遂宁碳化硅衬底设备项目商业计划书范文参考.docx
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1、泓域咨询/遂宁碳化硅衬底设备项目商业计划书遂宁碳化硅衬底设备项目商业计划书xxx有限责任公司目录第一章 总论8一、 项目名称及投资人8二、 项目建设背景8三、 结论分析8主要经济指标一览表10第二章 市场分析13一、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒13二、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临14三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越15第三章 背景、必要性分析18一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心18二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期19三、 构建现代产业体系21第四章 项目投资主体概况25一、 公司基本信
2、息25二、 公司简介25三、 公司竞争优势26四、 公司主要财务数据27公司合并资产负债表主要数据27公司合并利润表主要数据27五、 核心人员介绍28六、 经营宗旨29七、 公司发展规划30第五章 SWOT分析说明32一、 优势分析(S)32二、 劣势分析(W)33三、 机会分析(O)34四、 威胁分析(T)34第六章 法人治理结构42一、 股东权利及义务42二、 董事44三、 高级管理人员48四、 监事51第七章 运营管理53一、 公司经营宗旨53二、 公司的目标、主要职责53三、 各部门职责及权限54四、 财务会计制度57第八章 发展规划61一、 公司发展规划61二、 保障措施62第九章
3、创新发展65一、 企业技术研发分析65二、 项目技术工艺分析67三、 质量管理68四、 创新发展总结69第十章 风险评估分析70一、 项目风险分析70二、 项目风险对策72第十一章 项目实施进度计划75一、 项目进度安排75项目实施进度计划一览表75二、 项目实施保障措施76第十二章 产品方案与建设规划77一、 建设规模及主要建设内容77二、 产品规划方案及生产纲领77产品规划方案一览表77第十三章 建筑工程方案分析79一、 项目工程设计总体要求79二、 建设方案80三、 建筑工程建设指标80建筑工程投资一览表80第十四章 投资方案分析82一、 投资估算的依据和说明82二、 建设投资估算83建
4、设投资估算表87三、 建设期利息87建设期利息估算表87固定资产投资估算表89四、 流动资金89流动资金估算表90五、 项目总投资91总投资及构成一览表91六、 资金筹措与投资计划92项目投资计划与资金筹措一览表92第十五章 项目经济效益94一、 经济评价财务测算94营业收入、税金及附加和增值税估算表94综合总成本费用估算表95固定资产折旧费估算表96无形资产和其他资产摊销估算表97利润及利润分配表99二、 项目盈利能力分析99项目投资现金流量表101三、 偿债能力分析102借款还本付息计划表103第十六章 总结105第十七章 附表107建设投资估算表107建设期利息估算表107固定资产投资估
5、算表108流动资金估算表109总投资及构成一览表110项目投资计划与资金筹措一览表111营业收入、税金及附加和增值税估算表112综合总成本费用估算表113固定资产折旧费估算表114无形资产和其他资产摊销估算表115利润及利润分配表115项目投资现金流量表116报告说明成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。根据谨慎财务
6、估算,项目总投资15530.59万元,其中:建设投资11979.14万元,占项目总投资的77.13%;建设期利息308.99万元,占项目总投资的1.99%;流动资金3242.46万元,占项目总投资的20.88%。项目正常运营每年营业收入31500.00万元,综合总成本费用26608.90万元,净利润3568.28万元,财务内部收益率15.78%,财务净现值1591.39万元,全部投资回收期6.61年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。此项目建设条件良好,可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施,项目投资省、见效快;此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经
7、济合理、低耗优质”的原则,技术先进,成熟可靠,投产后可保证达到预定的设计目标。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 总论一、 项目名称及投资人(一)项目名称遂宁碳化硅衬底设备项目(二)项目投资人xxx有限责任公司(三)建设地点本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准)。二、 项目建设背景据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环
8、寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。三、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准),占地面积约36.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资15530.59万元,其中:建设投资11979.14万元,占项目总投资的77.13%;建设期利息308.99万元,占项目总投资的1.99%;流动资金3242.46万元,占项目总投资的20.88%。(
9、五)资金筹措项目总投资15530.59万元,根据资金筹措方案,xxx有限责任公司计划自筹资金(资本金)9224.71万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额6305.88万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):31500.00万元。2、年综合总成本费用(TC):26608.90万元。3、项目达产年净利润(NP):3568.28万元。4、财务内部收益率(FIRR):15.78%。5、全部投资回收期(Pt):6.61年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):14430.76万元(产值)。(七)社会效益该项目符合国家有关政策,建设有着较好的社会效益,建设单位
10、为此做了大量工作,建议各有关部门给予大力支持,使其早日建成发挥效益。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积24000.00约36.00亩1.1总建筑面积45021.841.2基底面积15360.001.3投资强度万元/亩327.602总投资万元15530.592.1建设投资万元11979.142.1.1工程费用万元10370.542.1.2其他费用万元1298.06
11、2.1.3预备费万元310.542.2建设期利息万元308.992.3流动资金万元3242.463资金筹措万元15530.593.1自筹资金万元9224.713.2银行贷款万元6305.884营业收入万元31500.00正常运营年份5总成本费用万元26608.906利润总额万元4757.707净利润万元3568.288所得税万元1189.429增值税万元1111.7410税金及附加万元133.4011纳税总额万元2434.5612工业增加值万元8240.1913盈亏平衡点万元14430.76产值14回收期年6.6115内部收益率15.78%所得税后16财务净现值万元1591.39所得税后第二章
12、 市场分析一、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高,设备+工艺合作研发是关键。长晶炉:主要由衬底制造厂商自研开发,可基本实现国产化(与传统晶硅级长晶炉有相同性,炉子结构不是非常复杂),市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT(物理气相传输)的技术路线,温度很高,不可实施监控,难点不在设备本身,而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样,也是各家的核心机密所在,只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括:Wo
13、lfspeed,Aymont,Aixtron,LHT,中国电科二所,山东天岳,天科合达,中科院硅酸盐所,中国电科四十六所等。切片机:碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似,但因为碳化硅属于硬质材料(莫氏硬度达9.5,除金刚石以外世界上第二硬的材料),切割难度非常大,切一刀可能需几百个小时,对系统设备的稳定性很高,国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备(金刚石多线切割机)占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备:和传统硅机台基本类似,主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括:日本不二越、韩
14、国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。二、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产
15、业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提
16、供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。三、 第三代半导体之星,高压、高功率应
17、用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光
18、伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能
19、在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。第三章 背景、必要性分析一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳
20、化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(
21、二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC
22、长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约
23、在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求
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