云浮碳化硅器件项目建议书(参考范文).docx
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1、泓域咨询/云浮碳化硅器件项目建议书目录第一章 项目总论7一、 项目名称及投资人7二、 编制原则7三、 编制依据8四、 编制范围及内容8五、 项目建设背景8六、 结论分析9主要经济指标一览表11第二章 项目背景分析14一、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低14二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代15三、 推动绿色低碳发展,加强生态文明建设16四、 项目实施的必要性17第三章 行业、市场分析18一、 射频:5G推动GaN-on-SiC需求提升18二、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力18三、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规
2、模将达到30.1亿美元19第四章 建筑技术方案说明21一、 项目工程设计总体要求21二、 建设方案23三、 建筑工程建设指标25建筑工程投资一览表25第五章 选址可行性分析27一、 项目选址原则27二、 建设区基本情况27三、 促进城乡区域协调发展,提升新型城镇化质量29四、 全面深化改革,推进高水平对外开放30五、 项目选址综合评价30第六章 产品方案分析32一、 建设规模及主要建设内容32二、 产品规划方案及生产纲领32产品规划方案一览表33第七章 法人治理34一、 股东权利及义务34二、 董事37三、 高级管理人员41四、 监事43第八章 运营管理46一、 公司经营宗旨46二、 公司的目
3、标、主要职责46三、 各部门职责及权限47四、 财务会计制度50第九章 SWOT分析57一、 优势分析(S)57二、 劣势分析(W)59三、 机会分析(O)59四、 威胁分析(T)61第十章 发展规划66一、 公司发展规划66二、 保障措施70第十一章 节能方案说明73一、 项目节能概述73二、 能源消费种类和数量分析74能耗分析一览表75三、 项目节能措施75四、 节能综合评价77第十二章 组织机构及人力资源78一、 人力资源配置78劳动定员一览表78二、 员工技能培训78第十三章 原辅材料分析80一、 项目建设期原辅材料供应情况80二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理80第十四章 项目投
4、资计划82一、 编制说明82二、 建设投资82建筑工程投资一览表83主要设备购置一览表84建设投资估算表85三、 建设期利息86建设期利息估算表86固定资产投资估算表87四、 流动资金88流动资金估算表89五、 项目总投资90总投资及构成一览表90六、 资金筹措与投资计划91项目投资计划与资金筹措一览表91第十五章 项目经济效益93一、 经济评价财务测算93营业收入、税金及附加和增值税估算表93综合总成本费用估算表94固定资产折旧费估算表95无形资产和其他资产摊销估算表96利润及利润分配表98二、 项目盈利能力分析98项目投资现金流量表100三、 偿债能力分析101借款还本付息计划表102第十
5、六章 项目风险防范分析104一、 项目风险分析104二、 项目风险对策106第十七章 总结109第十八章 附表附录110主要经济指标一览表110建设投资估算表111建设期利息估算表112固定资产投资估算表113流动资金估算表114总投资及构成一览表115项目投资计划与资金筹措一览表116营业收入、税金及附加和增值税估算表117综合总成本费用估算表117固定资产折旧费估算表118无形资产和其他资产摊销估算表119利润及利润分配表120项目投资现金流量表121借款还本付息计划表122建筑工程投资一览表123项目实施进度计划一览表124主要设备购置一览表125能耗分析一览表125本报告为模板参考范文
6、,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目总论一、 项目名称及投资人(一)项目名称云浮碳化硅器件项目(二)项目投资人xxx有限责任公司(三)建设地点本期项目选址位于xxx(以选址意见书为准)。二、 编制原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠,保证项目投产后,能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠,并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施,以降低投资,加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环
7、境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求,符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案,以最大程度减少投资,提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性,实事求是地作出研究结论。三、 编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托;2、国家和地方有关政策、法规、规划;3、现行有关技术规范、标准和规定;4、相关产业发展规划、政策;5、项目承办单位提供的基础资料。四、 编制范围及内容按照项目建设公司的发展规划,依据有关规定,就本项目提出的背景及建设的必要性、建设
8、条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究,并提出研究结论。五、 项目建设背景全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本,同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究,采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC,可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率,而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC器件的性能可减少DC/
9、DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管,SiC基功率器件的成本更高,但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。当前和今后一个时期,我国仍处于重要战略机遇期,机遇和挑战都有新的发展变化。国际环境日趋复杂,不稳定性不确定性明显增加。我国发展不平衡不充分问题仍然比较突出,重点领域关键环节改革任务仍然艰巨,创新能力亟待增强,农业基础还不稳固,城乡区域发展不够平衡,收入分配差距较大,生态环保任重道远,民生保障尚存短板,社会治理还有弱项。要增强忧患意识,保持战略定力,坚定必胜信心,集中力量办好自己的事情,善于在危机中育先机、于变局中开新局,推动经济社会高质
10、量发展。六、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约94.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx吨碳化硅器件的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资45300.43万元,其中:建设投资37409.47万元,占项目总投资的82.58%;建设期利息969.25万元,占项目总投资的2.14%;流动资金6921.71万元,占项目总投资的15.28%。(五)资金筹措项目总投资45300.43万元,根据资金筹措方案,xxx有限责任公
11、司计划自筹资金(资本金)25519.79万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额19780.64万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):78500.00万元。2、年综合总成本费用(TC):66062.17万元。3、项目达产年净利润(NP):9050.05万元。4、财务内部收益率(FIRR):13.16%。5、全部投资回收期(Pt):6.92年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):38754.11万元(产值)。(七)社会效益该项目符合国家有关政策,建设有着较好的社会效益,建设单位为此做了大量工作,建议各有关部门给予大力支持,使其早日建成发挥效益。本项目
12、实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积62667.00约94.00亩1.1总建筑面积105648.561.2基底面积40106.881.3投资强度万元/亩394.102总投资万元45300.432.1建设投资万元37409.472.1.1工程费用万元32858.592.1.2其他费用万元3646.812.1.3预备费万元904.072.2建设期利息万元969.252.3流
13、动资金万元6921.713资金筹措万元45300.433.1自筹资金万元25519.793.2银行贷款万元19780.644营业收入万元78500.00正常运营年份5总成本费用万元66062.176利润总额万元12066.737净利润万元9050.058所得税万元3016.689增值税万元3092.5010税金及附加万元371.1011纳税总额万元6480.2812工业增加值万元23297.7913盈亏平衡点万元38754.11产值14回收期年6.9215内部收益率13.16%所得税后16财务净现值万元3891.85所得税后第二章 项目背景分析一、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统
14、成本降低OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管(IGBT、MOSFET等)是OBC中主要应用的功率器件,采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1)影响二极管损耗的指标包括正向导通压降(VF)、反向恢复电流(IR)、输入电容(QC)和开通关断速度等。相比于硅基SBD,SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计,使得反向恢复损耗极低,在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时,QC、VF两个主要
15、参数相比硅基二极管也具有优势,在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时,由于SiC材料的优势,SiC二极管的结温更高,其可在更高温度下保持正常工作状态,在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外,SiC二极管可实现更高频率及功率密度,从而提升系统整体效率。全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本,同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究,采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC,可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系
16、统效率,而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管,SiC基功率器件的成本更高,但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代大功率直流充电桩需求旺盛,SiC协力实现高效快充。政策方面,2020年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一;2020年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设,提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高,一个
17、150kW的直流充电器可以在大约15分钟内为电动汽车增加200公里续航,随电动汽车渗透率进一步提高,直流电充电方案需求将同步提升。Yole预计2020-2025年,全球200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过30%的CAGR增长,高于平均的15.6%。SiC器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势,可被广泛应用于电动车直流充电方案中AD-DCPFC、DC-DC以及闸门驱动器等环节中,实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在DC/DC中,使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650
18、V硅基MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路,所用器件数量减少50%,提升电路整体效率。同样在AC/DC中,使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构,器件数量减少50%实现效率提升。同时,SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上,SiC方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。SiC二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌,在48kHz下,采用SiC二极管替代Si二极管,可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率,可实现最多80%输出功率的提升。三、 推动绿色低碳发展,加强生态文
19、明建设坚持山水林田湖草系统治理,推进生态系统保护和修复。深入打好污染防治攻坚战,强化多污染物协同控制和区域协同治理,完善市场化、多元化生态补偿,持续改善环境质量。积极应对气候变化,抓紧制定2030年前碳排放达峰行动方案,完善能源消费总量和强度双控制度,加快发展方式绿色转型。积极参与和引领应对气候变化等生态环保国际合作。健全现代生态环境治理体系,建立地上地下、陆海统筹的生态环境治理制度。四、 项目实施的必要性(一)提升公司核心竞争力项目的投资,引入资金的到位将改善公司的资产负债结构,补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力,降低公司财务费用水平,提升公司盈利能力,促进公司的进一步发展。同时
20、资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持,提高公司核心竞争力。第三章 行业、市场分析一、 射频:5G推动GaN-on-SiC需求提升5G发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长,市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数,5G通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势,在功率放大器上的应用可满足5G通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前5G新建基站仍使用LDMOS功率放大器,但随5G技术进一步发展,MIMO基站建立需使用氮化镓
21、功率放大器,氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续提升。据Yole和Wolfspeed预测,2024年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破20亿美元,2027年进一步增长至35亿美元。根据预测,受益5G通讯快速发展,通讯频段向高频迁移,基站和通信设备需要支持高频性能的PA,碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基LDMOS和GaAs的优势将逐步凸显,2020年全球碳化硅射频器件市场规模为8.92亿美元,预计到2025年将增长至21.21亿美元,对应CAGR为18.9%,和Yole和Wolfspeed预测基本一致。二、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力SiC功率器件主要包括SB
22、D、JFET、MOSFET和模块,在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期,主要器件类型为SiC二极管,以及在高端车系应用,目前渗透率较低。未来随着:1)特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”,更多车企将会逐步采用SiC方案;2)碳化硅器件价格逐步下降,成本经济效益不断提升;3)800V架构时代来临,SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显,损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018年,特斯拉Model3率先使用由意法半导体提供的SiCMOSFET,开启电动汽车
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