2022年半导体信息功能材料 .pdf

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1、半导体信息功能材料 11级材料化学陈天炜 01162033 历史发展表明， 半导体信息功能材料和器件是信息科学技术发展的物质基础和先导。晶体管的发明、硅单晶材料和硅集成电路(ICs) 的研制成功，导致了电子工业大革命；光导纤维材料和以砷化镓为基础的半导体激光器的发明，超晶格、 量子阱微结构材料和高速器件的研制成功， 使人类进入到光纤通信、移动通信和高速、宽带信息网络的时代。纳米科学技术的发展和应用， 极有可能触发新的技术革命，必将彻底地改变人类的生产和生活方式。信息技术涉及到信息的获取、发射、传输、接收、存储、显示和处理等方方面面。一. 半导体信息功能材料与器件研究现状1. 半导体硅材料半导体

2、硅材料 (semiconductor silicon)是最主要的元素半导体材料，包括硅多晶、 硅单晶、硅片、硅外延片、非晶硅薄膜等，可直接或间接用于制备半导体器件。制备结晶态硅材料的制备方法通常是先将硅石(SiO2) 在电炉中高温还原为冶金级硅(纯度95% 99%) ，然后将其变为硅的卤化物或氢化物，经提纯，以制备纯度很高的硅多晶。包括硅多晶的西门子法制备、硅多晶的硅烷法制备。在制造大多数半导体器件时，用的硅材料不是硅多晶，而是高完整性的硅单晶。通常用直拉法或区熔法由硅多晶制得硅单晶。目前世界上直拉硅单晶和区熔硅单晶的用量约为9：1，直拉硅主要用于集成电路和晶体管， 其中用于集成电路的直拉硅单

3、晶由于其有明确的规格，且其技术要求严格，成为单独一类称集成电路用硅单晶。区熔硅主要用于制作电力电子元件，纯度极高的区熔硅还用于射线探测器。 硅单晶多年来一直围绕着纯度、物理性质的均匀性、结构完整性及降低成本这些问题而进行研究与开发。材料的纯度主要取决于硅多晶的制备工艺，同时与后续工序的玷污也有密切关系。材料的均匀性主要涉及掺杂剂，特别是氧、 碳含量的分布及其行为，在直拉生长工艺中采用磁场(见磁控直拉法单晶生长)计算机控制或连续送料，使均匀性得到很大改善；对区熔单晶采用中子嬗变掺杂技术，大大改善了均匀性。在结构完整性方面，直拉硅单晶早已采用无位错拉晶工艺，目前工作主要放在氧施主、氧沉淀及其诱生缺

4、陷与杂质的相互作用上。氧在热处理中的行为非常复杂。直拉单晶经300500热处理会产生热施主，而经650以上热处理可消除热施主，同时产生氧沉淀成核中心，在更高温度下处理会产生氧沉淀，形成层错和位错等诱生缺陷，利用这些诱生缺陷能吸收硅中有害金属杂质和过饱和热点缺陷的特性，发展成使器件由源区变成“ 洁净区 ” 的吸除工艺，能有效地提高器件的成品率。对硅单晶锭需经切片、研磨或抛光(见半导体晶片加工)后，提供给器件生产者使用。某些器件还要求在抛光片上生长一层硅外延层，此种材料称硅外延片。非晶硅材料具有连续无规的网格结构，最近邻原子配位数和结晶硅一样，仍为 4，为共价键合，具有短程有序，但是， 键角和键长

5、在一定范围内变化。由于非晶硅也具有分开的价带和导带， 因而有典型的半导体特性，非晶硅从一晶胞到另一晶胞不具有平移对称性，即具名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 7 页 - - - - - - - - - 有长程无序性， 造成带边的定域态和带隙中央的扩展态，非晶硅属亚稳态，具有某些不稳定性。其制备方法有辉光放电分解法等(见太阳电池材料)。半导体硅材料与集成电路硅是当前微电子技术的基础材料，预计到本世纪中叶都不会改变。从提高硅 ICs 成品率、性能和降低成本来看，

6、增大直拉硅单晶的直径，解决硅片直径增大导致的缺陷密度增加和均匀性变差等问题， 仍是今后硅单晶发展的大趋势。预计由 8英寸向 12英寸过渡的硅 ICs工艺将在近年内完成，到2015年后， 12英寸硅片将成为主流产品；随着极大规模硅ICs向更小线宽发展， 是否需要研制更大直径的硅单晶材料，虽存争议， 但更大直径的硅单晶( 如 18英寸等 )研制也在筹划中。从进一步缩小器件的特征尺寸，提高硅ICs的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片将会成为硅材料发展的另一个主要方向。根据 2007年版“国际半导体技术发展路线图”的预测，集成电路的特征线宽，2013年将进入32纳米技

7、术代，晶体管物理栅长将是13 nm，并于 2016年进入到 22纳米技术代，晶体管物理栅长将是 9 nln ；到 2022年，那时的晶体管物理栅长将是45 nln 。这时硅 CMOS技术将接近或达到它的“极限”，摩尔定律将受到物理( 短沟场效应、绝缘氧化物量子隧穿效应、沟道掺杂原子统计涨落、功耗等) 、技术 ( 寄生电阻和电容、互连延迟、光刻技术等) 和经济三方面( 制造成本昂贵 ) 的挑战。 为克服上述器件物理和互连技术限制，人们一方面正在开发诸如高K栅介质、金属栅、双栅多栅器件、 应变沟道和高迁移率材料、铜互连技术 ( 扩散阻挡层 ) 、低介电常数材料、多壁纳米碳管通孔和三维铜互连等；另一

8、方面，在电路设计与制造方面，采用硅基微纳器件混合电路、光电混合集成和系统集成芯片(SOC)技术等，来进一步提高硅ICs 的速度和功能。然而，虽然采取上述措施可以延长摩尔定律的寿命，但硅微电子技术最终难以满足人类对信息量需求的日益增长。为此，人们正在积极探索基于全新原理的材料、器件和电路技术。 如基于量子力学效应的纳米电子( 光电子 ) 技术、 量子信息技术、 光计算技术和分子电子学技术等。“十五”以来，我国极大规模集成电路关键制造装备(8 英寸注入机和刻蚀机等 ) 取得突破，光刻机也有长足进步；以中芯国际有限责任公司等为代表的8，12英寸晶圆代工大型企业的成功建设，已将我国极大规模集成电路的制

9、造水平提高到90一65 nil水平， 大大缩短了与国际水平的差距，预计在2020年左右，可实现与国际同步发展。虽然我国多晶硅材料产业在过去几年里取得了很大进步，但多为6个?9纯度的太阳能级多晶硅，而电子级多晶硅材料几乎全部依赖进口，严重制约我国集成电路产业的发展。我国硅单晶材料以 5， 6英寸为主，其生产能力已达3 400 t以上， 8， 12英寸硅单晶及抛光片，虽已具有小批量生产能力，但尚未应用于集成电路制造。硅外延材料产品主要是4和5英寸的， 6英寸外延片还未实现量产，8，12英寸硅外延片尚处起步阶段。8，12英寸硅抛光片和外延片绝大部分依赖进口。 我国 S01(主要是 SIMOX 圆片技

10、术 ) 研发虽有一定的基础，但在8英寸以上 S01圆片制造方面仍是空白。在SiGe异质结外延材料生长和SiGeHBT 等器件与电路研发的技术水平，特别是生产水平与国外差距很大。2. 硅外延材料在适合的晶体底层上的单个晶体半导体薄膜的生长就是外延生长。底层通常是由和沉积的半导体同种物质的晶体组成，但也不总是这样。 高质量的单晶硅薄膜已经可以在合成蓝宝石或尖晶石 wafer上生长了，因为这些物质都有像硅一样可以让晶核生长的晶体结构。合成蓝宝石或尖晶石的成本超过同尺寸的硅wafer 太多了，所以大多数外延生长沉积还是在硅底层上生长硅薄膜。硅外延是在高温下通过气相化学反应，在抛光的硅单晶片上生长一层或

11、多层硅单晶薄膜通过控制生长条件，可以获得不同电阻率，不同厚度， 及不同型号的外延层主要用于制造名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页，共 7 页 - - - - - - - - - 各种硅集成电路和分立器件，是集成电路和分离点其中重要的基础材料。大直径的硅集成电路芯片生产线均选用硅外延片作为起始材料。3. 一 V族化合物半导体材料与硅相比，一V族化合物材料以其优异的光电性质在高速、大功率、低功耗、低噪音器件、 电路、 光纤通信、 激光光源、 太阳能电池和显示等方面得到

12、了广泛的应用。GaAs ，ImP和GaN 及其微结构材料是目前最重要、应用最广泛的一V族化合物半导体材料。GaAs 和InP单晶材料 GaAs和InP 单晶的发展趋势是增大晶体直径，提高电学和光学微区均匀性，降低缺陷密度和成本。目前，直径为6英寸的 SIGaAs和4英寸的 InP已用于集成电路的制造，但受到硅基GeSi和GaN 基材的挑战， 发展速度有所减缓。位错密度低的 GaAs和InP单晶的垂直梯度凝固生长技术发展很快，很有可能成为单晶生长的主流技术。我国在砷化镓单晶研发方面有较好的基础，进入 2l 世纪后，产业有了较大发展，已拉制出6英寸的大直径砷化镓，形成了年产万片级以上的多条砷化镓单

13、晶片抛光生产线和多条4英寸 GaAs 集成电路生产线。3 4英寸的InP单晶的研制也取得了重要进展。GaAs 和InP基超晶格、量子阱材料以GaAs 和InP 为基的晶格匹配和应变补偿的超晶格、量子阱材料已发展得相当成熟，并成功地用来制造超高速、超高频微电子器件和单片集成电路。目前，InP基双异质结晶体管(HBT)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的最高频率都已进入太赫兹；GaAs 基的微波单片集成电路(MMIC)已从军用高端产品发展到民用产品，2007年市场规模已达30亿美元； 4 500 门HBT集成电路业已研制成功。我国在 InP基HEMT 和HBT 高频器件研究方面也取得可喜成绩，已研制

14、出截止频率大于200 GHz 的ImP基HEMT 和HBT 器件，可基本满足W 波段电路的需求。基于上述材料体系的光通信用13p,m和 15斗m 的量子阱激光器和探测器，红、黄、橙发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器泵源已商品化；表面光发射器件已达到或接近达到实用化水平。目前，研制可工作在40 Gbss以上的 15p,m分布反馈 (DFB) 激光器和电吸收(EA) 调制器单片集成InP基多量子阱材料和超高速驱动电路所需的低维结构材料是解决光纤通信瓶颈问题的关键之一。此外，研制准连续兆瓦级大功率激光阵列用高质量量子阱材料也因其具有极重要的应用背景受到高度重视。自从 1994年美国贝

15、尔实验室发明了基于量子阱子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器(QCLs)以来，QCLs 在向大功率、 高温和单膜工作等研究方面取得了显著的进展。目前， 量子级联激光器的工作波长已覆盖近红外到中、远红外波段 (3 4 145 mm)。我国在应变补偿、短腔长和光子晶体等量子级联激光器研制方面也取得了优异成绩，并已成为能研制这类高质量激光器材料与器件为数不多的几个国家之一。采用量子级联激光器结构来实现THz波段的激射是一个更为前沿的研究领域，现已取得重要进展。4. 宽带隙半导体材料宽带隙半导体材料是指禁带宽度大于27 eV的半导体材料，如III族氮化物、碳化硅、氧化锌 (ZnO)和金刚石等，特别是

16、GaN ，SiC和金刚石薄膜等，因具有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点，成为研制高频大功率、耐高温、 抗辐照半导体微电子器和电路的理想材料；在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景。另外， IIl族氮化物、 ZnO 基材料等也是优良的光电子材料，在短波长发光器件、太阳能光伏电池和紫外探测器等应用方面显示了广泛的应用前景。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 7 页 - - - - - - - - - GaN 基异质外延

17、材料目前， GaN 基蓝、绿 LED 已实现规模生产，年销售额已达数十亿美元。近年来，功率达瓦级( 最大为 5W)的GaN 基蓝、紫光发光二极管的研制成功，使人们看到了固态白光照明的诱人前景； 2006年12月 Nichia 的GaN 基白光 LED 实验室的流明效率已高达150 lm W ；2006年7月Cree公司已开发出流明效率为131 lm W 的白光 LED ；Lumileds 公司在 2007年1月也研制成功了GaN 基115 lIn W 的功率型白光LED 。CaN 基激光器的研制也取得了进展，工作波长在400一450 nm之间，最大室温连续输出光功率已超过O 5 w。GaN 基

18、高温、高功率、高频电子器件研制取得了重大进展，GaN 基FET( 功率场效应管 ) 的最高工作频率( 丘。 ) 已达 140 GHz ，弄=67 GHz截止频率 ) ，跨导为260 mSmm 。GaN 基高频器件工作电流崩塌曾成为器件应用的瓶颈，2003年美国 CREE 公司通过在器件栅极外加11 p,m场片技术， 基本上克服了上述问题，研制出的 GaN HEMT 的功率密度已达33 Wram，PE=548，外加两层场片的器件达40 Wnun，P。 =60；他们还指出采用F类放大可制造P。高达 95以上的微波器件，显示了美好的潜在应用前景。Fujitsu研制出的 GaN HEMT 放大器输出功

19、率达174 W，电压为 63 V 。以GaN 为代表的族氮化物由于缺乏同质衬底材料成为制约族氮化物应用的一个瓶颈问题。目前解决的办法有三，一是制备块状GaN 晶体； 二是发展自支撑GaN 衬底技术。三是发展柔性衬底技术。经过多年的努力，2英寸自支撑 GaN 衬底制备已获得突破，并已有商品出售，但由于价格昂贵等原因，至今尚未被广泛采用。最近得知日本科学家利用“氨热法”，在研制大尺寸 GaN 体单晶方面取得了突破进展。2006年TDI( 国际技术器件公司) 在4英寸 SiC衬底上生长出无裂纹的A1N 单晶薄膜。 AIN和自支撑 GaN 衬底以及 GaN 体单晶的研制成功，将对GaN 基激光器和高温

20、微电子器件和电路研制将起到重要的推动作用。另外，美国加州大学圣巴巴拉分校、日本科学与技术代理处合作在非极性和半极性面生长的GaN 基LED(300300 mill2)的发光效率分别为4l 和 30，注入电流为20 mA时， CW 输出分别为 25 mW 和18 mW 。2008年他们在非极性和半极性蓝宝石面上制备GaN 基LED 取得重大进展，研制成功高达192 lm W 的LED ，为提高 GaN 基 LED 发光效率开辟了一个新的途径，受到人们关注。族氮化物具有很强的压电效应， 利用这种效应开展压电诱导能带工程研究和构建新型器件，是一个有待开展的重要研究方向。碳化硅 (SiC) 和氧化锌

21、(ZnO)材料目前，以 Cree公司为代表的体SiC单晶的研制业已取得突破性进展，2英寸 4H和 6H 的SiC单晶与外延片，以及3英寸的 4HSiC单晶已有商品出售；以SiC为GaN 基材衬底的蓝绿光LED业已上市，参与以蓝宝石为衬底的GaN 基发光器件的竞争。目前存在的主要问题是材料中的缺陷密度较高，价格昂贵。为满足SiC相关高温、高功率电子器件的研制的需求，将微管道(MP)密度降低到小于05 MP cm2 ，将电子迁移率提高到100 em2 Vs以上是非常必要的。ZnO 与其它宽带隙半导体材料相比。具有高的激子束缚能(60 meV) ，极好的抗辐照性能，低的外延生长温度和大尺寸衬底材料等

22、一些独特的优点，有望用于 uV发光二极管与低阈值激光器、 uV探测器和生物传感器以及抗辐照太空探测器等新型ZnO 基光电器件的研制，受到国内外广泛的关注。ZnO 基材和器件应用存在的主要问题是高质量单品薄膜制备，特别是稳定、高浓度的 P 型掺杂困难。经过多年的探索研究，目前，人们在对ZnO 的P型掺杂机理有了比较深入的了解的基础上，已能获得稳定的、空穴浓度为101。 7cm3的P型ZnO 薄膜材料，结合MgznO 和BeZnO 等三元合金制备取得的进展，现已实现了室温ZnO 基LED 的蓝、 紫色发光， 并观察到来自 ZnO BeZnO 和ZnO MgZnO 异质结构或量子阱结构的激射输出。我

23、国在 ZnO 的P 型掺杂研究，高Mg 组分的 Mgzn0合金、ZnO ZnMgO 多量子阱异质结LED 制备等方面也做出了国际先进水平的成果。大尺寸ZnO 体单晶研制虽已取得很大进展，但晶体的质量，特别是晶体的完整名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 7 页 - - - - - - - - - 性尚须进一步提高；另外，高昂的价格也是阻碍其广泛应用的重要原因之一。从整体来看，ZnO 基材料和器件研究虽有进展，但尚无重大突破。高质量ZnO 衬底材料和高质量ZnO

24、单晶薄膜制备以及与其晶格匹配的合金势垒层材料( 如BeZnO 和BeZnO)的制备等是 ZnO 基器件走向应用之前必须要解决的问题；真正实用的ZnO 基光电器件的研制任重道远。单晶金刚石薄膜理论上金刚石薄膜具有比其它宽带隙半导体更为优越的性能，是发展高温、 大功率、 高频电子器件最理想的材料。然而，长期以来大面积单晶金刚石薄膜的制备和N一型掺杂的难题未能突破，致使它的器件应用举步不前。近年来该领域的研究有了长足进步，继2001年Koizumi 等研制成功金刚石紫外PN 结发光管后，2002年， Isberg 等在瑞典的乌布萨拉大学，利用微波等离子体辅助CVD 技术，研制成功了高质量单晶金刚石薄

25、膜。半导体金刚石单晶薄膜的研究虽然已取得进展，如2003年法国、以色列和美国的科学家在同质外延掺硼的P型金刚石薄膜上，采用氘等离子体生长技术和后退火工艺，成功制备出N型高电导率金刚石薄膜( 室温电子浓度7 1016cm3 ，电导率约 2(ftcm)，迁移率 180 cm2Vs)，为高温、高频和大功率半导体金刚石器件的研制打下了基础。2003年9月，日本电报和电话公司(NTr) 嘉数诚小组与德国的 Ulm大学合作，研制成功最高工作频率为81 GHz的毫米波金刚石器件，打破了金刚石器件的国际记录。在优化器件工艺下，他们有希望将输出功率提高到30 W ram。2006年，嘉数诚等又在英国Elemen

26、t Six公司提供的 4英寸多晶金刚石上制作了氢表面沟道FET ，取得了更优异的性能，漏的电流密度达到550 mA mm ，电流增益截止频率为45 GHz ，功率增益最大频率为 120 GHz ，频率为 1GHz 时的输出功率密度达到21 W ram。2007年Ulm大学 Kohn的小组制备的肖特基二极管在300下仍维持 109的整流比，并且在1 000 时 ( 真空中 ) 仍具有整流性能，且器件的反向击穿电场达2 5 MVcm 。日本的研究人员利用500 nm左右的单晶金刚石同质外延薄膜，研制了深紫外光响应度大于l A W ，深紫外太阳光抑制比达8个量级的深紫外探测器，并首次实现了金刚石对火

27、焰的探测。总之， 大面积单晶金刚石薄膜生长和 N型掺杂仍是研究人员长期的奋斗目标，随着研究的不断深入，特别是新概念器件的提出，相信不久的将来，金刚石有望在功率器件和深紫外探测器件等方面得到实际应用。5. 半导体自旋电子学材料和器件电子的自旋， 如同它的电荷一样，是电子的另一个固有的属性。探索载流子的自旋运动规律，实现对其操纵、调控及其应用的科学称之为自旋电子学(Spintron its)。含有铁磁性材料的半导体要实现自旋极化的电子输运，关键在于自旋的有效注入、传输和探测。 自旋极化的电子注入到半导体中，并被人为操控， 可以制成新型的自旋电子器件，用于数据的存储和运算是该领域的研究所追求的目标。

28、由于在In 。Mn，As和Ca。Mn ，As磁性半导体中发现了低温铁磁性，特别是在Til ， Co02， GaI一， Mn 。N，GaI一； Cr,N ，TiI 一； Co。02，ZnI ，Co。O，ZnCrTe等磁性半导体中发现了居里点高于室温的铁磁性，引发了磁性半导体材料的研究热潮，然而由于对磁性的起源不明，研究进展缓慢。 目前主要集中在对铁磁半导体异质结界面的能带结构、自旋电子在异质结界面的散射、自旋注入、 自旋电子在半导体中的输运和对注入自旋电子的探测以及新型自旋电子器件设计等方面。自旋相关器件的研发尚处于探索阶段。近年来，由于空间对称破缺( 晶格或人 T微结构空间反演不对称) 引起的

29、Rashba自旋轨道耦合以及逆自旋霍尔效应导致的涡旋电荷流研究受到关注，研究成果有可能为相关自旋器件研制创造条件。6. 有机光电子材料有机发光材料以其低廉的成本和良好的柔性，在有机发光二极管显示器件(OLEDPLED)，名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 7 页 - - - - - - - - - 在白光照明， OTFET 器件、驱动及微电子技术，有机太阳能光伏电池，有机光电传感和有机激光等方面具有重要应用前景，而受到广泛重视。 有机半导体发光材料是有机光电功

30、能器件的核心。近年来有机半导体发光材料的发光效率及寿命已有了很大的提高，并在手机和MP3显示屏等方面得到实际应用。Sony公司 1 1 英寸有机 OLED 电视机已在市场上出售，27英寸有机OLED 电视机已有展品。只要成本进一步降低，可望很快推向市场。近年来，有机白光照明也取得了重要进展，有机发光管的发光效率已达到100 lmW 的水平，距离应用目标的164lmW 更近了一步。有机太阳能光伏电池是目前国际上研究的另一个热点，光电转换效率已达6，并有较大提升的空间。我国OLED 、太阳能光伏电池技术的研究和开发与国际上基本同步，在过去几年里，我国在有机发光机理研究、材料开发、器件结构设计和生产

31、工艺等方面取得了一批具有自主知识产权的研究成果，部分成果已达到国际先进水平。二. 半导体信息功能材料的发展趋势随着信息载体从电子向光电子和光子的转换步伐的加快，半导体光电信息功能材料也已由体材料发展到薄层、超薄层微结构材料，并正向集材料、器件、电路为一体的功能系统集成芯片材料和纳米结构材料方向发展。材料生长制备的控制精度也将向单原子、单分子尺度发展。从材料体系上看，除硅和硅基材料作为当代微电子技术的基础在2l 世纪中叶不会改变外，化合物半导体微结构材料以其优异的光电性质在高速、低功耗、低噪音器件和电路，特别是光电子器件、光电集成和光子集成等方面发挥着越来越重要的作用；与此同时， 近年来硅和 G

32、aAs ，InP 等一 V族化合物混合集成技术取得的重大进展，使人们看到了硅基混合光电集成的曙光。 有机半导体发光材料以其低廉的成本和良好的柔性，已成为全色高亮度发光材料研发的另一个重要发展方向，预计会在新一代乎板显示材料中占有一席之地。GaN 基紫、蓝、绿异质结构发光材料和器件的研制成功，不仅将使光存储密度成倍增长，而更重要的是它将会引起照明光源的革命，经济效益巨大。 航空、航天以及国防建设的要求推动了宽带隙、高温微电子材料和中远红外激光材料的发展。探索低维结构材料的量子效应及其在未来纳米电子学和纳米光子学方面的应用，特别是基于单光子光源的量子通信技术，基于固态量子比特的量子计算和无机有机生

33、命体复合功能结构材料与器件发展应用，已成为材料科学目前最活跃的研究领域， 并极有可能触发新的技术革命，从而彻底改变人类的生产和生活方式。另外， 从半导体异质结构材料生长制备技术发展的角度看，已由晶格匹配、 小失配材料体系向应变补偿和大失配异质结构材料体系发展。如何避免和消除大失配异质结构材料体系在界面处存在的大量位错和缺陷，是目前材料制备中迫切要解决的关键问题之一，它的解决将为材料科学工作者提供一个广阔的创新空间。参考文献 Referenc,es 1Wang Zhanguo( 王占国 ) 信息功能材料的研究现状和发展趋势J Chemical Industry删Engineering Progr

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35、ss，2008， 3642【4Ye Zhizhen(叶志镇 ) ，Liu Xinyu(刘新宇 ) ，Shao gai( 邵凯 ) ，d a Proceedings of F酗Chinese Symposium on Compounds Semiconduetor 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页，共 7 页 - - - - - - - - - Materials， Microwave Devices and Photoelectric Devices ( 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集 )cCuangzhou：The Editorical Committee Df This Symposium ， 2008：8，20。24。28， 224名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 7 页，共 7 页 - - - - - - - - -