萍乡碳化硅项目招商引资方案【模板范本】.docx
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1、泓域咨询/萍乡碳化硅项目招商引资方案报告说明从特斯拉的方案来看,主逆变器采用SiC能显著降低损耗和提升功率密度。特斯拉Model3在主逆变器中率先采用SiC方案(搭意法半导体的SiCMOSFET模组),替代原先ModelX主逆变器方案(搭载英飞凌的IGBT单管)。对比产品参数可知,所用SiCMOSFET的反应恢复时间和开关损耗均显著降低。同时,根据SystemPlusconsulting的拆解报告,Model3主逆变器上有24个SiC模块,每个模块内含2颗SiC裸晶,共用到48颗SiCMOSFET,如果仍采用ModelX的IGBT,则需要54-60颗。该方案使得Model3主逆变器的整体结构更
2、为简洁、整体质量和体积更轻、功率密度更高。根据谨慎财务估算,项目总投资30351.78万元,其中:建设投资22468.86万元,占项目总投资的74.03%;建设期利息297.54万元,占项目总投资的0.98%;流动资金7585.38万元,占项目总投资的24.99%。项目正常运营每年营业收入67300.00万元,综合总成本费用51944.90万元,净利润11259.11万元,财务内部收益率30.91%,财务净现值28015.39万元,全部投资回收期4.73年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。项目产品应用领域广泛,市场发展空间大。本项目的建立投资合理,回收快,市场
3、销售好,无环境污染,经济效益和社会效益良好,这也奠定了公司可持续发展的基础。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 市场分析9一、 射频:5G推动GaN-on-SiC需求提升9二、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力9三、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高10第二章 项目背景及必要性14一、 乘碳中和之东风,2025年市场规模有望较2020年翻5倍14二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代15三、 预计20
4、25年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1亿美元16四、 畅通经济循环。提高供给质量17五、 扩大有效投资17第三章 项目绪论20一、 项目名称及项目单位20二、 项目建设地点20三、 可行性研究范围20四、 编制依据和技术原则20五、 建设背景、规模22六、 项目建设进度23七、 环境影响23八、 建设投资估算23九、 项目主要技术经济指标24主要经济指标一览表24十、 主要结论及建议26第四章 产品规划与建设内容27一、 建设规模及主要建设内容27二、 产品规划方案及生产纲领27产品规划方案一览表27第五章 建筑物技术方案29一、 项目工程设计总体要求29二、 建设方案31三、 建筑
5、工程建设指标32建筑工程投资一览表32第六章 项目选址34一、 项目选址原则34二、 建设区基本情况34三、 坚持创新驱动,在建设创新型萍乡上开新篇38四、 项目选址综合评价41第七章 法人治理结构42一、 股东权利及义务42二、 董事49三、 高级管理人员54四、 监事57第八章 运营管理模式59一、 公司经营宗旨59二、 公司的目标、主要职责59三、 各部门职责及权限60四、 财务会计制度63第九章 发展规划71一、 公司发展规划71二、 保障措施72第十章 项目节能方案75一、 项目节能概述75二、 能源消费种类和数量分析76能耗分析一览表77三、 项目节能措施77四、 节能综合评价78
6、第十一章 人力资源配置分析80一、 人力资源配置80劳动定员一览表80二、 员工技能培训80第十二章 技术方案82一、 企业技术研发分析82二、 项目技术工艺分析85三、 质量管理86四、 设备选型方案87主要设备购置一览表88第十三章 劳动安全评价90一、 编制依据90二、 防范措施91三、 预期效果评价94第十四章 原辅材料分析95一、 项目建设期原辅材料供应情况95二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理95第十五章 投资计划方案97一、 编制说明97二、 建设投资97建筑工程投资一览表98主要设备购置一览表99建设投资估算表100三、 建设期利息101建设期利息估算表101固定资产投资估
7、算表102四、 流动资金103流动资金估算表104五、 项目总投资105总投资及构成一览表105六、 资金筹措与投资计划106项目投资计划与资金筹措一览表106第十六章 经济收益分析108一、 经济评价财务测算108营业收入、税金及附加和增值税估算表108综合总成本费用估算表109固定资产折旧费估算表110无形资产和其他资产摊销估算表111利润及利润分配表113二、 项目盈利能力分析113项目投资现金流量表115三、 偿债能力分析116借款还本付息计划表117第十七章 风险评估分析119一、 项目风险分析119二、 项目风险对策121第十八章 项目招投标方案124一、 项目招标依据124二、
8、项目招标范围124三、 招标要求124四、 招标组织方式126五、 招标信息发布130第十九章 总结131第二十章 附表134主要经济指标一览表134建设投资估算表135建设期利息估算表136固定资产投资估算表137流动资金估算表138总投资及构成一览表139项目投资计划与资金筹措一览表140营业收入、税金及附加和增值税估算表141综合总成本费用估算表141固定资产折旧费估算表142无形资产和其他资产摊销估算表143利润及利润分配表144项目投资现金流量表145借款还本付息计划表146建筑工程投资一览表147项目实施进度计划一览表148主要设备购置一览表149能耗分析一览表149第一章 市场分
9、析一、 射频:5G推动GaN-on-SiC需求提升5G发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长,市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数,5G通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势,在功率放大器上的应用可满足5G通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前5G新建基站仍使用LDMOS功率放大器,但随5G技术进一步发展,MIMO基站建立需使用氮化镓功率放大器,氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续提升。据Yole和Wolfspeed预测,2024年碳化硅基氮
10、化镓功率器件市场有望突破20亿美元,2027年进一步增长至35亿美元。根据预测,受益5G通讯快速发展,通讯频段向高频迁移,基站和通信设备需要支持高频性能的PA,碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基LDMOS和GaAs的优势将逐步凸显,2020年全球碳化硅射频器件市场规模为8.92亿美元,预计到2025年将增长至21.21亿美元,对应CAGR为18.9%,和Yole和Wolfspeed预测基本一致。二、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力SiC功率器件主要包括SBD、JFET、MOSFET和模块,在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于
11、早期,主要器件类型为SiC二极管,以及在高端车系应用,目前渗透率较低。未来随着:1)特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”,更多车企将会逐步采用SiC方案;2)碳化硅器件价格逐步下降,成本经济效益不断提升;3)800V架构时代来临,SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显,损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速渗透期。2018年,特斯拉Model3率先使用由意法半导体提供的SiCMOSFET,开启电动汽车使用SiC先河,随后比亚迪、保时捷、丰田等汽车制造商陆续推出应用碳化硅器件新车型。其中,在2020年比亚迪汉搭载自
12、主研发制造的SiCMOSFET控制模块,整体加速性能及续航能力均得到显著提升。2021年,碳化硅器件在新能源汽车中应用进入快速增长阶段,国内外众多车型均开始应用碳化硅器件。根据各公司公告信息,在未来几年,小鹏、捷豹、路虎、雷诺等越来越多的厂商将在其新车型中使用SiC器件,新能源汽车中应用SiC器件以提升性能、实现轻量化为大势所趋。三、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟,主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录(2021年版),碳化硅衬底可分为两类,一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,经Ga
13、N外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”,去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率(电阻率1530mcm)的导电型碳化硅衬底,经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、SiCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标,在PVT法下,相较半绝缘型衬底其生产难度更低,但在生产过程中,电阻率易发生分布不均情况,仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变
14、化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数,可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿,各厂商都在致力于未来降低微管密度,部分龙头碳化硅企业如II-VI可将4-6寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2以下,国内厂商的产品微管密度基本在0.5-5cm-2,存在差距。同时,国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟,预计国产碳化硅产品种类
15、不断丰富,产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产,但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段,海内外厂商均加速扩产,但应避免重复建设的问题,造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐,投资金额超240亿元、规划年产能超420万片。中国企业呈现小而散的局面,综合Yole等第三方机构数据,2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动,我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐,积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计,截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元,
16、规划产能超过420万片/年(等效6寸),对比CASA的数据,2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/年(等效6寸)。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力,且以4寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产,但受衬底良率及质量等因素影响,实际产能或严重不足。第二章 项目背景及必要性一、 乘碳中和之东风,2025年市场规模有望较2020年翻5倍2020年全球SiC器件市场规模达11.84亿美元,预计到2025年有望增长至59.79亿美元,对应CAGR为38.2%。根据测算,在碳中和趋势下,受益于SiC在新能源汽车、光伏、风电、工控等领域的持续渗透,S
17、iC功率器件市场规模有望从2020年的2.92亿美元增长至2025年的38.58亿美元,对应CAGR为67.6%;5G、国防驱动GaN-on-SiC射频器件加速渗透,逐步取代硅基LDMOS,SiC射频器件市场规模有望从2020年的8.92亿美元增长至2025年的21.21亿美元,对应CAGR为18.9%。下游SiC功率及射频器件高速增长的需求也将带动SiC材料市场规模快速成长,按照SiC材料在SiC器件中价值量占比50%计算(根据CASA),预计将由2020年的5.92亿美元增长至2025年的29.90亿美元,对应CAGR为38.2%。从下游领域来看,新能源汽车为SiC市场的核心驱动力。新能源
18、汽车逐步向800V架构时代迈进,SiC相比于IGBT在耐高压、耐高温、频率、损耗、质量体积等方面优势更加明显。同时随着全球产能开出及良率提升,SiC价格下探将驱动其在新能源车中的逆变器、OBC等部件中加速渗透。根据Wolfspeed测算,2020年全球SiC器件市场规模中,新能源汽车领域占比约为22.51%,随着SiC在主逆变器和OBC中的加速渗透,预计到2025年占比将提升至50.26%,为第一大驱动力。此外,基于SiC较IGBT的性能优势,随着SiC器件及模块成本的下降,预计SiC在光伏、风电等新能源发电领域渗透率也将逐步提升,预计市场规模占比到2025年提升至8.84%;工控市场规模占比
19、到2025年提升至5.43%。二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代大功率直流充电桩需求旺盛,SiC协力实现高效快充。政策方面,2020年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一;2020年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设,提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高,一个150kW的直流充电器可以在大约15分钟内为电动汽车增加200公里续航,随电动汽车渗透率进一步提高,直流电充电方案需求将同步提升。Yole预计2020-2025年,全球200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过30%的CAGR增长,高于平均的15
20、.6%。SiC器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势,可被广泛应用于电动车直流充电方案中AD-DCPFC、DC-DC以及闸门驱动器等环节中,实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET可简化直流充电桩AC/DC及DC/DC电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在DC/DC中,使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路,所用器件数量减少50%,提升电路整体效率。同样在AC/DC中,使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构,器件数量减少50%实现效率提
21、升。同时,SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上,SiC方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。SiC二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌,在48kHz下,采用SiC二极管替代Si二极管,可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率,可实现最多80%输出功率的提升。三、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1亿美元根据测算,2020年全球新能源汽车SiC器件及模块市场规模为2.7亿美元,预计到2025年达30.1亿美元,对应CAGR为62.3%;由此带来的2020年对SiC晶圆(6寸)的消耗量达13.7万片,预计到2025年将
22、达199.6万片,对应CAGR为71.0%。全球新能源汽车渗透率的快速提升将驱动SiC市场规模高速增长,采取自上而下的方式,以新能源汽车销量为基础,考虑单车SiC器件或模块的价值量、不同零部件SiC渗透率等假设来进行测算。根据测算,至2025年全球新能源汽车消耗SiC衬底数量将达到199.6万片/年,考虑到当前有效衬底产能仍然稀缺,预计SiC功率器件供需偏紧格局将保持相当长时间。四、 畅通经济循环。提高供给质量依托新技术新业态提升传统产业,挖掘传统工艺、老字号品牌,形成经济优势。不断提高供给体系对国内需求的适配性。深入开展质量提升行动,培育专精特新产品。积极参与标准制定,在电瓷电气、工业陶瓷、
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