chapter-14-激光和固体的量子理论.ppt
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1、14-1 激光激光激光激光 LaserLight Amplification by Stimulated Emission of Radiation 。 (受激发而辐射的光放大)(受激发而辐射的光放大)一、受激吸收、自发辐射和受激辐射一、受激吸收、自发辐射和受激辐射原子可自发从高能态跃迁到低能态而发光原子可自发从高能态跃迁到低能态而发光自发辐射自发辐射 原子吸收光子后可发生两种过程:从低能态跃迁原子吸收光子后可发生两种过程:从低能态跃迁到高能态到高能态受激吸收受激吸收,也可从高能态跃迁到低,也可从高能态跃迁到低能态能态受激辐射受激辐射。 = (En Em) / h 受激吸收受激吸收(stimu
2、lated absorption) 受激辐射受激辐射 (stimulated radiation) = (En Em)/h 受激辐射光是与外来光的频率、偏振方向、相位受激辐射光是与外来光的频率、偏振方向、相位及传播方向均相同及传播方向均相同的的相干光相干光,有,有光放大光放大作用。作用。受激辐射的光放大为激光的发明奠定了理论基础。受激辐射的光放大为激光的发明奠定了理论基础。 自发辐射自发辐射(spontaneous radiation)各原子自发辐射的光是独立的、无关的非相干光各原子自发辐射的光是独立的、无关的非相干光 。一般地,自发辐射、受激辐射和一般地,自发辐射、受激辐射和受激吸收三种过程
3、受激吸收三种过程 同时存在,爱因斯坦给出了三者之间的关系,且单同时存在,爱因斯坦给出了三者之间的关系,且单 个原子发生受激辐射和受激吸收过程的概率相同。个原子发生受激辐射和受激吸收过程的概率相同。 = (En Em)/h 二、产生激光的基本条件二、产生激光的基本条件受激吸收使光子数减少,受激辐射使光子数增加。受激吸收使光子数减少,受激辐射使光子数增加。哪种跃迁占优势取决于高低能级的原子数。哪种跃迁占优势取决于高低能级的原子数。由大量原子组成的系统,在温度不太低的平衡态,由大量原子组成的系统,在温度不太低的平衡态,原子数目按能级的分布服从原子数目按能级的分布服从玻耳兹曼统计分布玻耳兹曼统计分布:
4、 kTEnnN e若若 E2 E1,则两能级上的原子数目之比为,则两能级上的原子数目之比为 1e1212kTEENN在通常情况下,物质中的原子在低能级上的数目在通常情况下,物质中的原子在低能级上的数目较多,光通过物质时,受激吸收占优势。较多,光通过物质时,受激吸收占优势。E1E2宏观上表现为对光的吸收,达不到对光的放大目的。宏观上表现为对光的吸收,达不到对光的放大目的。1. 粒子数反转粒子数反转要使受激辐射占优势,必须使处在高能级的原子要使受激辐射占优势,必须使处在高能级的原子数多于低能级的原子数,这种分布与正常分布相数多于低能级的原子数,这种分布与正常分布相反,称为反,称为粒子数布居反转分布
5、粒子数布居反转分布。受激辐射占主导地位,宏观上表现为辐射,可实受激辐射占主导地位,宏观上表现为辐射,可实现光的放大。现光的放大。处于粒子数反转分布的介质称为处于粒子数反转分布的介质称为激活介质激活介质,它正它正是激光器的工作物质。是激光器的工作物质。 为了促使粒子数反转的出现,必须内有为了促使粒子数反转的出现,必须内有原子的原子的亚稳态亚稳态,外有外有激励能源激励能源。 在气体激光器中采用在气体激光器中采用 “放放电激励电激励”;在固体或染料激光器中采用;在固体或染料激光器中采用 “(脉冲脉冲)光光激励激励” “泵浦泵浦” 或或 “抽运抽运”。亚稳态亚稳态:一般原子激发态的寿命为一般原子激发态
6、的寿命为10-8 s,但也有些但也有些激发态的寿命长达激发态的寿命长达10-3 s甚至长达甚至长达1s,这种长寿命的这种长寿命的激发态称为亚稳态。激发态称为亚稳态。激活介质的工作模激活介质的工作模式(三能级系统)式(三能级系统)2. 光学谐振腔光学谐振腔作用:得到方向性和单色性很好的激光。作用:得到方向性和单色性很好的激光。 在工作物质的两端安置两块反射镜面,一个是在工作物质的两端安置两块反射镜面,一个是全反射镜,一个是部分反射镜,这对反射镜面及其全反射镜,一个是部分反射镜,这对反射镜面及其间的空间称为间的空间称为光学谐振腔光学谐振腔。 最初的受激辐射源于自发辐射,只有与反射镜最初的受激辐射源
7、于自发辐射,只有与反射镜轴向平行的一定波长的光能在腔内来回反射,产生轴向平行的一定波长的光能在腔内来回反射,产生连锁式的光放大,在一定条件下形成稳定的强光光连锁式的光放大,在一定条件下形成稳定的强光光束,从部分反射镜面输出,得到激光。束,从部分反射镜面输出,得到激光。 谐振腔的定向作用谐振腔的定向作用无谐振腔时无谐振腔时 阈值条件阈值条件 在谐振腔内,除了有光的增益,还存在工作物质在谐振腔内,除了有光的增益,还存在工作物质对光的吸收、散射以及反射镜的吸收和透射等造成的对光的吸收、散射以及反射镜的吸收和透射等造成的各种损耗。增益大于损耗的条件称为各种损耗。增益大于损耗的条件称为阈值条件阈值条件。
8、谐振腔的设计满足阈值条件,才能形成激光输出。谐振腔的设计满足阈值条件,才能形成激光输出。GLGLGLIrrIrIIIIrIII21214153422312e,e,e1e221GLrr阈值条件:阈值条件:设设r1 , r2 为两反射镜的反射率,为两反射镜的反射率,G为谐振腔的增益系数;则有为谐振腔的增益系数;则有三、激光器三、激光器激光器主要由三部分组成:激光器主要由三部分组成: 工作物质、光学谐振腔和激励能源工作物质、光学谐振腔和激励能源按输出方式分:按输出方式分:脉冲输出激光器脉冲输出激光器连续输出激光器连续输出激光器半导体激光器半导体激光器按工作物质分按工作物质分 :气体激光器(如气体激光
9、器(如HeNe,CO2)固体激光器(如红宝石固体激光器(如红宝石Al2O3)液体激光器液体激光器自由电子激光器自由电子激光器 激光器的分类激光器的分类半导体激光器半导体激光器(激光二极管)(激光二极管)红宝石激光器红宝石激光器HeNe激光器激光器1. 红宝石激光器红宝石激光器红宝石晶体的基质是红宝石晶体的基质是Al2O3,晶体内,晶体内掺有约掺有约0.035%的铬离子(的铬离子(Cr3+ )1960年,梅曼,第一台年,梅曼,第一台激光器激光器铬离子在红宝石中的能级铬离子在红宝石中的能级输出激光波长:输出激光波长:694.3 nm 2. 氦氖激光器氦氖激光器内腔式内腔式外腔式外腔式四、激光的特性
10、及其应用四、激光的特性及其应用1. 方向性好方向性好激光束的发散角很小,一般为激光束的发散角很小,一般为 sr101085可用于激光定位、导向、测距等。可用于激光定位、导向、测距等。2. 单色性好单色性好 普通光源中单色性最好的氪灯(普通光源中单色性最好的氪灯(K186),谱线),谱线宽度为宽度为4.710-3 nm,而激光的谱线宽度为,而激光的谱线宽度为10-9 nm。采用稳频等技术还可以进一步提高激光的单色性。采用稳频等技术还可以进一步提高激光的单色性。 可用于计量工作的标准光源。可用于计量工作的标准光源。比普通探照灯窄比普通探照灯窄100多万倍。多万倍。3. 高亮度和高强度高亮度和高强度
11、亮度亮度是指光源在单位面积上,向某一方向的单位是指光源在单位面积上,向某一方向的单位立体角内发射的功率。单位:立体角内发射的功率。单位:W/(m2.sr)太阳表面的亮度约太阳表面的亮度约103 W/(cm2.sr)目前大功率激光器的输出亮度约目前大功率激光器的输出亮度约101017 W/(cm2.sr)可用于激光加工、激光手术、激光武器等。可用于激光加工、激光手术、激光武器等。4. 相干性好相干性好普通光源的相干长度约为普通光源的相干长度约为1毫米至几十厘米,激光毫米至几十厘米,激光可达几十千米。可达几十千米。可用于光学实验、全息照相、全息存储等。可用于光学实验、全息照相、全息存储等。激光测距
12、、激光测距、雷达、制导雷达、制导激光切割金属激光切割金属Laser videodisc with simulated laser beam五、激光冷却五、激光冷却运动着的原子在共振吸收迎面射来的光子后,从基态运动着的原子在共振吸收迎面射来的光子后,从基态过渡到激发态,其动量就减小,速度也就减小了。过渡到激发态,其动量就减小,速度也就减小了。E1E2处于激发态的原子会自发辐射出光子而回到初态,由处于激发态的原子会自发辐射出光子而回到初态,由于反冲会得到动量。但自发辐射出的光子的方向是随于反冲会得到动量。但自发辐射出的光子的方向是随机的,多次自发辐射平均下来并不增加原子的动量。机的,多次自发辐射平
13、均下来并不增加原子的动量。经过多次吸收和自发辐射之后,原子的速度就会明显经过多次吸收和自发辐射之后,原子的速度就会明显地减小,而温度也就降低了。地减小,而温度也就降低了。美国斯坦福大学的华裔科学家朱棣文教授用六束激美国斯坦福大学的华裔科学家朱棣文教授用六束激光以不同的角度照射原子气体,使原子处处受阻,光以不同的角度照射原子气体,使原子处处受阻,集中到光束汇聚点的附近。被激光照射的原子陷于集中到光束汇聚点的附近。被激光照射的原子陷于光子的海洋中,运动不断受到阻碍而减速。光子的海洋中,运动不断受到阻碍而减速。Laser beamMagneto-Optical Trap三维激光冷却三维激光冷却 目前
14、,利用激光冷却方法可以将中性原子冷却目前,利用激光冷却方法可以将中性原子冷却到到20 nK。 1997 Nobel Prize winners 朱棣文朱棣文Cohen-TannoundjiPhillips14-2 固体的能带结构固体的能带结构固体分为晶体和非晶体两大类。本节的固体指的是固体分为晶体和非晶体两大类。本节的固体指的是晶体。晶体。晶体晶体:具有大量分子、原子或离子有规则周期性排:具有大量分子、原子或离子有规则周期性排列的点阵(称列的点阵(称晶格晶格)结构。)结构。晶体的一些各向异性的物理性质与其内在的周期性晶体的一些各向异性的物理性质与其内在的周期性结构有关。结构有关。一、电子共有化
15、一、电子共有化原子中电子的势能原子中电子的势能对于高能级的电子,其能量超过势垒高度,电子可对于高能级的电子,其能量超过势垒高度,电子可以在整个固体中自由运动。对于能量低于势垒高度以在整个固体中自由运动。对于能量低于势垒高度的电子,也有一定的贯穿概率。的电子,也有一定的贯穿概率。 价电子不再为单个原子所有,而为整个晶体所共有价电子不再为单个原子所有,而为整个晶体所共有的现象称为的现象称为电子共有化电子共有化。大量原子构成的晶体中电子的势能为周期势大量原子构成的晶体中电子的势能为周期势二、能带的形成二、能带的形成量子力学表明,晶体中电子共有化的结果,对应于量子力学表明,晶体中电子共有化的结果,对应
16、于原来孤立原子的每一个能级,由于各原子间的相互原来孤立原子的每一个能级,由于各原子间的相互影响,变成了一系列靠得很近的能级,称为影响,变成了一系列靠得很近的能级,称为能带能带。氢原子的能级分裂氢原子的能级分裂晶体中的能级分裂晶体中的能级分裂晶体中若有晶体中若有N(很大)个原子,每一个能级分裂成(很大)个原子,每一个能级分裂成N个个靠得很近的能级,两能级的间距约靠得很近的能级,两能级的间距约10-22 eV能带。能带。内层电子的能带较窄,内层电子的能带较窄,外层电子的能带较宽。外层电子的能带较宽。 能带的宽度与晶格常量、能带序数(能带的宽度与晶格常量、能带序数(s带、带、p带、带、d 带带)等因
17、素有关。)等因素有关。点阵间距越小,能带越宽。点阵间距越小,能带越宽。三、满带、导带和禁带三、满带、导带和禁带按照泡利不相容原理每一能带最多能容纳的电子数按照泡利不相容原理每一能带最多能容纳的电子数为为 2N (2l+1) 个。个。按照能量最小原理,电子从最低的能带开始填充。按照能量最小原理,电子从最低的能带开始填充。深层能级对应的能带是被深层能级对应的能带是被电子填满的,对应的能带电子填满的,对应的能带为为满带满带;最外层价电子对应的能带最外层价电子对应的能带为为价带价带;该带可以是满带,;该带可以是满带,也可以是被电子部分填充也可以是被电子部分填充的;的;在相邻的两个能带之间,可在相邻的两
18、个能带之间,可以有不存在电子稳定能态的以有不存在电子稳定能态的能量区域,称为能量区域,称为禁带禁带。价带之上的能带没有分布电子,称为价带之上的能带没有分布电子,称为空带空带。未排满电子的价带和未排满电子的价带和紧靠价带的空带又称为紧靠价带的空带又称为导带导带。四、导体、半导体和绝缘体四、导体、半导体和绝缘体m108导体导体绝缘体绝缘体m108半导体半导体按能带论,不同的导电性能,是因为它们的能带按能带论,不同的导电性能,是因为它们的能带结构不同。结构不同。在能带论的基础上可以证明,一个完全充满的在能带论的基础上可以证明,一个完全充满的能带即使有电场存在也形不成电流。能带即使有电场存在也形不成电
19、流。绝缘体绝缘体:价带满,且禁带宽(:价带满,且禁带宽( Eg=36 eV)半导体半导体:价带满,但禁带窄(:价带满,但禁带窄( Eg=0.11.5 eV)导导 体体:价带不满或价带与其他空带有交叠。:价带不满或价带与其他空带有交叠。14-3 半导体半导体一、电子和空穴一、电子和空穴当半导体中电子从满带跃迁到导带后,满带中就出当半导体中电子从满带跃迁到导带后,满带中就出现了空位,称为现了空位,称为空穴空穴。电子导电电子导电:导带中的电子在外电场作用下的定向运动。:导带中的电子在外电场作用下的定向运动。空穴导电空穴导电:满带中存在空穴的情况下,电子在满带内:满带中存在空穴的情况下,电子在满带内的
20、迁移,相当于空穴沿相反方向运动,等效一个带正的迁移,相当于空穴沿相反方向运动,等效一个带正电的粒子的运动。电的粒子的运动。本征半导体本征半导体是指纯净的半导体。是指纯净的半导体。本征半导体导带上的电子和满带上的空穴总是成对出本征半导体导带上的电子和满带上的空穴总是成对出现的,兼有电子导电和空穴导电现的,兼有电子导电和空穴导电本征导电。本征导电。二、杂质的影响二、杂质的影响杂质半导体杂质半导体是指在纯净的半导体中掺有杂质,包括:是指在纯净的半导体中掺有杂质,包括:n型半导体和型半导体和 p 型半导体型半导体 。在四价的本征半导体硅(在四价的本征半导体硅(Si)或锗(或锗(Ge) 等中掺入少量五等
21、中掺入少量五价的杂质元素磷(价的杂质元素磷(P)或砷)或砷(As)等后形成电子型半导)等后形成电子型半导体称为体称为n 型半导体型半导体。杂质元素的五个价电子的四个杂质元素的五个价电子的四个价电子与硅或锗形成共价键,价电子与硅或锗形成共价键,多提供的一个电子与杂质原子多提供的一个电子与杂质原子结合较弱。结合较弱。可以证明:可以证明: 多余电子的能级处在禁带中紧靠空带多余电子的能级处在禁带中紧靠空带处,该能级称为处,该能级称为施主能级。施主能级。施主能级上的电子施主能级上的电子极易激发到导带底形成电子导电,极易激发到导带底形成电子导电,从而导电性大大增强。从而导电性大大增强。n 型半导体以电子导
22、电为主。型半导体以电子导电为主。在四价的本征半导体硅(在四价的本征半导体硅(Si)或锗()或锗(Ge)中掺入少)中掺入少量三价的杂质元素硼(量三价的杂质元素硼(B)或镓()或镓(Ga)等形成空穴)等形成空穴型半导体称为型半导体称为 p 型半导体型半导体。杂质元素的三个价电子的杂质元素的三个价电子的与硅或锗形成共价键时还与硅或锗形成共价键时还缺一个电子,或提供了一缺一个电子,或提供了一个空穴,该空穴杂质原子个空穴,该空穴杂质原子结合较弱。结合较弱。可以证明,这些空穴的能级处在禁带中紧靠满带可以证明,这些空穴的能级处在禁带中紧靠满带处,该这些空着的能级称为处,该这些空着的能级称为受主能级。受主能级
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