珠海碳化硅器件项目投资计划书_模板范文.docx
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1、泓域咨询/珠海碳化硅器件项目投资计划书目录第一章 项目概述7一、 项目名称及项目单位7二、 项目建设地点7三、 可行性研究范围7四、 编制依据和技术原则7五、 建设背景、规模8六、 项目建设进度9七、 环境影响9八、 建设投资估算10九、 项目主要技术经济指标10主要经济指标一览表11十、 主要结论及建议12第二章 项目背景分析14一、 SiC材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局14二、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低14三、 打造新发展格局重要节点城市16第三章 行业发展分析19一、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高19二、 工控:SiC模块有望在轨交、智
2、能电网、风电等领域实现全方位渗透21三、 新能源汽车:800V架构下的甜蜜时刻,SiC渗透的核心驱动力22第四章 建筑工程方案分析24一、 项目工程设计总体要求24二、 建设方案25三、 建筑工程建设指标26建筑工程投资一览表26第五章 产品方案28一、 建设规模及主要建设内容28二、 产品规划方案及生产纲领28产品规划方案一览表28第六章 SWOT分析30一、 优势分析(S)30二、 劣势分析(W)32三、 机会分析(O)32四、 威胁分析(T)33第七章 法人治理结构37一、 股东权利及义务37二、 董事40三、 高级管理人员44四、 监事47第八章 发展规划分析50一、 公司发展规划50
3、二、 保障措施51第九章 技术方案54一、 企业技术研发分析54二、 项目技术工艺分析56三、 质量管理57四、 设备选型方案58主要设备购置一览表59第十章 劳动安全分析61一、 编制依据61二、 防范措施64三、 预期效果评价69第十一章 项目节能说明70一、 项目节能概述70二、 能源消费种类和数量分析71能耗分析一览表71三、 项目节能措施72四、 节能综合评价73第十二章 投资方案75一、 编制说明75二、 建设投资75建筑工程投资一览表76主要设备购置一览表77建设投资估算表78三、 建设期利息79建设期利息估算表79固定资产投资估算表80四、 流动资金81流动资金估算表82五、
4、项目总投资83总投资及构成一览表83六、 资金筹措与投资计划84项目投资计划与资金筹措一览表84第十三章 经济效益评价86一、 基本假设及基础参数选取86二、 经济评价财务测算86营业收入、税金及附加和增值税估算表86综合总成本费用估算表88利润及利润分配表90三、 项目盈利能力分析90项目投资现金流量表92四、 财务生存能力分析93五、 偿债能力分析94借款还本付息计划表95六、 经济评价结论95第十四章 项目招标及投标分析97一、 项目招标依据97二、 项目招标范围97三、 招标要求98四、 招标组织方式98五、 招标信息发布99第十五章 项目综合评价100第十六章 附表附件102主要经济
5、指标一览表102建设投资估算表103建设期利息估算表104固定资产投资估算表105流动资金估算表106总投资及构成一览表107项目投资计划与资金筹措一览表108营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表109固定资产折旧费估算表110无形资产和其他资产摊销估算表111利润及利润分配表112项目投资现金流量表113借款还本付息计划表114建筑工程投资一览表115项目实施进度计划一览表116主要设备购置一览表117能耗分析一览表117第一章 项目概述一、 项目名称及项目单位项目名称:珠海碳化硅器件项目项目单位:xxx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx(待定),占地面
6、积约58.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围按照项目建设公司的发展规划,依据有关规定,就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究,并提出研究结论。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。(二)技术原则1、坚持科学
7、发展观,采用科学规划,合理布局,一次设计,分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势,合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则,根据行业的现有格局和未来发展方向,优化设备选型和工艺方案,使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则,产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金,将先进性与实用性有机结合,做到投入少、产出多,效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则,对项目可能产生的污染源进行综合治理,使其达到国家规定的排放标准。五、 建设背景、规模(一)项目背景本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐,投资金额超240亿元、规划年产能超420万片。中国企业呈现
8、小而散的局面,综合Yole等第三方机构数据,2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动,我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐,积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计,截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元,规划产能超过420万片/年(等效6寸),对比CASA的数据,2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/年(等效6寸)。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力,且以4寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产,但受衬底良率及质量等因素影响,实际产能或严重不足。(二)建设
9、规模及产品方案该项目总占地面积38667.00(折合约58.00亩),预计场区规划总建筑面积67603.73。其中:生产工程40800.80,仓储工程13382.79,行政办公及生活服务设施6971.17,公共工程6448.97。项目建成后,形成年产xxx吨碳化硅器件的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xxx有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目符合产业政策、符合规划要求、选址合理;项目建设具有较明显的社会、经济综合效益;项目实施后能满足区域环境质量
10、与环境功能的要求,但项目的建设不可避免地对环境产生一定的负面影响,只要建设单位严格遵守环境保护“三同时”管理制度,切实落实各项环境保护措施,加强环境管理,认真对待和解决环境保护问题,对污染物做到达标排放。从环保角度上讲,项目的建设是可行的。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资26101.04万元,其中:建设投资19777.57万元,占项目总投资的75.77%;建设期利息543.16万元,占项目总投资的2.08%;流动资金5780.31万元,占项目总投资的22.15%。(二)建设投资构成本期项目建设投资19777
11、.57万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用17395.48万元,工程建设其他费用1767.55万元,预备费614.54万元。九、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入57900.00万元,综合总成本费用45925.37万元,纳税总额5739.32万元,净利润8754.26万元,财务内部收益率24.94%,财务净现值12508.96万元,全部投资回收期5.65年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积38667.00约58.00亩1.1总建筑面积67603.731.2基底面积22040.191.
12、3投资强度万元/亩337.082总投资万元26101.042.1建设投资万元19777.572.1.1工程费用万元17395.482.1.2其他费用万元1767.552.1.3预备费万元614.542.2建设期利息万元543.162.3流动资金万元5780.313资金筹措万元26101.043.1自筹资金万元15016.023.2银行贷款万元11085.024营业收入万元57900.00正常运营年份5总成本费用万元45925.376利润总额万元11672.357净利润万元8754.268所得税万元2918.099增值税万元2518.9510税金及附加万元302.2811纳税总额万元5739.3
13、212工业增加值万元19285.9813盈亏平衡点万元22937.10产值14回收期年5.6515内部收益率24.94%所得税后16财务净现值万元12508.96所得税后十、 主要结论及建议本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求,符合市场要求,受到国家技术经济政策的保护和扶持,适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备,交通运输及水电供应均有充分保证,有优越的建设条件。,企业经济和社会效益较好,能实现技术进步,产业结构调整,提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进,成熟可靠,可以确保最终产品的质量要求。第二章 项目背景分析一、 SiC材料:产业链核心环节
14、,国内外厂商积极布局相比于Si,SiC衬底和外延为制造产业链核心环节,合计价值量占比超60%。在传统硅基器件制造过程中,需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤,从而产生更高附加值。SiC材料则仅用于分立器件制造,其前端工艺难度不大,而衬底和外延需在高温、高压环境中生成,生长速度缓慢,为关键技术难点,占据产业链主要价值量。据CASAResearch数据显示,在传统硅基器件中,硅片前道处理附加价值量达到80%,衬底和外延环节仅占11%;而在碳化硅器件的成本构成中,衬底和外延占比分别为50%和25%,合计达到75%,为产业链中价值量最高环节。此外,衬底和外延质量对器
15、件性能优劣起至关重要作用,提升其良率为碳化硅器件制备主要攻克目标。二、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管(IGBT、MOSFET等)是OBC中主要应用的功率器件,采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1)影响二极管损耗的指标包括正向导通压降(VF)、反向恢复电流(IR)、输入电容(QC)和开通关断速度等。相比于硅基SBD,SiCSBD的最大优势在于I
16、R可以忽略不计,使得反向恢复损耗极低,在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时,QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势,在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时,由于SiC材料的优势,SiC二极管的结温更高,其可在更高温度下保持正常工作状态,在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外,SiC二极管可实现更高频率及功率密度,从而提升系统整体效率。全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本,同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究,采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC,可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以
17、上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率,而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管,SiC基功率器件的成本更高,但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。三、 打造新发展格局重要节点城市坚持扭住扩大内需这个战略基点,把实施扩大内需战略同深化供给侧结构性改革有机结合起来,增强和提升珠海在构建新发展格局中的功能和地位。(一)推动畅通国内大循环和促进国内国际双循
18、环贯通生产、分配、流通、消费各环节,形成国民经济良性循环。着力优化供给结构,发挥科技创新在畅通循环中的关键作用,深入开展质量提升行动,加强全产业链质量管理和标准体系建设,鼓励企业制定实施先进标准,不断提升珠海品牌竞争力、珠海标准影响力。加快建设商贸物流基础设施,鼓励商贸流通企业和零售网点实现连锁化经营。完善政策支撑体系,推动金融、房地产产业同实体经济均衡发展。推动内需与外需、进口与出口、货物贸易与服务贸易、贸易与产业协调发展,提高投资贸易便利化自由化水平。支持外贸企业出口转内销技术改造,鼓励企业利用线上平台开拓国内市场,营造良好的内销氛围。推动加大服务业对外开放力度,创新发展转口贸易、离岸贸易
19、。(二)加快建设国际化消费中心促进传统消费提档升级,坚持汽车使用管理,推广新能源汽车,发展汽车后服务市场。继续实施家电以旧换新等惠民政策。推动加快发展免税购物,加强与港澳旅游文化会展商品等消费市场互补联动,用好离境退税政策,扩大离境退税商店数量规模,积极发展市内免税店。培育新型消费,拓展5G终端、智能家居、智能网联汽车等信息产品消费,培育壮大电竞电玩、在线娱乐、远程医疗教育等信息服务消费,支持制造企业建设电商平台、开展直播促销。合理增加公共消费,加大珠海品牌公共财政扶持力度,提高民生领域公共服务供给水平。落实“一城一策”长效机制,坚持稳地价、稳房价、稳预期。落实带薪休假制度,扩大节假日消费。推
20、动商业载体升级改造,强化消费者权益保护,打造“商务诚信示范商圈”,营造良好的消费环境。(三)着力扩大有效投资优化投资结构,发挥投资关键支撑作用,保持投资合理增长。拓展投资空间,加快建设5G网络、大数据中心等新型基础设施,重点推进新型城镇化、交通水利等重大工程,补齐公共卫生、生态环保、防灾减灾、民生保障领域短板,支持企业设备更新和技术改造,扩大战略性新兴产业投资。激发社会投资活力,创新投融资机制,加大政府和社会资本合作力度,拓宽民间资本投资渠道,推进基础设施不动产投资信托基金(REITs)试点。提高政府投资项目谋划储备水平,用好中央预算内投资、地方政府专项债等资金。第三章 行业发展分析一、 衬底
21、:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟,主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录(2021年版),碳化硅衬底可分为两类,一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,经GaN外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”,去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率(电阻率1530mcm)的导电型碳化硅衬底,经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、SiCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标,在PVT法下,相较半绝缘型衬底其生产难度
22、更低,但在生产过程中,电阻率易发生分布不均情况,仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数,可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿,各厂商都在致力于未来降低微管密度,部分龙头碳化硅企业如II-VI可将4-6寸产品的微
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