延安碳化硅器件项目商业计划书模板.docx

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1、泓域咨询/延安碳化硅器件项目商业计划书延安碳化硅器件项目商业计划书xx投资管理公司目录第一章 项目绪论9一、 项目名称及投资人9二、 项目建设背景9三、 结论分析10主要经济指标一览表12第二章 背景、必要性分析15一、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升15二、 OBC：SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低15三、 深入实施创新驱动发展战略17四、 优化区域布局19五、 项目实施的必要性21第三章 市场分析23一、 衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高23二、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积25三、 SiC材料：产业链核心环节

2、，国内外厂商积极布局26第四章 公司基本情况28一、 公司基本信息28二、 公司简介28三、 公司竞争优势29四、 公司主要财务数据30公司合并资产负债表主要数据30公司合并利润表主要数据30五、 核心人员介绍31六、 经营宗旨32七、 公司发展规划33第五章 SWOT分析说明39一、 优势分析（S）39二、 劣势分析（W）40三、 机会分析（O）41四、 威胁分析（T）42第六章 创新发展48一、 企业技术研发分析48二、 项目技术工艺分析50三、 质量管理52四、 创新发展总结53第七章 发展规划54一、 公司发展规划54二、 保障措施60第八章 运营管理模式62一、 公司经营宗旨62二、

3、 公司的目标、主要职责62三、 各部门职责及权限63四、 财务会计制度66第九章 法人治理结构70一、 股东权利及义务70二、 董事75三、 高级管理人员80四、 监事82第十章 进度规划方案84一、 项目进度安排84项目实施进度计划一览表84二、 项目实施保障措施85第十一章 产品方案与建设规划86一、 建设规模及主要建设内容86二、 产品规划方案及生产纲领86产品规划方案一览表86第十二章 风险评估89一、 项目风险分析89二、 项目风险对策91第十三章 建筑技术分析94一、 项目工程设计总体要求94二、 建设方案96三、 建筑工程建设指标99建筑工程投资一览表100第十四章 项目投资计划

4、102一、 投资估算的依据和说明102二、 建设投资估算103建设投资估算表107三、 建设期利息107建设期利息估算表107固定资产投资估算表109四、 流动资金109流动资金估算表110五、 项目总投资111总投资及构成一览表111六、 资金筹措与投资计划112项目投资计划与资金筹措一览表112第十五章 经济效益评价114一、 经济评价财务测算114营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表115固定资产折旧费估算表116无形资产和其他资产摊销估算表117利润及利润分配表119二、 项目盈利能力分析119项目投资现金流量表121三、 偿债能力分析122借款还本付息计划表1

5、23第十六章 总结分析125第十七章 附表附录127建设投资估算表127建设期利息估算表127固定资产投资估算表128流动资金估算表129总投资及构成一览表130项目投资计划与资金筹措一览表131营业收入、税金及附加和增值税估算表132综合总成本费用估算表133固定资产折旧费估算表134无形资产和其他资产摊销估算表135利润及利润分配表135项目投资现金流量表136报告说明根据谨慎财务估算，项目总投资10821.27万元，其中：建设投资8199.75万元，占项目总投资的75.77%；建设期利息221.92万元，占项目总投资的2.05%；流动资金2399.60万元，占项目总投资的22.17%。项

6、目正常运营每年营业收入20700.00万元，综合总成本费用17463.02万元，净利润2359.52万元，财务内部收益率14.51%，财务净现值589.28万元，全部投资回收期6.81年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT，则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约

7、等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低，在常用的25%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%，在100%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2）高压下性能优势更加明显：在400V左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下，功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级

8、IGBT，但对比之下，SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据，在400V电压平台下，SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升；而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知，1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显，主要体现为损耗降低幅度更大。3）耐高温：SiC的结温更高，能够在超过175度的高温下正常工作，较IGBT更加适合高温环境。4）体积节约：根据ST，在10kHz工作频率和800V架构的情况下，对于一个210kW的逆变器，若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案：1）使用

9、总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2；2）开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3）损耗的降低使得PCU（电源控制单元）的尺寸得以减少，相对应的冷却系统体积也将得以简化。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目绪论一、 项目名称及投资人（一）项目名称延安碳化硅器件项目（二）项目投资人xx投资管理公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准）。二、 项目建设背景轨道交通方面，碳化硅器件应用于轨道交通牵引变流器能极大发挥碳

10、化硅器件高温、高频和低损耗特性，提高牵引变流器装置效率，符合轨道交通大容量、轻量化和节能型牵引变流装置的应用需求，从而提升系统的整体效能。根据Digitimes，2014年日本小田急电铁新型通勤车辆配备了三菱电机3300V、1500A全碳化硅功率模块逆变器，开关损耗降低55%、体积和重量减少65%、电能损耗降低20%至36%。智能电网方面，相比其他电力电子装置，电力系统要求更高的电压、更大的功率容量和更高的可靠性，碳化硅器件突破了硅基功率半导体器件在大电压、高功率和高温度方面的限制所导致的系统局限性，并具有高频、高可靠性、高效率、低损耗等独特优势，在固态变压器、柔性交流输电、柔性直流输电、高压

11、直流输电及配电系统等应用方面推动智能电网的发展和变革。此外碳化硅功率器件在风力发电、工业电源、航空航天等领域也已实现成熟应用。综上， 2020年全球SiC功率器件市场规模为2.92亿美元，受新能源车、光伏、工控等需求驱动，预计到2025年将增长至38.58亿美元，对应CAGR为67.6%。2025年新能源车、新能源发电、工控占SiC功率器件市场规模比重分别为77.88/13.71/8.41%。经过五年努力，特色资源优势、后发优势得到充分彰显，生态环境整体脆弱明显制约得到显著改善，人民福祉明显提升，高质量发展取得实质性进展，为到2035年基本实现社会主义现代化目标奠定坚实基础。三、 结论分析（一

12、）项目选址本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约22.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx吨碳化硅器件的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资10821.27万元，其中：建设投资8199.75万元，占项目总投资的75.77%；建设期利息221.92万元，占项目总投资的2.05%；流动资金2399.60万元，占项目总投资的22.17%。（五）资金筹措项目总投资10821.27万元，根据资金筹措方案，xx投资管理公司计划自筹资金（资本金）6292

13、.24万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额4529.03万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：20700.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：17463.02万元。3、项目达产年净利润（NP）：2359.52万元。4、财务内部收益率（FIRR）：14.51%。5、全部投资回收期（Pt）：6.81年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：9702.87万元（产值）。（七）社会效益该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及

14、地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积14667.00约22.00亩1.1总建筑面积23863.381.2基底面积9386.881.3投资强度万元/亩359.792总投资万元10821.272.1建设投资万元8199.752.1.1工程费用万元7016.232.1.2其他费用万元978.052.1.3预备费万元205.472.2建设期利息万元221.922.3流动资金万元2399.603资金筹措万元10821

15、.273.1自筹资金万元6292.243.2银行贷款万元4529.034营业收入万元20700.00正常运营年份5总成本费用万元17463.026利润总额万元3146.037净利润万元2359.528所得税万元786.519增值税万元757.8910税金及附加万元90.9511纳税总额万元1635.3512工业增加值万元5676.8213盈亏平衡点万元9702.87产值14回收期年6.8115内部收益率14.51%所得税后16财务净现值万元589.28所得税后第二章 背景、必要性分析一、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升5G发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长，市场空间广阔。微波射频器

16、件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数，5G通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势，在功率放大器上的应用可满足5G通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前5G新建基站仍使用LDMOS功率放大器，但随5G技术进一步发展，MIMO基站建立需使用氮化镓功率放大器，氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续提升。据Yole和Wolfspeed预测，2024年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破20亿美元，2027年进一步增长至35亿美元。根据预测，受益5G通讯快速发展，通讯频段向高

17、频迁移，基站和通信设备需要支持高频性能的PA，碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基LDMOS和GaAs的优势将逐步凸显，2020年全球碳化硅射频器件市场规模为8.92亿美元，预计到2025年将增长至21.21亿美元，对应CAGR为18.9%，和Yole和Wolfspeed预测基本一致。二、 OBC：SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管（IGBT、MOSFET等）是OBC中主要应用的功率器件，采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC的前级

18、PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1）影响二极管损耗的指标包括正向导通压降（VF）、反向恢复电流（IR）、输入电容（QC）和开通关断速度等。相比于硅基SBD，SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计，使得反向恢复损耗极低，在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时，QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势，在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时，由于SiC材料的优势，SiC二极管的结温更高，其可在更高温度下保持正常工作状态，在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外，SiC二极管可实现更高频率及功率密度，从而提升系统整

19、体效率。全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本，同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究，采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC，可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上，且开关频率提高一倍以上，实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率，而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时，进一步拆分成本，由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此，尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管，SiC基功率器件的成本更高，但整体全SiC方案的OBC成本可节约1

20、5%左右。三、 深入实施创新驱动发展战略坚持围绕产业链部署创新链、围绕创新链布局产业链，促进科技与经济紧密结合、创新成果与产业发展密切对接，实现创新链、产业链、资金链、政策链有机融合，让创新成为驱动高质量发展的强大引擎。促进创新链与产业链深度融合。围绕产业链部署创新链，在能源采收转化能力提高、以苹果为主的农特产品种养技术和品质提升、文化旅游业态创新、服务业模式创新等领域推进技术提升、突破。围绕创新链布局产业链，深入推进重点实验室、产业创新中心、工程技术研究中心、院士工作站等高端创新载体建设，促进新技术的产业化、规模化应用，培育发展无人机、膜材料、新能源装备等高新技术产业集群。强化政府政策引导，

21、整合全市科研经费集中投向重点领域技术创新，实行科研项目“揭榜挂帅”和科研经费“包干制”等制度，推进科技计划、项目、资金等一体化配置，到2025年研发经费投入占生产总值比重达到1.5%以上。强化企业创新主体地位，推动能源骨干企业、农业龙头企业、大型文旅集团、服务业领军企业与国内外知名高等院校、科研院所、智库机构建立长期合作关系，促进产学研深度融合。建立创新型企业成长的持续推进机制和全程孵化体系，构建企业全生命周期梯度培育链条。设立离岸新型研发机构、研发创新平台、基地，支持企业牵头组建创新联合体，鼓励企业加大研发投入，集中攻克重点产业关键技术研发，衍生一批新产品和产业链，推动产业链上中下游、大中小

22、企业融通创新，引领产业发展迈向中高端。整合提升全市创新创业资源。通过政府引导、市场配置、模式创新、服务集成等方式，高标准组建延安市科技资源统筹中心，推动各县（市、区）建设科技资源统筹中心，促进全市各类科技资源共享利用。积极争取建设创新型城市和创新型县（市）。鼓励高校、医院、企业组建重点实验室、院士工作站。积极与中国西部科技创新港开展合作。发挥高新区对全市创新驱动发展的带动作用，推进新能源、新材料及储能重点实验室、工程技术中心和中试基地建设，积极争取在延设立国家未来产业技术研究院。推动全市各类园区提档升级，积极培育一批国家级、省级高新技术开发区和创业创新示范基地，支持洛川农业科技园区创建为国家级

23、农业科技园区，到2025年，省级高新技术开发区达到5个，国家级、省级创新研发平台达到18个，市级工业园区创新平台、孵化器全覆盖。充分发挥众创空间、产业技术创新战略联盟等作用，发展“创新中心+孵化器+科创企业”型创新创业体系，打造“双创”升级版。建设科技创新成果展厅，大力弘扬科学精神和工匠精神，营造崇尚创新的社会氛围。四、 优化区域布局优化区域发展布局。加快构建“核心引领、两带支撑、多点发力”的区域经济布局。强化“2+3”发展核心引领作用。全力抓好宝塔区、安塞区和高新区、新区、南泥湾开发区经济发展，因地制宜打造“首位产业”，健全区域协调发展体制机制，加快一体化发展，促进要素合理流动和高效集聚，不

24、断提升对全市发展的带动作用。宝塔区。围绕“临空+临站”大临港产业经济区、延安新材料产业园区、宝塔综合产业园区“三园区”，大枣园休闲度假景区、侯家沟红色文化景区、冯庄青年小镇景区、甘谷驿古镇文化景区“四景区”，双创街区、信用街区、智慧街区、月光街区、文创街区等“N街区”，打造工业、文化旅游、新经济三大产业集群。安塞区。加快安塞高新区、安塞现代农业示范园区、安塞区黄土文化产业园区、延安新动能产业园区和沿河湾镇建设，与延安圣地河谷文化产业园区共建延塞经济走廊，打造全市最密集的产业聚集区，推动延塞一体化发展。高新区。建设国家级高新区，构建以能源科技为主导，先进制造和高端服务为两翼的现代能源生态产业体系

25、和以延安红街为核心，数字文创、工业设计为支撑的文创科技产业体系，形成双核驱动的发展动能，进一步提升创新能力，打造全市高新技术和产业发展核心引擎。新区。围绕“功能、产业、民生、生态、交通、文化、安全、特色”全方面提升完善，努力建设成为一座宜居、宜业、宜游的现代化生态新城。南泥湾开发区。弘扬“自力更生、艰苦奋斗”精神，按照红色精神食粮策源地、西北农业科技试验田、全国乡村振兴样板间三大定位，实施科技创新、对外开放、乡村振兴、品牌质量“四大战略工程”，推进基础设施、教育培训、文化旅游、现代农业、生态文明、党的建设“六大提升行动”，打造国家级产业开发区、黄河流域生态保护绿色发展先行区和革命老区高质量发展

26、实验区，成为延安新的经济增长极，再现全国人民向往的陕北好江南。重点建设洛河、沿黄两大经济带。洛河经济带。沿洛河串联吴起、志丹、甘泉、富县、洛川、黄陵，充分发挥沿线城镇特色产业优势，在强化生态本底的基础上，打造洛河生态长廊，稳定能源生产，重点推动农产品精深加工、能源化工链条延伸、文旅产业融合发展，大力发展高端能化、新能源、绿色载能和战略性新兴产业。高标准建设连接县域工业园区的沿洛河公路，强化工业园区用地、用水、用能保障，加强县域产业联动、错位、协同、互补发展，建立工业园区一体化信息、研发、共享平台，实现原料就地采用、产品就地转化，形成相对完善的区域能源化工和制造业链条。沿黄生态经济带。沿黄河西岸

27、串联子长、延川、延长、宜川、黄龙，重点加强沿黄生态环境保护治理和基础设施建设，加大秦晋峡谷绿化和水土保持治理力度，完善提升沿黄公路与邻近乡镇、村庄连接线，形成高效联通的沿黄城镇和经济区域。强化沿黄县域文化旅游资源整合和协作，突出地域文化特点，大力发展以红色、黄河、民俗、石油工业为主的特色文化旅游产业，积极发展以苹果、红枣、小杂粮、食用菌为主的特色农业，逐步形成以沿黄生态保护和文化旅游为主的经济带。实施“一县一策”县域经济发展战略。坚持“一县一策”“一园一业”，推动各县（市）高质量发展，立足资源禀赋、区位优势和产业基础，深度融入城镇带、区域经济板块发展体系，做精做强特色优势主导产业，打造“首位产

28、业”，推动县域产业园区提档升级，支持符合条件的县（市）建设产业转移升级示范园区。优化县域发展环境，加强要素保障，提升园区服务能力，建设一批现代农业大县、工业经济强县、文化旅游名县、生态环境亮县，打造各具特色的县域经济板块。五、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目

29、的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第三章 市场分析一、 衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟，主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录（2021年版），碳

30、化硅衬底可分为两类，一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，经GaN外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”，去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率（电阻率1530mcm）的导电型碳化硅衬底，经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、SiCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标，在PVT法下，相较半绝缘型衬底其生产难度更低，但在生产过程中，电阻率易发生分布不均情况，仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头，但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距

31、。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数，可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿，各厂商都在致力于未来降低微管密度，部分龙头碳化硅企业如II-VI可将4-6寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2以下，国内厂商的产品微管密度基本在0.5-5cm-2，存在差距。同时，国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。

32、未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟，预计国产碳化硅产品种类不断丰富，产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产，但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段，海内外厂商均加速扩产，但应避免重复建设的问题，造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐，投资金额超240亿元、规划年产能超420万片。中国企业呈现小而散的局面，综合Yole等第三方机构数据，2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动，我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐，积极投资扩

33、产以实现衬底供应国产化。根据统计，截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元，规划产能超过420万片/年（等效6寸），对比CASA的数据，2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/年（等效6寸）。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力，且以4寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产，但受衬底良率及质量等因素影响，实际产能或严重不足。二、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用

34、到48颗意法半导体的SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT，则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低，在常用的25%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%，在100%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2）高压下性能优

35、势更加明显：在400V左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下，功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT，但对比之下，SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据，在400V电压平台下，SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升；而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知，1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显，主要体现为损耗降低幅度更大。3）耐高温：SiC的结温更高，能够在超过1

36、75度的高温下正常工作，较IGBT更加适合高温环境。4）体积节约：根据ST，在10kHz工作频率和800V架构的情况下，对于一个210kW的逆变器，若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案：1）使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2；2）开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3）损耗的降低使得PCU（电源控制单元）的尺寸得以减少，相对应的冷却系统体积也将得以简化。三、 SiC材料：产业链核心环节，国内外厂商积极布局相比于Si，SiC衬底和外延为制造产业链核心环节，合计价值量占比超60%。在传统硅基器件制造过程中，需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝

37、光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤，从而产生更高附加值。SiC材料则仅用于分立器件制造，其前端工艺难度不大，而衬底和外延需在高温、高压环境中生成，生长速度缓慢，为关键技术难点，占据产业链主要价值量。据CASAResearch数据显示，在传统硅基器件中，硅片前道处理附加价值量达到80%，衬底和外延环节仅占11%；而在碳化硅器件的成本构成中，衬底和外延占比分别为50%和25%，合计达到75%，为产业链中价值量最高环节。此外，衬底和外延质量对器件性能优劣起至关重要作用，提升其良率为碳化硅器件制备主要攻克目标。第四章 公司基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xx投资管理公司2、法定代表人：何x

38、x3、注册资本：550万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2013-8-87、营业期限：2013-8-8至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅器件相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治

39、理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利

40、益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应

41、的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额3306.482645.182479.86负债总额1327.051061.64995.29股东权益合计1979.431583.541484.57公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入8996.977197.586747.73营业利润1437.691150.151078.27利润总额1292.501034.00969.38净利润969.38756.1

42、2697.95归属于母公司所有者的净利润969.38756.12697.95五、 核心人员介绍1、何xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。2、程xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。3、沈xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xx

43、x有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。4、罗xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。5、万xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。6、崔xx，中国国籍，19

44、78年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。7、陶xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。8、邓xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨以市场需求为导向；以科研创新求发展；以质量服务树品牌；致力于产业技术进步和行业发展，创建国际知名企业。七、 公

45、司发展规划（一）发展计划1、发展战略作为高附加值产业的重要技术支撑，正在转变发展思路，由“高速增长阶段”向“高质量发展”迈进。公司顺应产业的发展趋势，以“科技、创新”为经营理念，以技术创新、智能制造、产品升级和节能环保为重点，致力于构造技术密集、资源节约、环境友好、品质优良、持续发展的新型企业，推进公司高质量可持续发展。2、经营目标目前，行业正在从粗放式扩张阶段转向高质量发展阶段，公司将进一步扩大高端产品的生产能力，抓住市场机遇，提高市场占有率；进一步加大研发投入，注重技术创新，提升公司科技研发能力；进一步加强环境保护工作，积极开发应用节能减排染整技术，保持清洁生产和节能减排的竞争优势；进一步

46、完善公司内部治理机制，按照公司治理准则的要求规范公司运行，提升运营质量和效益，努力把公司打造成为行业的标杆企业。（二）具体发展计划1、市场开拓计划公司将在巩固现有市场基础上，根据下游行业个性化、多元化的消费特点，以新技术新产品为支撑，加快市场开拓步伐。主要计划如下：（1）密切跟踪市场消费需求的变化，建立市场、技术、生产多部门联动机制，提高公司对市场变化的反应能力； （2）进一步完善市场营销网络，加强销售队伍建设，优化以营销人员为中心的销售责任制，激发营销人员的工作积极性； （3）加强品牌建设，以优质的产品和服务赢得客户，充分利用互联网宣传途径，扩大公司知名度，增加客户及市场对迎丰品牌的认同感； （4）在巩固现有市场的基础上，积极开拓新市场，推进省内外市场的均衡协调发展，进一步提升公司市场占有率。2、技术开发计划公司的技术开发工作将重点围绕提升产品品质、节能环保、知识产权保护等方面展开。公司将在现有专利、商标等相关知识产权的基础上，进一步加强知识产权的保护工作，将技术研发成果整理并进行相应的专利申请，通过对公司无形资产的保护，切实做好知识产权的维护。为保证上述技术开发计划的顺利