2022年2022年集成电路市场现状及发展趋势 .pdf

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1、集成电路市场现状及发展趋势集成电路发展大事记1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；1950年：结型晶体管诞生；1950年： R Ohl 和肖特莱发明了离子注入工艺；1951年：场效应晶体管发明；1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；1958年：仙童公司 Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；1960年：H H Loor 和 E Castellani发明了光刻工艺；1962年：美国 RCA 公司研制出 MOS 场效应晶体管；1963年：F.M.Wanlass 和 C.T.Sah 首次提出

2、CMOS 技术，今天，95% 以上的集成电路芯片都是基于CMOS 工艺；1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18 个月增加1 倍；1966年：美国 RCA 公司研制出 CMOS 集成电路，并研制出第一块门阵列（ 50 门）；1967年：应用材料公司（ Applied Materials ）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；1971年：Intel推出 1kb 动态随机存储器（ DRAM），标志着大规模集成电路出现；1971年： 全球第一个微处理器4004由 Intel公司推出，采用的是 MOS 工艺，这是一个里程碑式的发明；1974年：RCA公司推出第一个 C

3、MOS 微处理器 1802；1976年：16kb DRAM 和 4kb SRAM问世；1978年：64kb 动态随机存储器诞生，不足0.5 平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；1979年：Intel推出 5MHz 8088微处理器，之后， IBM基于 8088推出全球第一台 PC ；1981年：256kb DRAM 和 64kb CMOS SRAM 问世；1984年：日本宣布推出1Mb DRAM 和 256kb SRAM ；1985年：80386 微处理器问世， 20MHz ；1988年：16M DRAM 问世，1 平方厘米大小的硅片上集成有35

4、00万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（ULSI）阶段；1989年：1Mb DRAM 进入市场；1989年： 486微处理器推出，25MHz ， 1m工艺，后来 50MHz 芯片采用 0.8 m工艺；1992年：64M位随机存储器问世；1993年：66MHz奔腾处理器推出 , 采用 0.6 工艺；1995年:Pentium Pro, 133MHz ，采用 0.6-0.35 工艺；名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 11 页 - - - - - - - -

5、- 1997年：300MHz奔腾问世 , 采用 0.25 工艺；1999年：奔腾问世， 450MHz ，采用 0.25 工艺，后采用 0.18 m工艺；2000年: 1Gb RAM投放市场；2000年：奔腾 4 问世， 1.5GHz，采用 0.18工艺；2001年：Intel宣布 2001 年下半年采用 0.13 工艺。国际集成电路市场状况名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页，共 11 页 - - - - - - - - - 2000年，对于全球芯片市场来说是一个空

6、前的丰收年，销售总额达到 1950亿美元，与 1999年相比增长了25.8%。据 SIA 预测，全球通信业，尤其是移动通信和互联网基础设备的市场需求量仍然很大，必将会带动芯片市场的大发展。这与 Nikkei Business的预测不谋而合： 2020年世界最大的 30个市场中，有 22 个与半导体有关，市场总额约为5 万亿美元左右，其中，移动数字通讯所占的比重最大，为6300 亿美元。资本作为近年来发展最快的产业之一， 半导体产业对全球经济发展的影响至关重要。据 WSTS 统计，2000年，全球半导体产业达到了36% 的高增长率，在此带动下，全球平均 GDP 也比 1999年增长了 4% 。仔

7、细研究全球平均GDP 与半导体产业增长率的关系， 可以清晰地看到半导体产业对全球经济的同步影响：近 十年来，每次半导体业衰退（1990 年、 1996 年、 1998 年） ， 全球 GDP 也随之进入低谷（1991年、1998 年）；半导体业高涨（ 1993年-1995 年），GDP 也随之进入高峰（ 1994年-1997 年）。通常，半导体景气循环比GDP 超前一年左右。与许多新兴行业一样，半导体产业一直深受投资行业关注。2001年，全球半导体产业投资总额预计将达465 亿美元，其中亚太地区的投资规模最大，为175 亿美元，占全球总投资额的37.6%，北美以 152 亿美元居于次席，日本、

8、欧洲的投资额则分别为87 亿和 51 亿美元。随着投资规模的不断增加，投资行业对半导体产业的影响也更加不容忽视：过度投资会导致产量过剩， 从而造成供需关系不平衡，接下来必然是投资减少，生产规模下降等一系列连锁反应。 2000年下半年的半导体产业严重衰减，就是由于厂商对网络和移动通讯估计过高，集中投资、拼命增产造成的。据SIA 估计，这种衰减趋势将一直持续到 2003 年，2004年以后全球半导体增长率才会有所回升。细分市场集成电路发明人之一Kilby说过， 集成电路产业一向是通过寻找新的应用领域发展起来的。计算器、数字手表、PC 、手机，每一种新产品都使半导体产品的销售量比以前高出一个数量级。

9、存储芯片全球存储芯片市场在90 年代经历了大起大落：1995年异乎寻常的强劲增长，而在随后的 1996 年，这一市场却几近崩溃，直到2000 年才有所反弹。据 WSTS数据， 2000年，全球 MOS 存储芯片市场总额为490亿美元，占整个芯片市场的28% 。2001年，MOS 存储市场总额预计将为516 亿美 元，仍占整个市场的28% 。闪存及非易失存储芯片非易失存储芯片包括ROM 、EPROM、EEPROM和闪存设备，它们共同的特征是名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第

10、 3 页，共 11 页 - - - - - - - - - 能持久地保存信息。以前一直居于市场领先地位的ROM 、EPROM，近年已被 EEPROM和闪存等多功能芯片所取代。据WSTS 统计， 2000年，在全球闪存销售中， 2M以下的占 21% ，4M的占 16% ，8M的占 23% ，16M的占 29% ，16M以上的占 11% 。DRAM 及 SRAM由于 DRAM 的集成度高、 功耗小， 而且每位 的价格最低， 因而成为集成电路中最重要的元件，而且随着市场对DRAM 需求的不断增长， DRAM 技术也在不断发展，近几年出现了一系列新型结构的高速 DRAM 。DRAM 与其他市场的关系非

11、常密切，通常 DRAM 市场的变化会引起集成电路其他市场的波动。据预测，从1993年到 2003 年的 10 年 间，DRAM 市场拥有量将增长5 倍。此外，随着无线和移动设备需求的不断增长， SRAM 的销量也随之大幅增加。数字信号处理器（ DSP ）DSP 是目前集成电路工业中增长最迅速的一种产品。据WSTS 数据， 1996年到 2005 年， 全球 DSP市场将一直保持正增长率， 其中 2000年的增长率为 37% ，而且从 2001 年到 2005 年，增长率将逐年递增，从8% 增长到 34% 。微处理器从 1971 年诞生以来，微处理器一直在集成电路领域占有十分重要的位置，而在这一

12、领域中最重要的无疑应该是Intel 。近几年， AMD 在这一领域取得突飞猛进的发展，让 Intel也开始感受到了威胁。趋势2000年，全球集成电路销售总额为2060亿美元，其中北美占31% ，其次是亚太地区（不含日本）为25% ，日本和欧洲所占市场份额分别为 23%和 21% 。而从增长率来看，从 1999 年开始，亚太地区（不含日本）的增长率已经超过美国、日本和欧洲市场，成为全球增长最快的地区。据预计，2010年，全球集成电路销售总额将为 7500 亿美元，亚太地区（不含日本）将以46% 而高居榜首，其后依次是美国、欧洲和日本，其占有率分别为 24%、15% 和 14% 。Foundry

13、趋势名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 11 页 - - - - - - - - - 据 IDC预计，1999 年到 2004 年， 全球 Foundry 需求每年将增长25.9%， 2004年可达 1912 万片圆片，而 Foundry 产量将保持 25.4%的年增长率， 2004年，全球 Foundry 销售额将达 233 亿美元，到 2010 年，Foundry 销售额有望超过1000亿美元，约占整个半导体市场的 50% 。在 Foundry 产品供求方

14、面， Foundry 市场上的供需矛盾到2003年将进一步加剧，尤其以 0.25 微米以下工艺最为突出， 但 0.35 微米以上工艺产品却将趋于饱和，同时由于价格因素，0.18 微米以下工艺的产品需求增长将受到限制。我国骨干芯片制造企业的技术与生产能力公司技术硅片尺寸（英寸）生产能力（片/ 月）2000年销售额（万元）上海华虹 nec 0.25 mcmos ）8 20000 177755 华晶电子0.5-1 m(cmos) 6 10000 108133 1.5-3 m(mos) 5 12000 2-5m(双极) 4-5 15000 首钢 nec 0.5-3 m(cmos) 6 15000 97

15、171 上海先进0.8 m(cmos) 6 13000 74491 半导体2-3m(双极) 5 25000 杭州友旺电子 2-3m(双极) 4 30000 44000 上海贝岭1.2-2 m(mos) 15000 41883 华越微电子1-3m(双极) 4-5 20000 19244 随着芯片加工水平的不断提高，Foundry 的投资也越来越高： 80 年代，建一条主流（6 英寸）集成电路生产线约需2 亿美元；90 年代，建一条 8 英寸的集成电路生产线需 10 亿美元，而目前，以一条8 英寸、 0.25 微米的生产线为例，建设投资需要 20 亿美元。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载

16、- - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 11 页 - - - - - - - - - 技术趋势40 年来，集成电路的发展一直遵循着著名的摩尔定律，向着不断提高集成系统的性能及性能价格比的目标前进。目前，随着新型电子设备的层出不穷和厂商对市场占有率的要求不断增加，集成电路更新换代的速度日益加快：0.8 微米技术从诞生到量产共经历了3 年时间，更新换代到 0.5 约为 2 年，从 0.5 微米到 0.35 微米则减少到 20 个月，而进一步到 0.25 微米、 0.18 微米、013 微米这一阶段更是分别缩短

17、为16、12 和 10 个月。然而，随着时间进入 2001 年上半年，PC业的低迷和全球经济增长速度放慢，严重影响了半导体业的快速发展。SIA 分析家丹尼里斯在一份报告中表示：“到 2001 年年中，全球半导体业销售额甚至可能出现负增长，并可能在2001年夏季或秋季到达谷底。2001年，半导体业将会爆发更大范围的价格战。” 在今年 3 月份的 SEMInvest 年会上，不少华尔街分析家也表示， 半导体产业将于今年 5 或 6 月“沉底”，今年 9-10 月以后才会稍有改善，然而主要从事晶圆代理加工的厂商，仍将处于低迷之中，第二季度时产能将继续下降。今年4月份，晶圆代工厂商的生产能力利用率约为

18、 40% 60% ，而 2000年第四季度时则是开足了 100% 的生产能力。我国集成电路产业历程我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：1965年-1978 年： 以计算机和军工配套为目标， 以开发逻辑电路为主要产品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件；1978年-1990 年：主要引进美国二手设备， 改善集成电路装备水平， 在“治散治乱”的同时， 以消费类整机作为配套重点， 较好地解决了彩电集成电路的国产化；1990年-2000 年：以 908工程、909 工程为重点，以 CAD 为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务， 集成电路

19、行业取得了新的发展。产业规模目前，我国集成电路产业已具备了一定的发展基础，由 8 个芯片生产骨干企业、十几个封装厂、几十家设计公司、若干个关键材料及专用设备仪器制造厂组成的产业群体初步形成， 电路设计、 芯片制造和电路封装三业并举，在地域上呈现相对集中的局势 （苏浙沪、京津、粤闽地区）。2000年，我国集成电路产量名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页，共 11 页 - - - - - - - - - 为 58.8 亿块，与 1999 年相比，增长了 41.7%，销售

20、额近 200亿元，增长 75% ，出口集成电路 47.8 亿块，出口金额 19.8 亿美元。设计业2000年，除独资公司外，我国集成电路设计公司的营销收入超过5 亿元，其中营业收入过亿元的公司已有4 家（华大、矽科、大唐微电子和士兰公司），销售额超过 1000 万元的约 10 家。我国年设计能力超过300 种，以 SRAM 存储器为主的电路设计门数达到200万门， 以逻辑电路为主的电路设计门数达到50 万门。 最高设计水平为 0.25 微米，主流设计技术在 0.8-1.5微米之间。芯片制造业目前，我国集成电路芯片制造主要采用5-6 英寸硅片、 0.8-1 微米技术。上海华虹 NEC 电子有限公

21、司 8 英寸芯片生产线的建成投产，使我国集成电路生产技术已达到 0.25 微米的深亚微米技术水平。7 个主干企业生产线的月投片量已超过 17 万片，其中 6-8 英寸大圆片的产量占了33% 以上。投片量最大的上海先进半导体公司和上海华虹NEC 公司已达到月投 20000片。表 2 32 位/64 位微处理器市场状况（百万美元）2000 年排名公司1999 年 2000年 增长率 市场份额1 Intel 20850 23910 15% 77% 2 AMD 1640 2385 45% 8% 3 Motorola 950 1045 10% 3% 4 IBM 425 465 9% 2% 封装业2000

22、年，我国集成电路封装业的销售收入超过130亿元，其中销售收入超过 1 亿元的有 14 家，全年封装电路近45 亿块，其中年封装量超过5 亿块的有 5家。其中， Intel科技（中国）公司年封装量为12.5 亿块，年销售额为 33.5 亿元；金朋（上海）公司年封装量为10.3 亿块，年销售额为25.2 亿元；深圳赛意法微电子公司年封装量为8.06 亿块，年销售额为3.6 亿元；江苏长电科技公司年封装量为 5.07 亿块，年销售额为 4.1 亿元；南通富士通电子公司年封装量为 5.02 亿块，年销售额为6.8 亿元。材料、设备、仪器国内已经能提供 6 英寸生产线使用的主要材料（硅单晶、塑封料、金丝

23、、化学试剂、特种气体等）、设备（单晶炉、外延炉、扩散炉、CVD 、蒸发台、匀胶显影设备、注塑机）等、仪器（40MHz以下的数字测试设备、模拟测试设备及数名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 7 页，共 11 页 - - - - - - - - - 模混合测试设备）等。然而，与国内市场需求和发达国家相比，我国集成电路产业总体上还比较落后。产业规模较小。2000 年全国半导体销售额仅占全球半导体销售总额的 1.5%，大部分产品还要靠进口； 创新能力弱， 表现在大生产技术开发能力

24、和产品设计开发能力弱，造成 IP 核库和工艺模块跟不上产品设计和委托加工的需要，CPU 和DSP等高档产品国内还不能提供，工艺和开发人才缺乏。“十五”期间需要抓紧的重点项目建设国家及集成电路研发中心，开发集成电路大生产技术和系统级芯片；在 908、909 工程 CAD 项目和整机企业集团中择优选择5-10 家，建成年销售额达 1 亿元以上的 CAD 公司；建设 2-3 条 6 英寸芯片生产线，扩大市场适销对路产品的生产能力；建设3-5 条 8 英寸芯片生产线，形成0.35-0.18微米技术产品的生产加工能力；建设1-2 条 12 英寸芯片生产线，形成0.18-0.13微米技术产品的生产加工能力

25、；对 5-6 家集成电路封装厂进行技术改造， 使每家封装厂达到年封装电路5-10亿块的能力；对若干设备、仪器、材料企业进行技术改造，形成相应的配套能力。京沪深三地有关政策北 京一是土地政策。在规划集成电路生产基地范围内， 政府以“零租金”的方式，为投资者提供“道路、电力、热力、通讯、天然气、上下水、排污和平整”的土地(七通一平 )，期限为 30 年。二是政府跟进投资。 对符合条件的集成电路企业， 政府按企业注册资本金的15% 跟进投资。三是政府贴息。 对于符合条件的集成电路项目建设期间贷款，政府给予贷款贴息补贴：贷款利率补贴1 至 2 个百分点，贴息 2 至 3 年。四是税收优惠政策。集成电路

26、企业除可享受国务院18 号文件所规定的增值税、关税优惠政策外，经批准后，还可享受“从企业获利年起，两免三减半、税率为 15% ”的优惠政策；能达到先进技术标准的，还可再减半征收3 年。力争用 3-5 年的时间，在北京地区建立起国内研发设计水平最高、生产能力最强的微电子研发生产基地， 实现北京地区微电子产业总产值从1999 年不足 15亿元，增长到 2005年的 200亿元，年均递增率达 54% 。 到 2010年， 实现产值 1000亿元以上，年递增率达38% 以上。上 海“十五”期间建成并投产10-15 条 8-12 英寸集成电路生产线及配套封装、测试线公司和设计公司。2010年到 2015

27、年，8-12 英寸生产线累计总数超过30 条，成为世界最大的半导体制造、封装、测试基地，集成规模最大、竞争力最强的代工生产线和封装测试线以及一大批Fabless 、Chipless 厂商，形成几个世界级的垂直整合的IDM公司，形成雄厚的研发和教育培训力量，并使设备厂商形成规模和竞争力。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 8 页，共 11 页 - - - - - - - - - “十五”期间投资150 亿美元左右，到 2005 年，产值力争达 100 亿美元，占国产集成电路

28、的80% ，全球集成电路产业销售额的3% 。布局规划为“一带二区”。 “一带”指以浦东申江路为轴线，以张江高科技园区为核心， 连接金桥出口加工区和外高桥保税区的浦东微电子产业带，总规划面积 22 平方公里。“二区”是指漕河泾新兴技术开发区和松江出口加工区。深 圳目前正抓紧规划建设首期面积三到五平方公里的深圳集成电路产业园区。经认定进入产业园区的集成电路制造企业免收土地使用权出让金、市政配套费和土地开 发费。对 2005 年建成投产的集成电路制造企业给予生产性用电、用水价格补贴；对 2003 年前投资的集成电路项目贷款部分，给予一定的贴息。集成电路企业 为其高级管理和技术骨干购买商品住宅，可获优

29、惠价格；他们及家属落户深圳，不受户口指标限制， 免收增容费。 凡在深圳设立超大规模集成电路前道工序，投资额超过 80 亿元，或线宽等于、小于0.25 微米的集成电路制造企业，均可享受这些优惠措施。在财税政策方面，集成电路制造企业自认定之日起至2010 年底以前，对增值税一般纳税人销售其自行生产的集成电路产品，按 17% 的法定税率征收增值税后，对其增值税实际税负超过6% 的部分实行即征即退。此外，集成电路制造企业可按当年净销售额的15% 提取研发费用，这类企业进口自用生产性原材料、消耗 品，免征关税和进口环节增值税。未来几年的关键技术从 1958 年问世以来，集成电路一直遵循着摩尔定律，向着不

30、断提高集成系统的性能及性能价格比的目标前进。当集成电路制造工艺达到0.1 时，随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，新技术和新材料的研究就显得更加紧迫。超微细线条光刻技术在深亚微米的工艺技术中， 有两种光刻技术的发展前景非常好，即远紫外线（EUV ）和电子束光刻。远紫外线技术一被提出，就引起了众多公司的关注，是目前最有发展前景的亚0.1 微米光刻技术之一。IBM认为， X射线光刻技术可以得到0.07的线宽，这是集成电路2010年将要达到的特征尺寸。此外，还有离子束光刻技术，除了 EUV进展很快， 2001年 4 月，由 Intel 、IBM、AMD 等半导体公司组成的 EUV产业联盟宣布， EUV

31、技术样机已经研制成功。其他光刻技术距实用还有一段距离。铜互连技术当集成电路进入甚大规模阶段后，器件特征尺寸已经进入深亚微米阶段，金属互连在整个集成电路芯片中所占的面积越来越大，金属互连问题也就自然成了今后 集成电路发展的关键。所有这些都要求金属连线的宽度减少、连线层数增加。而连线宽度减小不仅会引起连线电阻增加，电路互连延迟时间增大， 而且还名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 9 页，共 11 页 - - - - - - - - - 会导致电流密度增加，引起电迁移和应力迁移

32、，严重影响电路的可靠性。铝互连线已经不能满足今后甚大规模集成电路发展的需要。与铝相比，铜具有电阻率低（室温）、抗电迁移和应力迁移特性好等优点。目前，铜互连技术正迅速走向实用。 MOTOROLA和 IBM 已于 1998年初分别宣布了他们各自的六层铜互连工艺，并于同年投入批量生产。低 K介质材料随着金属互连层数的增加， 互连金属线之间寄生电容迅速增大，互连介质材料对集成电路性能的影响也变得越来越严重。在前几代集成电路工艺中广泛采用的介 电常数为 4 左右的氧化硅和氮化硅溅射介质层，已不能适应深亚微米集成电路工艺的要求。为了减少寄生连线电容和串扰，在今后的铜多层互连工艺中，必须开发新的低 K 介质

33、材料。现在各大公司正在研制介电常数为1.5 左右、机械、热学特性适用于半导体工艺，特别是铜连线镶嵌工艺的绝缘介质材料。美国TI 公司在 1997年的 IEDM会议上宣布， 他们已经研制成功了一种可变介电常数的半导体材料 XEROGEL，并已用于铜互连工艺。高 K介质材料当器件尺寸进入到亚0.1 m尺度范围时，如果仍然采用 SiO2 作为栅绝缘介质层，其厚度将小于3nm 。在这样的尺度下，栅极与沟道间的直接隧穿将变得非常严重，由此带来了栅对沟道控制的减弱和器件功耗的增加，这是微电子技术进一步发展的限制性因素之一。 克服这种限制的有效方法之一是，采用高介电常数 K 的新型绝缘介质材料，由此减小栅电

34、极与沟道间的直接隧穿电流。SOI（Silicon-On-Insulator）由于 SOI（绝缘衬底上的硅）特有的结构，可以实现集成电路中元器件的绝缘隔离，彻底消除了CMOS 电路中的寄生闩锁效应，同时采用这种材料制作的集成电路，还具有寄生电容小、集成密度高、速度高、工艺简单、短沟道效应小、特别适合于低压低功耗和极短沟CMOS 集成电路等优势，很多微电子学家认为，SOI将成为特征尺寸在0.1 左右、电源电压在左右集成电路的主流技术。SOC （System On Chip ，单芯片系统）即把处理器、 存储器、数字电路和模拟电路等不同功能的电路单元集成在一块芯片上，是未来芯片设计的主流。进一步发展，

35、 可以将各种物理的、 化学的和生物的传感器 （执行信息获取功能）和执行器与信息处理系统集成在一起，从而完成从信息获取、处理、存储、传输到执行的系统功能，这是一个更广义上的系统集成芯片。GeSi与 GaN 等新型半导体器件在硅双极晶体管工艺的基础上引入GeSi/Si 制造异质结晶体管， 可获得更高频率的器件，目前已得到特征频率超过100GHz的器件， IBM和 NEC 已研制出中小规模的集成电路。GaN 等-氮化物半导体具有带隙宽、高热稳定性和化学稳定性，可在名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 10 页，共 11 页 - - - - - - - - - 300的工作温度和恶劣条件下工作。（2001年 5 月 7 日中国计算机报“关注”）名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 11 页，共 11 页 - - - - - - - - -