周口碳化硅器件项目商业计划书模板参考.docx
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1、泓域咨询/周口碳化硅器件项目商业计划书周口碳化硅器件项目商业计划书xxx有限公司目录第一章 总论10一、 项目定位及建设理由10二、 项目名称及建设性质10三、 项目承办单位11四、 项目建设选址12五、 项目生产规模12六、 建筑物建设规模12七、 项目总投资及资金构成13八、 资金筹措方案13九、 项目预期经济效益规划目标13十、 项目建设进度规划14十一、 项目综合评价14主要经济指标一览表15第二章 背景及必要性17一、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力17二、 SiC材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局18三、 SiC器件与传统产品价差持续收窄,具备经
2、济效益指日可待18四、 以提高产业水平为重点,进一步壮大工业经济19五、 持续优化环境,提升综合实力20六、 项目实施的必要性23第三章 行业、市场分析24一、 射频:5G推动GaN-on-SiC需求提升24二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代24三、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1亿美元26第四章 项目承办单位基本情况27一、 公司基本信息27二、 公司简介27三、 公司竞争优势28四、 公司主要财务数据30公司合并资产负债表主要数据30公司合并利润表主要数据30五、 核心人员介绍31六、 经营宗旨32七、 公司发展规划33第五章 法人治理35一、
3、 股东权利及义务35二、 董事42三、 高级管理人员47四、 监事49第六章 运营管理模式52一、 公司经营宗旨52二、 公司的目标、主要职责52三、 各部门职责及权限53四、 财务会计制度56第七章 创新发展63一、 企业技术研发分析63二、 项目技术工艺分析65三、 质量管理66四、 创新发展总结67第八章 SWOT分析说明68一、 优势分析(S)68二、 劣势分析(W)70三、 机会分析(O)70四、 威胁分析(T)72第九章 发展规划80一、 公司发展规划80二、 保障措施81第十章 产品规划方案84一、 建设规模及主要建设内容84二、 产品规划方案及生产纲领84产品规划方案一览表84
4、第十一章 风险分析86一、 项目风险分析86二、 公司竞争劣势93第十二章 进度实施计划94一、 项目进度安排94项目实施进度计划一览表94二、 项目实施保障措施95第十三章 建筑工程方案96一、 项目工程设计总体要求96二、 建设方案96三、 建筑工程建设指标96建筑工程投资一览表97第十四章 投资计划方案99一、 投资估算的依据和说明99二、 建设投资估算100建设投资估算表104三、 建设期利息104建设期利息估算表104固定资产投资估算表106四、 流动资金106流动资金估算表107五、 项目总投资108总投资及构成一览表108六、 资金筹措与投资计划109项目投资计划与资金筹措一览表
5、109第十五章 项目经济效益评价111一、 基本假设及基础参数选取111二、 经济评价财务测算111营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表113利润及利润分配表115三、 项目盈利能力分析115项目投资现金流量表117四、 财务生存能力分析118五、 偿债能力分析119借款还本付息计划表120六、 经济评价结论120第十六章 项目总结分析122第十七章 附表附件124建设投资估算表124建设期利息估算表124固定资产投资估算表125流动资金估算表126总投资及构成一览表127项目投资计划与资金筹措一览表128营业收入、税金及附加和增值税估算表129综合总成本费用估算表13
6、0固定资产折旧费估算表131无形资产和其他资产摊销估算表132利润及利润分配表132项目投资现金流量表133报告说明目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案,如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET,如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT,则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右(按照艾睿供应商网站价格计算,实际大批量采购价格更低),但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素,会率先在中高端车型上使用
7、。1)损耗更低:根据ST的数据,800V系统下,1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低,在常用的25%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%,在100%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2)高压下性能优势更加明显:在400V左右的直流母线电压下,需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下,功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT,但对比之下,SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据,在400V电压平台下,SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的
8、效率提升;而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知,1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显,主要体现为损耗降低幅度更大。3)耐高温:SiC的结温更高,能够在超过175度的高温下正常工作,较IGBT更加适合高温环境。4)体积节约:根据ST,在10kHz工作频率和800V架构的情况下,对于一个210kW的逆变器,若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案:1)使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2;2)开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3)损耗的降低使得PCU(电源
9、控制单元)的尺寸得以减少,相对应的冷却系统体积也将得以简化。根据谨慎财务估算,项目总投资23382.26万元,其中:建设投资18910.31万元,占项目总投资的80.87%;建设期利息247.98万元,占项目总投资的1.06%;流动资金4223.97万元,占项目总投资的18.06%。项目正常运营每年营业收入46500.00万元,综合总成本费用38957.71万元,净利润5502.99万元,财务内部收益率17.35%,财务净现值4240.03万元,全部投资回收期6.03年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。项目产品应用领域广泛,市场发展空间大。本项目的建立投资合理
10、,回收快,市场销售好,无环境污染,经济效益和社会效益良好,这也奠定了公司可持续发展的基础。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 总论一、 项目定位及建设理由大功率直流充电桩需求旺盛,SiC协力实现高效快充。政策方面,2020年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一;2020年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设,提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高,一个1
11、50kW的直流充电器可以在大约15分钟内为电动汽车增加200公里续航,随电动汽车渗透率进一步提高,直流电充电方案需求将同步提升。Yole预计2020-2025年,全球200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过30%的CAGR增长,高于平均的15.6%。SiC器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势,可被广泛应用于电动车直流充电方案中AD-DCPFC、DC-DC以及闸门驱动器等环节中,实现更高效电动车直流充电方案。二、 项目名称及建设性质(一)项目名称周口碳化硅器件项目(二)项目建设性质本项目属于扩建项目三、 项目承办单位(一)项目承办单位名称xxx有限公司(二)项目联系人贾xx(三)项
12、目建设单位概况公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上,坚持优化结构,提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式,补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板,走绿色、协调和可持续发展道路,不断优化供给结构,提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,以提质增效为中心,以提升创新能力为主线,降成本、补短板,推进供给侧结构性改革。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度
13、,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。本公司秉承“顾客至上,锐意进取”的经营理念,坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念,将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本,在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要,是我们不懈的追求”的企业观念,面对经济发展步入快车道的良好机遇,正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。公司在发展中始终坚持以创新为源动力,不断投入巨资引入先进研发设备,更新思想观念,依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势,不断加大新产品的研发力度,以实现公司的永续经营和品牌发
14、展。四、 项目建设选址本期项目选址位于xx(以选址意见书为准),占地面积约71.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。五、 项目生产规模项目建成后,形成年产xxx吨碳化硅器件的生产能力。六、 建筑物建设规模本期项目建筑面积72800.11,其中:生产工程53500.68,仓储工程9792.53,行政办公及生活服务设施6404.70,公共工程3102.20。七、 项目总投资及资金构成(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资23382.26万元,其中:建设投资18
15、910.31万元,占项目总投资的80.87%;建设期利息247.98万元,占项目总投资的1.06%;流动资金4223.97万元,占项目总投资的18.06%。(二)建设投资构成本期项目建设投资18910.31万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用16207.12万元,工程建设其他费用2259.73万元,预备费443.46万元。八、 资金筹措方案本期项目总投资23382.26万元,其中申请银行长期贷款10121.47万元,其余部分由企业自筹。九、 项目预期经济效益规划目标(一)经济效益目标值(正常经营年份)1、营业收入(SP):46500.00万元。2、综合总成本费用(TC)
16、:38957.71万元。3、净利润(NP):5502.99万元。(二)经济效益评价目标1、全部投资回收期(Pt):6.03年。2、财务内部收益率:17.35%。3、财务净现值:4240.03万元。十、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设,本期项目建设期限规划12个月。十一、 项目综合评价经分析,本期项目符合国家产业相关政策,项目建设及投产的各项指标均表现较好,财务评价的各项指标均高于行业平均水平,项目的社会效益、环境效益较好,因此,项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本,制定好项目的详细规划及资金使用计划,加强项目建设期的建设管理及项
17、目运营期的生产管理,特别是加强产品生产的现金流管理,确保企业现金流充足,同时保证各产业链及各工序之间的衔接,控制产品的次品率,赢得市场和打造企业良好发展的局面。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积47333.00约71.00亩1.1总建筑面积72800.111.2基底面积27453.141.3投资强度万元/亩254.322总投资万元23382.262.1建设投资万元18910.312.1.1工程费用万元16207.122.1.2其他费用万元2259.732.1.3预备费万元443.462.2建设期利息万元247.982.3流动资金万元4223.973资金筹措万元23382.263.
18、1自筹资金万元13260.793.2银行贷款万元10121.474营业收入万元46500.00正常运营年份5总成本费用万元38957.716利润总额万元7337.327净利润万元5502.998所得税万元1834.339增值税万元1708.1510税金及附加万元204.9711纳税总额万元3747.4512工业增加值万元13167.2013盈亏平衡点万元19616.89产值14回收期年6.0315内部收益率17.35%所得税后16财务净现值万元4240.03所得税后第二章 背景及必要性一、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力SiC功率器件主要包括SBD、JFET、MO
19、SFET和模块,在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期,主要器件类型为SiC二极管,以及在高端车系应用,目前渗透率较低。未来随着:1)特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”,更多车企将会逐步采用SiC方案;2)碳化硅器件价格逐步下降,成本经济效益不断提升;3)800V架构时代来临,SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显,损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018年,特斯拉Model3率先使用由意法半导体提供的SiCMOSFET,开启电动汽车使用SiC先河,随
20、后比亚迪、保时捷、丰田等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中,在2020年比亚迪汉搭载自主研发制造的SiCMOSFET控制模块,整体加速性能及续航能力均得到显著提升。2021年,碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速增长阶段,国内外众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告信息,在未来几年,小鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的厂商将在其新车型中使用SiC器件,新能源汽车中应用SiC器件以提升性能、实现轻量化为大势所趋。二、 SiC材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局相比于Si,SiC衬底和外延为制造产业链核心环节,合计价值量占比超60%。在传统硅基器件制造过程中,需要在硅片基础上进行
21、氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤,从而产生更高附加值。SiC材料则仅用于分立器件制造,其前端工艺难度不大,而衬底和外延需在高温、高压环境中生成,生长速度缓慢,为关键技术难点,占据产业链主要价值量。据CASAResearch数据显示,在传统硅基器件中,硅片前道处理附加价值量达到80%,衬底和外延环节仅占11%;而在碳化硅器件的成本构成中,衬底和外延占比分别为50%和25%,合计达到75%,为产业链中价值量最高环节。此外,衬底和外延质量对器件性能优劣起至关重要作用,提升其良率为碳化硅器件制备主要攻克目标。三、 SiC器件与传统产品价差持续收窄,具备经济效益指日可待SiC器件价格
22、持续下降,与硅基器件价差已缩小至2-3倍。SiCSBD方面,根据Mouser数据显示,公开报价方面,650V的SiCSBD2020年底与Si器件的价差在3.8倍左右;1200V的SiCSBD的平均价与Si器件的差距在4.5倍左右。根据CASAResearch,实际成交价低于公开报价。2020年,650V的SiCSBD的实际成交价格约0.7元/A;1200V的SiCSBD价格约1.2元/A,较上年下降了20%-30%,实际成交价与Si器件价差已经缩小至2-2.5倍之间。SiCMOSFET实际成交价格方面,根据CASAResearch,650V的SiCMOSFET价格0.9元/A;1200V的Si
23、CMOSFET价格1.4元/A,较2019年下降幅度达30%-40%,与Si器件价差也缩小至2.5-3倍之间,基本达到甜蜜点,将加速SiCMOS器件的市场渗透。综上,目前SiCMOSFET单价约为IGBT单价的3-4倍,目前主逆变器中的IGBT成本约为1500元,若全部替换为SiCMOSFET,考虑到器件节约,成本将增加3000-4000元左右。以当前成本来看,根据宁德时代、松下、LG新能源等的电池成本数据,电动车动力电池度电单价约为750元,到2025年有望降至560元;根据特斯拉、小鹏等在售车型的电池容量,当前电动车平均电池容量约为55kwh,在百公里电耗逐步下降及续航里程不变的情况下,到
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