hz = OK 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 11 页，共 14 页 - - - - - - - - - 12/1490V/47Hz 264V/63Hz 4.1.1.12HI-POT test: HI-POT test一般可分为两种等级 : 输入为 3

39、Pin(有 FG者)，HI-POT test为 1500Vac/1 minute 。Y-CAP 使用Y2-CAP 输入为 2 Pin(无 FG者)，HI-POT test为 3000Vac/1 minute 。Y-CAP 使用Y1-CAP DA-14B33 属于输入 3 PIN HI-POT test 为 1500Vac/1 minute 。4.1.1.13Grounding test: 输入为 3 Pin(有 FG者)，一般均要测接地阻 (Grounding test) ，安规规定 FG到输出线材 (输出端 )的接地电阻不能超过100m (25A/3 Second) 。4.1.1.14温升记

40、录设计实验定案后 (暂定)，需针对整体温升及EMI 做评估， 若温升或 EMI 无法符合规格，则需重新实验。温升记录请参考附件，D5 原来使用BYV118(10A/40V Schottky) ，因温升较高改为PBYR1540CTX(15A/40V) 。4.1.1.15EMI 测试: EMI 测试分为二类 : Conduction( 传导干扰 ) Radiation( 幅射干扰 ) 前者视规范不同而有差异 (FCC : 450K - 30MHz，CISPR 22 :150K - 30MHz) ，前者可利用厂内的频谱分析仪验证；后者(范围由 30M - 300MHz，则因厂内名师资料总结 - -

41、-精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 12 页，共 14 页 - - - - - - - - - 13/14无设备必须到实验室验证，Conduction ，Radiation测试数据请参考附件 ) 。4.1.1.16机构尺寸 : 设计阶段即应对机构尺寸验证，验证的项目包括: PCB尺寸、零件限高、零件禁置区、螺丝孔位置及孔径、外壳孔寸.，若设计阶段无法验证，则必须在样品阶段验证。4.1.2样品验证 : 样品制作完成后，除温升记录、EMI 测试外 (是否需重新验证，视情况而定)，每一台样品都应经过

42、验证 (包括电气及机构尺寸 )，此阶段的电气验证可以以ATE(Chroma) 测试来完成， ATE 测试必须与电气规格相符。4.1.3QE验证: QE针对工程部所提供的样品做验证，工程部应提供以下交件及样品供QE验证。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 13 页，共 14 页 - - - - - - - - - 14/14名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 14 页，共 14 页 - - - - - - - - -