广元碳化硅器件项目商业计划书范文.docx
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1、泓域咨询/广元碳化硅器件项目商业计划书广元碳化硅器件项目商业计划书xxx集团有限公司目录第一章 项目总论9一、 项目提出的理由9二、 项目概述10三、 项目总投资及资金构成12四、 资金筹措方案13五、 项目预期经济效益规划目标13六、 项目建设进度规划13七、 研究结论14八、 主要经济指标一览表14主要经济指标一览表14第二章 背景、必要性分析16一、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代16二、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积17三、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低18第三章 行业、市场分析21一、 新能源车充
2、电及里程焦虑凸显,800V架构时代来临21二、 SiC材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局22第四章 项目承办单位基本情况23一、 公司基本信息23二、 公司简介23三、 公司竞争优势24四、 公司主要财务数据26公司合并资产负债表主要数据26公司合并利润表主要数据26五、 核心人员介绍27六、 经营宗旨28七、 公司发展规划29第五章 法人治理34一、 股东权利及义务34二、 董事37三、 高级管理人员42四、 监事45第六章 创新驱动48一、 企业技术研发分析48二、 项目技术工艺分析50三、 质量管理51四、 创新发展总结52第七章 运营管理模式53一、 公司经营宗旨53二、 公司的
3、目标、主要职责53三、 各部门职责及权限54四、 财务会计制度57第八章 发展规划61一、 公司发展规划61二、 保障措施65第九章 SWOT分析68一、 优势分析(S)68二、 劣势分析(W)70三、 机会分析(O)70四、 威胁分析(T)72第十章 产品方案与建设规划80一、 建设规模及主要建设内容80二、 产品规划方案及生产纲领80产品规划方案一览表81第十一章 项目风险分析82一、 项目风险分析82二、 项目风险对策84第十二章 建筑技术方案说明87一、 项目工程设计总体要求87二、 建设方案88三、 建筑工程建设指标89建筑工程投资一览表89第十三章 项目规划进度91一、 项目进度安
4、排91项目实施进度计划一览表91二、 项目实施保障措施92第十四章 投资估算及资金筹措93一、 投资估算的依据和说明93二、 建设投资估算94建设投资估算表98三、 建设期利息98建设期利息估算表98固定资产投资估算表100四、 流动资金100流动资金估算表101五、 项目总投资102总投资及构成一览表102六、 资金筹措与投资计划103项目投资计划与资金筹措一览表103第十五章 经济效益及财务分析105一、 经济评价财务测算105营业收入、税金及附加和增值税估算表105综合总成本费用估算表106固定资产折旧费估算表107无形资产和其他资产摊销估算表108利润及利润分配表110二、 项目盈利能
5、力分析110项目投资现金流量表112三、 偿债能力分析113借款还本付息计划表114第十六章 项目总结116第十七章 附表118营业收入、税金及附加和增值税估算表118综合总成本费用估算表118固定资产折旧费估算表119无形资产和其他资产摊销估算表120利润及利润分配表121项目投资现金流量表122借款还本付息计划表123建设投资估算表124建设投资估算表124建设期利息估算表125固定资产投资估算表126流动资金估算表127总投资及构成一览表128项目投资计划与资金筹措一览表129报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资10630.35万元,其中:建设投资8076.59万元,占项目总投资的75.
6、98%;建设期利息109.93万元,占项目总投资的1.03%;流动资金2443.83万元,占项目总投资的22.99%。项目正常运营每年营业收入23700.00万元,综合总成本费用18645.28万元,净利润3699.10万元,财务内部收益率26.70%,财务净现值7157.45万元,全部投资回收期5.13年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018年,特斯拉Model3率先使用由意法半导体提供的SiCMOSFET,开启电动汽车使用SiC先河,随后比亚迪、保时捷、丰田等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中,在2
7、020年比亚迪汉搭载自主研发制造的SiCMOSFET控制模块,整体加速性能及续航能力均得到显著提升。2021年,碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速增长阶段,国内外众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告信息,在未来几年,小鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的厂商将在其新车型中使用SiC器件,新能源汽车中应用SiC器件以提升性能、实现轻量化为大势所趋。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目总论一、 项目提出的理由轨道交通方面,碳化硅器件应用于轨道交通牵引变流器能极大发挥碳化硅器件高温、高频和低损耗特
8、性,提高牵引变流器装置效率,符合轨道交通大容量、轻量化和节能型牵引变流装置的应用需求,从而提升系统的整体效能。根据Digitimes,2014年日本小田急电铁新型通勤车辆配备了三菱电机3300V、1500A全碳化硅功率模块逆变器,开关损耗降低55%、体积和重量减少65%、电能损耗降低20%至36%。智能电网方面,相比其他电力电子装置,电力系统要求更高的电压、更大的功率容量和更高的可靠性,碳化硅器件突破了硅基功率半导体器件在大电压、高功率和高温度方面的限制所导致的系统局限性,并具有高频、高可靠性、高效率、低损耗等独特优势,在固态变压器、柔性交流输电、柔性直流输电、高压直流输电及配电系统等应用方面
9、推动智能电网的发展和变革。此外碳化硅功率器件在风力发电、工业电源、航空航天等领域也已实现成熟应用。综上, 2020年全球SiC功率器件市场规模为2.92亿美元,受新能源车、光伏、工控等需求驱动,预计到2025年将增长至38.58亿美元,对应CAGR为67.6%。2025年新能源车、新能源发电、工控占SiC功率器件市场规模比重分别为77.88/13.71/8.41%。二、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:广元碳化硅器件项目2、承办单位名称:xxx集团有限公司3、项目性质:技术改造4、项目建设地点:xxx(待定)5、项目联系人:夏xx(二)主办单位基本情况公司在“政府引导、市场主导、社会参
10、与”的总体原则基础上,坚持优化结构,提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式,补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板,走绿色、协调和可持续发展道路,不断优化供给结构,提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,以提质增效为中心,以提升创新能力为主线,降成本、补短板,推进供给侧结构性改革。公司自成立以来,坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本,强调服务,一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革,实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一,质量第一,信誉第一”为原则,在产品质量上精益求
11、精,追求完美,对客户以诚相待,互动双赢。公司不断推动企业品牌建设,实施品牌战略,增强品牌意识,提升品牌管理能力,实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等,加强品牌策划与设计,丰富品牌内涵,不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设,提高区域内企业影响力。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx(待定),占地面积约27.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排
12、水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。经济实力再上新台阶。年均经济增速高于全国、全省平均水平,人均地区生产总值大幅提升,现代产业体系加快构建,产业结构更加优化,科技创新能力不断增强,绿色化数字化智能化转型全面提速,经济发展质量效益明显提升。基础设施实现新提升。对外大通道更加畅达,市域交通网络更加完善,内联外畅水平显著提高。物流枢纽能级不断提升,物流效率大幅提高。新型基础设施、能源水利基础设施不断完善,区域性信息枢纽、能源供给基地加快建设。城乡融合取得新突破。新型城镇化加快推进,城镇体系更加完善,城市功能品质全面提升,中心城区和三江新区极核功能显著增强,县域经济实力得到较大提升,中心
13、镇综合承载和辐射带动能力全面增强,常住人口城镇化率明显提高,脱贫攻坚成果巩固拓展,乡村振兴战略全面推进,城乡区域发展协调性持续增强。改革开放迈出新步伐。重点领域和关键环节改革取得重大进展,产权制度改革和要素市场化配置改革取得突破,营商环境更加优化,市场主体更具活力。区域合作不断深化,高水平开放合作态势加快形成。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方案为:xx吨碳化硅器件/年。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资10630.35万元,其中:建设投资8076.59万元,占项目总投资的75.98%;建设期利息109
14、.93万元,占项目总投资的1.03%;流动资金2443.83万元,占项目总投资的22.99%。四、 资金筹措方案(一)项目资本金筹措方案项目总投资10630.35万元,根据资金筹措方案,xxx集团有限公司计划自筹资金(资本金)6143.43万元。(二)申请银行借款方案根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额4486.92万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入(SP):23700.00万元。2、年综合总成本费用(TC):18645.28万元。3、项目达产年净利润(NP):3699.10万元。4、财务内部收益率(FIRR):26.70%。5、全部投资回收期(Pt):5
15、.13年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):9160.58万元(产值)。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 研究结论此项目建设条件良好,可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施,项目投资省、见效快;此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则,技术先进,成熟可靠,投产后可保证达到预定的设计目标。八、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积18000.00约27.00亩1.1总建筑面积32172.181.2基底面积10620.001.3投资强度万元/亩276
16、.142总投资万元10630.352.1建设投资万元8076.592.1.1工程费用万元6727.912.1.2其他费用万元1144.322.1.3预备费万元204.362.2建设期利息万元109.932.3流动资金万元2443.833资金筹措万元10630.353.1自筹资金万元6143.433.2银行贷款万元4486.924营业收入万元23700.00正常运营年份5总成本费用万元18645.286利润总额万元4932.137净利润万元3699.108所得税万元1233.039增值税万元1021.5910税金及附加万元122.5911纳税总额万元2377.2112工业增加值万元7768.09
17、13盈亏平衡点万元9160.58产值14回收期年5.1315内部收益率26.70%所得税后16财务净现值万元7157.45所得税后第二章 背景、必要性分析一、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代大功率直流充电桩需求旺盛,SiC协力实现高效快充。政策方面,2020年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一;2020年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设,提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高,一个150kW的直流充电器可以在大约15分钟内为电动汽车增加200公里续航,随电动汽车渗透率进一步提高,直流电充电方案需求将同步提
18、升。Yole预计2020-2025年,全球200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过30%的CAGR增长,高于平均的15.6%。SiC器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势,可被广泛应用于电动车直流充电方案中AD-DCPFC、DC-DC以及闸门驱动器等环节中,实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在DC/DC中,使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路,所用器件数量减少50%,提升电路整体效
19、率。同样在AC/DC中,使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构,器件数量减少50%实现效率提升。同时,SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上,SiC方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。SiC二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌,在48kHz下,采用SiC二极管替代Si二极管,可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率,可实现最多80%输出功率的提升。二、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案,如特斯拉
20、Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET,如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT,则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右(按照艾睿供应商网站价格计算,实际大批量采购价格更低),但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素,会率先在中高端车型上使用。1)损耗更低:根据ST的数据,800V系统下,1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低,在常用的25%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%,在100%负载下,SiCMOS
21、FET损耗最多低于IGBT60%。2)高压下性能优势更加明显:在400V左右的直流母线电压下,需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下,功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT,但对比之下,SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据,在400V电压平台下,SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升;而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知,1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显,主要体现为损耗降低幅
22、度更大。3)耐高温:SiC的结温更高,能够在超过175度的高温下正常工作,较IGBT更加适合高温环境。4)体积节约:根据ST,在10kHz工作频率和800V架构的情况下,对于一个210kW的逆变器,若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案:1)使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2;2)开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3)损耗的降低使得PCU(电源控制单元)的尺寸得以减少,相对应的冷却系统体积也将得以简化。三、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和
23、开关管(IGBT、MOSFET等)是OBC中主要应用的功率器件,采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1)影响二极管损耗的指标包括正向导通压降(VF)、反向恢复电流(IR)、输入电容(QC)和开通关断速度等。相比于硅基SBD,SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计,使得反向恢复损耗极低,在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时,QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势,在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的
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