盘锦碳化硅器件项目招商引资方案(参考模板).docx
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1、泓域咨询/盘锦碳化硅器件项目招商引资方案盘锦碳化硅器件项目招商引资方案xx投资管理公司目录第一章 市场预测9一、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力9二、 SiC材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局10三、 工控:SiC模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方位渗透10第二章 项目背景分析12一、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高12二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代14三、 射频:5G推动GaN-on-SiC需求提升15四、 提高科技成果转移转化成效16第三章 项目总论17一、 项目名称及投资人17二、 编制原则17三、 编制依
2、据18四、 编制范围及内容18五、 项目建设背景19六、 结论分析20主要经济指标一览表22第四章 建设方案与产品规划25一、 建设规模及主要建设内容25二、 产品规划方案及生产纲领25产品规划方案一览表25第五章 建筑工程说明27一、 项目工程设计总体要求27二、 建设方案27三、 建筑工程建设指标28建筑工程投资一览表28第六章 运营模式30一、 公司经营宗旨30二、 公司的目标、主要职责30三、 各部门职责及权限31四、 财务会计制度34第七章 发展规划38一、 公司发展规划38二、 保障措施44第八章 SWOT分析说明46一、 优势分析(S)46二、 劣势分析(W)48三、 机会分析(
3、O)48四、 威胁分析(T)49第九章 技术方案55一、 企业技术研发分析55二、 项目技术工艺分析57三、 质量管理59四、 设备选型方案60主要设备购置一览表60第十章 建设进度分析62一、 项目进度安排62项目实施进度计划一览表62二、 项目实施保障措施63第十一章 节能分析64一、 项目节能概述64二、 能源消费种类和数量分析65能耗分析一览表66三、 项目节能措施66四、 节能综合评价67第十二章 组织机构及人力资源68一、 人力资源配置68劳动定员一览表68二、 员工技能培训68第十三章 项目环境保护71一、 编制依据71二、 环境影响合理性分析71三、 建设期大气环境影响分析72
4、四、 建设期水环境影响分析73五、 建设期固体废弃物环境影响分析73六、 建设期声环境影响分析74七、 建设期生态环境影响分析74八、 清洁生产75九、 环境管理分析77十、 环境影响结论79十一、 环境影响建议79第十四章 投资方案分析80一、 编制说明80二、 建设投资80建筑工程投资一览表81主要设备购置一览表82建设投资估算表83三、 建设期利息84建设期利息估算表84固定资产投资估算表85四、 流动资金86流动资金估算表87五、 项目总投资88总投资及构成一览表88六、 资金筹措与投资计划89项目投资计划与资金筹措一览表89第十五章 项目经济效益分析91一、 基本假设及基础参数选取9
5、1二、 经济评价财务测算91营业收入、税金及附加和增值税估算表91综合总成本费用估算表93利润及利润分配表95三、 项目盈利能力分析95项目投资现金流量表97四、 财务生存能力分析98五、 偿债能力分析99借款还本付息计划表100六、 经济评价结论100第十六章 项目招投标方案102一、 项目招标依据102二、 项目招标范围102三、 招标要求102四、 招标组织方式103五、 招标信息发布103第十七章 项目风险评估104一、 项目风险分析104二、 项目风险对策106第十八章 项目综合评价108第十九章 附表110主要经济指标一览表110建设投资估算表111建设期利息估算表112固定资产投
6、资估算表113流动资金估算表114总投资及构成一览表115项目投资计划与资金筹措一览表116营业收入、税金及附加和增值税估算表117综合总成本费用估算表117固定资产折旧费估算表118无形资产和其他资产摊销估算表119利润及利润分配表120项目投资现金流量表121借款还本付息计划表122建筑工程投资一览表123项目实施进度计划一览表124主要设备购置一览表125能耗分析一览表125报告说明国内外厂商大规模扩产,但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段,海内外厂商均加速扩产,但应避免重复建设的问题,造成产能无序扩张。根据谨慎财务估算,项目总投资
7、33518.96万元,其中:建设投资26723.37万元,占项目总投资的79.73%;建设期利息387.86万元,占项目总投资的1.16%;流动资金6407.73万元,占项目总投资的19.12%。项目正常运营每年营业收入58200.00万元,综合总成本费用49674.04万元,净利润6200.72万元,财务内部收益率12.20%,财务净现值-1073.20万元,全部投资回收期6.83年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。由上可见,无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风
8、险能力,因而项目是可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 市场预测一、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力SiC功率器件主要包括SBD、JFET、MOSFET和模块,在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期,主要器件类型为SiC二极管,以及在高端车系应用,目前渗透率较低。未来随着:1)特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”,更多车企将会逐步采用SiC方案;2)碳化硅器件价格逐
9、步下降,成本经济效益不断提升;3)800V架构时代来临,SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显,损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018年,特斯拉Model3率先使用由意法半导体提供的SiCMOSFET,开启电动汽车使用SiC先河,随后比亚迪、保时捷、丰田等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中,在2020年比亚迪汉搭载自主研发制造的SiCMOSFET控制模块,整体加速性能及续航能力均得到显著提升。2021年,碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速增长阶段,国内外众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告
10、信息,在未来几年,小鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的厂商将在其新车型中使用SiC器件,新能源汽车中应用SiC器件以提升性能、实现轻量化为大势所趋。二、 SiC材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局相比于Si,SiC衬底和外延为制造产业链核心环节,合计价值量占比超60%。在传统硅基器件制造过程中,需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤,从而产生更高附加值。SiC材料则仅用于分立器件制造,其前端工艺难度不大,而衬底和外延需在高温、高压环境中生成,生长速度缓慢,为关键技术难点,占据产业链主要价值量。据CASAResearch数据显示,在传统硅基器件中,硅片前道处理
11、附加价值量达到80%,衬底和外延环节仅占11%;而在碳化硅器件的成本构成中,衬底和外延占比分别为50%和25%,合计达到75%,为产业链中价值量最高环节。此外,衬底和外延质量对器件性能优劣起至关重要作用,提升其良率为碳化硅器件制备主要攻克目标。三、 工控:SiC模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方位渗透轨道交通方面,碳化硅器件应用于轨道交通牵引变流器能极大发挥碳化硅器件高温、高频和低损耗特性,提高牵引变流器装置效率,符合轨道交通大容量、轻量化和节能型牵引变流装置的应用需求,从而提升系统的整体效能。根据Digitimes,2014年日本小田急电铁新型通勤车辆配备了三菱电机3300V、15
12、00A全碳化硅功率模块逆变器,开关损耗降低55%、体积和重量减少65%、电能损耗降低20%至36%。智能电网方面,相比其他电力电子装置,电力系统要求更高的电压、更大的功率容量和更高的可靠性,碳化硅器件突破了硅基功率半导体器件在大电压、高功率和高温度方面的限制所导致的系统局限性,并具有高频、高可靠性、高效率、低损耗等独特优势,在固态变压器、柔性交流输电、柔性直流输电、高压直流输电及配电系统等应用方面推动智能电网的发展和变革。此外碳化硅功率器件在风力发电、工业电源、航空航天等领域也已实现成熟应用。综上, 2020年全球SiC功率器件市场规模为2.92亿美元,受新能源车、光伏、工控等需求驱动,预计到
13、2025年将增长至38.58亿美元,对应CAGR为67.6%。2025年新能源车、新能源发电、工控占SiC功率器件市场规模比重分别为77.88/13.71/8.41%。第二章 项目背景分析一、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟,主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录(2021年版),碳化硅衬底可分为两类,一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,经GaN外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”,去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻
14、率(电阻率1530mcm)的导电型碳化硅衬底,经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、SiCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标,在PVT法下,相较半绝缘型衬底其生产难度更低,但在生产过程中,电阻率易发生分布不均情况,仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数,可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指
15、标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿,各厂商都在致力于未来降低微管密度,部分龙头碳化硅企业如II-VI可将4-6寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2以下,国内厂商的产品微管密度基本在0.5-5cm-2,存在差距。同时,国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟,预计国产碳化硅产品种类不断丰富,产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产,但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈
16、地的阶段,海内外厂商均加速扩产,但应避免重复建设的问题,造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐,投资金额超240亿元、规划年产能超420万片。中国企业呈现小而散的局面,综合Yole等第三方机构数据,2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动,我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐,积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计,截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元,规划产能超过420万片/年(等效6寸),对比CASA的数据,2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/年(等效6寸)。国内目前仅山东天岳、天科合
17、达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力,且以4寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产,但受衬底良率及质量等因素影响,实际产能或严重不足。二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代大功率直流充电桩需求旺盛,SiC协力实现高效快充。政策方面,2020年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一;2020年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设,提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高,一个150kW的直流充电器可以在大约15分钟内为电动汽车增加200公里续航,随电动汽车渗透率进一步提高,直流电充电方案需求将
18、同步提升。Yole预计2020-2025年,全球200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过30%的CAGR增长,高于平均的15.6%。SiC器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势,可被广泛应用于电动车直流充电方案中AD-DCPFC、DC-DC以及闸门驱动器等环节中,实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在DC/DC中,使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路,所用器件数量减少50%,提升电路
19、整体效率。同样在AC/DC中,使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构,器件数量减少50%实现效率提升。同时,SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上,SiC方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。SiC二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌,在48kHz下,采用SiC二极管替代Si二极管,可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率,可实现最多80%输出功率的提升。三、 射频:5G推动GaN-on-SiC需求提升5G发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长,市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通
20、讯距离、信号质量等关键参数,5G通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势,在功率放大器上的应用可满足5G通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前5G新建基站仍使用LDMOS功率放大器,但随5G技术进一步发展,MIMO基站建立需使用氮化镓功率放大器,氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续提升。据Yole和Wolfspeed预测,2024年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破20亿美元,2027年进一步增长至35亿美元。根据预测,受益5G通讯快速发展,通讯频段向高频迁移,基站和通信设备需要支持高频性能的P
21、A,碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基LDMOS和GaAs的优势将逐步凸显,2020年全球碳化硅射频器件市场规模为8.92亿美元,预计到2025年将增长至21.21亿美元,对应CAGR为18.9%,和Yole和Wolfspeed预测基本一致。四、 提高科技成果转移转化成效完善科技创新体制机制,健全并落实支持成果转化的政策措施,加强知识产权保护,推动重点领域项目、基地、人才、资金一体化配置。发挥政府引导基金作用,引进和培育天使基金、风投基金,形成以企业为主体的多元化投资体系。全年科技成果转移转化60项以上。第三章 项目总论一、 项目名称及投资人(一)项目名称盘锦碳化硅器件项目(二)项目投资人xx投资
22、管理公司(三)建设地点本期项目选址位于xx。二、 编制原则坚持以经济效益为中心,社会效益和不境效益为重点指导思想,以技术先进、经济可行为原则,立足本地、面向全国、着眼未来,实现企业高质量、可持续发展。1、优化规划方案,尽可能减少工程项目的投资额,以求得最好的经济效益。2、结合厂址和装置特点,总图布置力求做到布置紧凑,流程顺畅,操作方便,尽量减少用地。3、在工艺路线及公用工程的技术方案选择上,既要考虑先进性,又要确保技术成熟可靠,做到先进、可靠、合理、经济。4、结合当地有利条件,因地制宜,充分利用当地资源。5、根据市场预测和当地情况制定产品方向,做到产品方案合理。6、依据环保法规,做到清洁生产,
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