碳化硅项目资金申请报告【模板范文】.docx
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1、泓域咨询/碳化硅项目资金申请报告报告说明全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本,同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究,采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC,可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率,而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管,SiC基功率器件的成本更高,但整体
2、全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。根据谨慎财务估算,项目总投资8135.65万元,其中:建设投资6552.84万元,占项目总投资的80.54%;建设期利息188.79万元,占项目总投资的2.32%;流动资金1394.02万元,占项目总投资的17.13%。项目正常运营每年营业收入13300.00万元,综合总成本费用11391.95万元,净利润1387.16万元,财务内部收益率10.50%,财务净现值-444.99万元,全部投资回收期7.38年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本项目生产线设备技术先进,即提高了产品质量,又增加了产品附加值,具有良好的社会效
3、益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势,主要原材料从本地市场采购,保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述,项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义,本期项目的建设,是十分必要和可行的。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 市场预测8一、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积8二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代9第二章 项目投资背景分析11
4、一、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低11二、 光伏:SiC光伏逆变器性能提升显著,广泛应用未来可期12三、 坚定不移突出大数据智能化,加快制造业转型升级12四、 坚定不移实施创新驱动战略14第三章 项目投资主体概况17一、 公司基本信息17二、 公司简介17三、 公司竞争优势18四、 公司主要财务数据20公司合并资产负债表主要数据20公司合并利润表主要数据20五、 核心人员介绍20六、 经营宗旨22七、 公司发展规划22第四章 项目总论28一、 项目概述28二、 项目提出的理由30三、 项目总投资及资金构成31四、 资金筹措方案31五、 项目预期经济效益规划目标31六、
5、项目建设进度规划32七、 环境影响32八、 报告编制依据和原则32九、 研究范围34十、 研究结论34十一、 主要经济指标一览表35主要经济指标一览表35第五章 产品方案与建设规划37一、 建设规模及主要建设内容37二、 产品规划方案及生产纲领37产品规划方案一览表37第六章 项目选址分析39一、 项目选址原则39二、 建设区基本情况39三、 坚定不移扩大对外开放,加快建设内陆开放高地43四、 项目选址综合评价45第七章 发展规划分析46一、 公司发展规划46二、 保障措施50第八章 SWOT分析53一、 优势分析(S)53二、 劣势分析(W)54三、 机会分析(O)55四、 威胁分析(T)5
6、5第九章 节能方案63一、 项目节能概述63二、 能源消费种类和数量分析64能耗分析一览表64三、 项目节能措施65四、 节能综合评价66第十章 项目实施进度计划67一、 项目进度安排67项目实施进度计划一览表67二、 项目实施保障措施68第十一章 劳动安全69一、 编制依据69二、 防范措施70三、 预期效果评价76第十二章 组织机构管理77一、 人力资源配置77劳动定员一览表77二、 员工技能培训77第十三章 投资方案分析79一、 投资估算的依据和说明79二、 建设投资估算80建设投资估算表84三、 建设期利息84建设期利息估算表84固定资产投资估算表86四、 流动资金86流动资金估算表8
7、7五、 项目总投资88总投资及构成一览表88六、 资金筹措与投资计划89项目投资计划与资金筹措一览表89第十四章 项目经济效益91一、 经济评价财务测算91营业收入、税金及附加和增值税估算表91综合总成本费用估算表92固定资产折旧费估算表93无形资产和其他资产摊销估算表94利润及利润分配表96二、 项目盈利能力分析96项目投资现金流量表98三、 偿债能力分析99借款还本付息计划表100第十五章 项目风险分析102一、 项目风险分析102二、 项目风险对策104第十六章 总结评价说明106第十七章 补充表格109主要经济指标一览表109建设投资估算表110建设期利息估算表111固定资产投资估算表
8、112流动资金估算表113总投资及构成一览表114项目投资计划与资金筹措一览表115营业收入、税金及附加和增值税估算表116综合总成本费用估算表116固定资产折旧费估算表117无形资产和其他资产摊销估算表118利润及利润分配表119项目投资现金流量表120借款还本付息计划表121建筑工程投资一览表122项目实施进度计划一览表123主要设备购置一览表124能耗分析一览表124第一章 市场预测一、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案,如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共
9、用到48颗意法半导体的SiCMOSFET,如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT,则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右(按照艾睿供应商网站价格计算,实际大批量采购价格更低),但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素,会率先在中高端车型上使用。1)损耗更低:根据ST的数据,800V系统下,1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低,在常用的25%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%,在100%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2)高压下性能
10、优势更加明显:在400V左右的直流母线电压下,需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下,功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT,但对比之下,SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据,在400V电压平台下,SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升;而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知,1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显,主要体现为损耗降低幅度更大。3)耐高温:SiC的结温更高,能够在超过
11、175度的高温下正常工作,较IGBT更加适合高温环境。4)体积节约:根据ST,在10kHz工作频率和800V架构的情况下,对于一个210kW的逆变器,若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案:1)使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2;2)开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3)损耗的降低使得PCU(电源控制单元)的尺寸得以减少,相对应的冷却系统体积也将得以简化。二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代大功率直流充电桩需求旺盛,SiC协力实现高效快充。政策方面,2020年政府工作报告中已将充电基础设施纳入新基建七大产业之一;202
12、0年能源工作指导意见中指出要加强充电基础设施建设,提升新能源汽车的充电保障能力。直流充电方式相较家用标准交流电充电方式速度大幅提高,一个150kW的直流充电器可以在大约15分钟内为电动汽车增加200公里续航,随电动汽车渗透率进一步提高,直流电充电方案需求将同步提升。Yole预计2020-2025年,全球200kW及以上的大功率直流充电桩数量将以超过30%的CAGR增长,高于平均的15.6%。SiC器件和模块具备耐高温、耐高压以及低损耗等优势,可被广泛应用于电动车直流充电方案中AD-DCPFC、DC-DC以及闸门驱动器等环节中,实现更高效电动车直流充电方案。SiCMOSFET可简化直流充电桩AC
13、/DC及DC/DC电路结构,减少器件数量实现充电效率提升。根据英飞凌,在DC/DC中,使用4颗1200VSiCMOSFET替代8颗650V硅基MOSFET,在同样功率下,可将原来的两相全桥LLC电路简化为单相全桥LLC电路,所用器件数量减少50%,提升电路整体效率。同样在AC/DC中,使用SiCMOSFET可将三相Vienna整流器拓扑电路简化为两相结构,器件数量减少50%实现效率提升。同时,SiCMOSFET的整体损耗也更小。综上,SiC方案能使得整体充电器体积更小、功率密度更高、充电效率更高,更好的满足快充要求。SiC二极管方案可实现效率提升及输出功率增加。根据英飞凌,在48kHz下,采用
14、SiC二极管替代Si二极管,可显著降低损耗从而提升0.8%的充电效率,可实现最多80%输出功率的提升。第二章 项目投资背景分析一、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管(IGBT、MOSFET等)是OBC中主要应用的功率器件,采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1)影响二极管损耗的指标包括正向导通压降(VF)、反向恢复电流(IR)、输入电容(QC)和开
15、通关断速度等。相比于硅基SBD,SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计,使得反向恢复损耗极低,在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时,QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势,在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时,由于SiC材料的优势,SiC二极管的结温更高,其可在更高温度下保持正常工作状态,在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外,SiC二极管可实现更高频率及功率密度,从而提升系统整体效率。全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本,同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究,采用全SiCMOSFET方案的22kW双向
16、OBC,可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率,而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管,SiC基功率器件的成本更高,但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。二、 光伏:SiC光伏逆变器性能提升显著,广泛应用未来可期基于硅基器件的传统逆变器成本约占光伏发电系统10%,却是系统能量损耗的主要来源之一。使
17、用SiCMOSFET功率模块的光伏逆变器,其转换效率可从98.8%提升至99%以上,能量损耗降低8%,相同条件下输出功率提升27%,推动发电系统在体积、寿命及成本上实现重要突破。英飞凌最早于2012年推出CoolSiC系列产品应用于光伏逆变器,2020年以来,西门子、安森美等众多厂商陆续推出相关产品,碳化硅光伏逆变器应用进一步推广。据CASA数据,2020年光伏逆变器中碳化硅器件渗透率为10%,预计2025年将增长至50%。高效、高功率密度、高可靠和低成本为光伏逆变器未来发展趋势,SiC器件有望迎来广阔增量空间。三、 坚定不移突出大数据智能化,加快制造业转型升级把经济发展的着力点放在以制造业为
18、根基的实体经济上,推动产业基础高级化、产业链现代化,不断提升产业发展能级。(一)发展先进制造业新一代信息技术产业,完善设计、制造、封测全产业链,引进中科院寒武纪芯片、智芯微科技等10个项目,确保中电科吉芯科技、三福电子封装研发基地等项目建成投产,扩容升级重庆智能信息产业研究院,首创高科集成电路产业园主体完工。下一代汽车产业,加快向高端化、智能化、新能源化升级,确保小康高端智能网联汽车、金康新能源动力等项目建成投产,中科慧眼、未动科技、普强信息、前卫科技等项目投产放量。高端装备产业,围绕精密仪器、成套设备等方向,加快中科国机地球资源装备产研基地等项目建设,推动万普隆非常规油气开采、大连光洋科德数
19、控等项目释放产能。生物医疗产业,聚焦高端医疗器械、体外诊断等领域,加快海尔生物西南区域细胞制备中心、普门科技、德润俊医疗等项目建设,推动深圳慧思科技、康克唯肿瘤疫苗等项目投产。新材料产业,以电子材料和高性能材料为主攻方向,确保中科纳通电子材料产业园建成投产,壮大北威新材料产业园产业规模。(二)发展数字经济提升“芯核器网服”价值链,大力发展人工智能、区块链等大数据产业,完善工业互联网体系,促进线上线下融合发展,实现智能产业规模1800亿元。构建“云联数算融”要素群,完善“数字沙坪坝”云平台功能,推动公共数据资源各行业互通共享。新建数字化车间8个、智能化工厂6个,完成开物工业、水泵厂等10个技改项
20、目。提升军民融合发展水平。打造“住业游乐购”场景集,新建5G基站1500个,拓展智慧政务、智慧交通、智慧医疗、智慧教育、智慧旅游等智能化应用。实现数字经济增加值增长15%。四、 坚定不移实施创新驱动战略坚持创新在产业化中的核心地位,加快完善创新生态链,全力打造引领重庆高质量发展的“科创智核”。(一)推动科学城建设坚决扛起科学城主战场的责任,举全区之力、集全区之智,建好“科学家的家、创业者的城”。聚焦科学主题“铸魂”,紧扣“五个科学”“五个科技”,支持驻区高校建设高水平大学,加快环大学创新生态圈建设,抓好量子通信核心光电子器件等一批重大项目落地,推动高校院所建设基础学科研究中心,组建重庆大学产业
21、技术研究院金沙分院、智慧肿瘤研究院,打造重庆科技创新的重要发源地。面向未来发展“筑城”,高起点规划空间形态,高标准建设配套功能,高水平优化业态布局,推动科学大道等标志性工程,加快大成湖湿地公园、木鱼石公园建设,推进梁滩河综合整治,打造高品质生活宜居地。加强与高新区协调联动,支持直管园建设,推动全域创新“赋能”,打造创新产业集聚地。(二)构建创新版图打造嘉陵江科技创新带,推动金沙星座科创园、重大创意设计产业园发展,加快特钢创意产业园、地质仪器厂数字产业园、英诺科创孵化园、凤凰山创意园建设。打造西部科创走廊,建成32万平方米自贸区创新服务中心、15万平方米联东国际企业港,加快33万平方米青凤高科孵
22、化中心、50万平方米中电光谷西部科技城建设,中电光谷智创园实现产值10亿元,黄金湾智谷企业入驻率达70%。(三)引育创新主体培育新型研发机构,引进中国网安区块链研究院、特色医学检验中心等6个研发机构,建成中科院广州能源所、西部地质科技创新研究院等10家研发机构,促进创新主体加快集聚。培育创新型企业,引进瑞邦检测等20个高新技术项目。组建企业创新联合体5个,培育国家高新技术企业20家,市级技术中心8个、科技型企业200家。(四)优化创新生态完善科技金融体系,大力引进创投基金,用好种子基金、知识产权信用贷,推动产业、科技、金融有效循环,研发投入占比达到3.6%。引进国家级技术转移机构中心,促进科技
23、成果就地转化。开展“一企一策”“一院一策”人才工作,实施人才服务“快办行动”,营造“近悦远来”人才发展环境。办好各类品牌创新活动,创建全国科普示范区。第三章 项目投资主体概况一、 公司基本信息1、公司名称:xxx集团有限公司2、法定代表人:张xx3、注册资本:560万元4、统一社会信用代码:xxxxxxxxxxxxx5、登记机关:xxx市场监督管理局6、成立日期:2013-9-77、营业期限:2013-9-7至无固定期限8、注册地址:xx市xx区xx9、经营范围:从事碳化硅相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本
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