黄石碳化硅衬底项目商业计划书模板参考.docx
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1、泓域咨询/黄石碳化硅衬底项目商业计划书黄石碳化硅衬底项目商业计划书xx(集团)有限公司报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资24562.66万元,其中:建设投资19697.54万元,占项目总投资的80.19%;建设期利息430.61万元,占项目总投资的1.75%;流动资金4434.51万元,占项目总投资的18.05%。项目正常运营每年营业收入48000.00万元,综合总成本费用36994.11万元,净利润8066.23万元,财务内部收益率26.03%,财务净现值17670.67万元,全部投资回收期5.42年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。SiC碳化硅是制作高温
2、、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背
3、景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 绪论9一、 项目名称及投资人9二、 项目建设背景9三、 结论分析10主要经济指标一览表12第二章 背景及必要性15一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期15二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越16三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期18四、 坚持创新核心地位,加快打造创新活力之城20五、 聚焦重点领域改革,健全高质量发展体制机制22第三章 项目承办单位基本情况25一、 公司基本信息25二、
4、 公司简介25三、 公司竞争优势26四、 公司主要财务数据28公司合并资产负债表主要数据28公司合并利润表主要数据29五、 核心人员介绍29六、 经营宗旨30七、 公司发展规划31第四章 行业、市场分析37一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临37二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%38三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心39第五章 发展规划42一、 公司发展规划42二、 保障措施48第六章 法人治理50一、 股东权利及义务50二、 董事52三、 高级管理人员57四、 监事59第七章 运营模式61一、 公司经营宗旨61二、 公司的目标、主要职责61三、 各部
5、门职责及权限62四、 财务会计制度65第八章 SWOT分析73一、 优势分析(S)73二、 劣势分析(W)75三、 机会分析(O)75四、 威胁分析(T)76第九章 创新发展84一、 企业技术研发分析84二、 项目技术工艺分析86三、 质量管理87四、 创新发展总结88第十章 项目进度计划90一、 项目进度安排90项目实施进度计划一览表90二、 项目实施保障措施91第十一章 建筑工程方案分析92一、 项目工程设计总体要求92二、 建设方案92三、 建筑工程建设指标93建筑工程投资一览表93第十二章 产品方案与建设规划95一、 建设规模及主要建设内容95二、 产品规划方案及生产纲领95产品规划方
6、案一览表95第十三章 风险风险及应对措施98一、 项目风险分析98二、 项目风险对策100第十四章 投资方案102一、 编制说明102二、 建设投资102建筑工程投资一览表103主要设备购置一览表104建设投资估算表105三、 建设期利息106建设期利息估算表106固定资产投资估算表107四、 流动资金108流动资金估算表109五、 项目总投资110总投资及构成一览表110六、 资金筹措与投资计划111项目投资计划与资金筹措一览表111第十五章 项目经济效益评价113一、 经济评价财务测算113营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表114固定资产折旧费估算表115无形资产
7、和其他资产摊销估算表116利润及利润分配表118二、 项目盈利能力分析118项目投资现金流量表120三、 偿债能力分析121借款还本付息计划表122第十六章 总结124第十七章 附表126主要经济指标一览表126建设投资估算表127建设期利息估算表128固定资产投资估算表129流动资金估算表130总投资及构成一览表131项目投资计划与资金筹措一览表132营业收入、税金及附加和增值税估算表133综合总成本费用估算表133固定资产折旧费估算表134无形资产和其他资产摊销估算表135利润及利润分配表136项目投资现金流量表137借款还本付息计划表138建筑工程投资一览表139项目实施进度计划一览表1
8、40主要设备购置一览表141能耗分析一览表141第一章 绪论一、 项目名称及投资人(一)项目名称黄石碳化硅衬底项目(二)项目投资人xx(集团)有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xx园区。二、 项目建设背景半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、
9、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。当前,我国已转向高质量发展阶段,正在构建以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局。湖北省正在构建“一主引领、两翼驱动、全域协同”的区域发展布局。在全国、全省发展版图中,黄石面临长江经济带发展、促进中部地区崛起、武汉城市圈同城化发展、湖北国际物流核心枢纽建设等重大区域战略机遇。同时,经过多年持续转型,我市产业基础优势不断蓄积,大临港、大临空
10、功能不断强化,城市品质不断提升。综合来看,“十四五”时期,我市处于机遇叠加期、转型发力期、区域融合期、功能拓展期、品质提升期,机遇大于挑战,前景十分广阔。但也要保持头脑清醒,坚持问题导向,深刻认识当前我市仍然存在发展空间制约、发展动能不足、长江大保护任务艰巨、旧城改造欠账较多、水利基础设施薄弱、农业农村发展不够等短板弱项。全市上下要立足“两个大局”,深刻认识新发展阶段的新特征新要求,深刻认识我市发展环境面临的新变化,增强机遇意识和风险意识,抢时间、抢机遇、抢要素,准确识变、科学应变、主动求变,以自身发展的确定性应对外部环境的不确定性,努力在危机中育先机、于变局中开新局。三、 结论分析(一)项目
11、选址本期项目选址位于xx园区,占地面积约58.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx万片碳化硅衬底的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资24562.66万元,其中:建设投资19697.54万元,占项目总投资的80.19%;建设期利息430.61万元,占项目总投资的1.75%;流动资金4434.51万元,占项目总投资的18.05%。(五)资金筹措项目总投资24562.66万元,根据资金筹措方案,xx(集团)有限公司计划自筹资金(资本金)15774.56万元。
12、根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额8788.10万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):48000.00万元。2、年综合总成本费用(TC):36994.11万元。3、项目达产年净利润(NP):8066.23万元。4、财务内部收益率(FIRR):26.03%。5、全部投资回收期(Pt):5.42年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):15559.53万元(产值)。(七)社会效益本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本项目实施后,可满足国内市场需
13、求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积38667.00约58.00亩1.1总建筑面积60038.851.2基底面积22040.191.3投资强度万元/亩334.982总投资万元24562.662.1建设投资万元19697.542.1.1工程费用万元17184.712.1.2其他费用万元1981.372.1.3预备费万元531.462.2建设期利息万元430.612.3流动资金万元4434.513
14、资金筹措万元24562.663.1自筹资金万元15774.563.2银行贷款万元8788.104营业收入万元48000.00正常运营年份5总成本费用万元36994.116利润总额万元10754.977净利润万元8066.238所得税万元2688.749增值税万元2091.0210税金及附加万元250.9211纳税总额万元5030.6812工业增加值万元16808.8913盈亏平衡点万元15559.53产值14回收期年5.4215内部收益率26.03%所得税后16财务净现值万元17670.67所得税后第二章 背景及必要性一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海
15、外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOL
16、FSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6
17、英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。
18、3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽
19、度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有
20、电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共4
21、8颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市
22、场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10
23、%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的
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