锦州关于成立功率器件公司可行性报告(范文模板).docx
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1、泓域咨询/锦州关于成立功率器件公司可行性报告锦州关于成立功率器件公司可行性报告xx集团有限公司目录第一章 筹建公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据12公司合并利润表主要数据12六、 项目概况12第二章 行业发展分析16一、 功率半导体市场规模与竞争格局16二、 MOSFET器件概述16第三章 项目投资背景分析22一、 功率半导体行业概述22二、 中国半导体行业发展概况23三、 全球半导体行业发展概况24四、 激发城区经济发展活力25五、 全面优化营商环
2、境25第四章 公司组建方案27一、 公司经营宗旨27二、 公司的目标、主要职责27三、 公司组建方式28四、 公司管理体制28五、 部门职责及权限29六、 核心人员介绍33七、 财务会计制度34第五章 发展规划38一、 公司发展规划38二、 保障措施39第六章 法人治理结构42一、 股东权利及义务42二、 董事49三、 高级管理人员54四、 监事57第七章 选址方案分析59一、 项目选址原则59二、 建设区基本情况59三、 持续壮大县域经济实力61四、 项目选址综合评价62第八章 项目环境保护63一、 编制依据63二、 建设期大气环境影响分析63三、 建设期水环境影响分析64四、 建设期固体废
3、弃物环境影响分析65五、 建设期声环境影响分析65六、 环境管理分析66七、 结论68八、 建议68第九章 风险风险及应对措施70一、 项目风险分析70二、 项目风险对策72第十章 进度实施计划74一、 项目进度安排74项目实施进度计划一览表74二、 项目实施保障措施75第十一章 投资方案76一、 编制说明76二、 建设投资76建筑工程投资一览表77主要设备购置一览表78建设投资估算表79三、 建设期利息80建设期利息估算表80固定资产投资估算表81四、 流动资金82流动资金估算表83五、 项目总投资84总投资及构成一览表84六、 资金筹措与投资计划85项目投资计划与资金筹措一览表85第十二章
4、 经济效益87一、 经济评价财务测算87营业收入、税金及附加和增值税估算表87综合总成本费用估算表88固定资产折旧费估算表89无形资产和其他资产摊销估算表90利润及利润分配表92二、 项目盈利能力分析92项目投资现金流量表94三、 偿债能力分析95借款还本付息计划表96第十三章 项目总结分析98第十四章 附表100主要经济指标一览表100建设投资估算表101建设期利息估算表102固定资产投资估算表103流动资金估算表104总投资及构成一览表105项目投资计划与资金筹措一览表106营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表107固定资产折旧费估算表108无形资产和其他资产摊销估
5、算表109利润及利润分配表110项目投资现金流量表111借款还本付息计划表112建筑工程投资一览表113项目实施进度计划一览表114主要设备购置一览表115能耗分析一览表115报告说明2020年,充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间,政府工作报告中强调“建设充电桩,推广新能源汽车,激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示,截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆,与2019年年底相比增加36万辆,增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长,新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长,截止2019年12月,全国充电基础设施累计数量为
6、121.9万个,其中公共桩51.6万个,私人桩70.3万个,充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办,服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年,全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个,复合年增长率达到了72.9%。xx集团有限公司主要由xx(集团)有限公司和xxx有限公司共同出资成立。其中:xx(集团)有限公司出资566.50万元,占xx集团有限公司55%股份;xxx有限公司出资464万元,占xx集团有限公司45%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资36569.92万元,其中:建设投资29269.14万元,占项目总投资的80.04%
7、;建设期利息710.96万元,占项目总投资的1.94%;流动资金6589.82万元,占项目总投资的18.02%。项目正常运营每年营业收入74300.00万元,综合总成本费用58781.28万元,净利润11358.65万元,财务内部收益率24.02%,财务净现值12264.36万元,全部投资回收期5.61年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。综上所述,该项目属于国家鼓励支持的项目,项目的经济和社会效益客观,项目的投产将改善优化当地产业结构,实现高质量发展的目标。第一章 筹建公司基本信息一、 公司名称xx集团有限公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本1030万元三
8、、 注册地址锦州xxx四、 主要经营范围经营范围:从事功率器件相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xx集团有限公司主要由xx(集团)有限公司和xxx有限公司发起成立。(一)xx(集团)有限公司基本情况1、公司简介经过多年的发展,公司拥有雄厚的技术实力,丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系,综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今,始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进,以技术领先求发展的
9、方针。公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念,将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念,不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额12327.529862.029245.64负债总额7018.375614.705263.78股东权益合计5309.154247.323981.86公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入54053.6143242.8940540.21营业利润11831.959465.568873.96利润总额10248.758199.00768
10、6.56净利润7686.565995.525534.32归属于母公司所有者的净利润7686.565995.525534.32(二)xxx有限公司基本情况1、公司简介面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态,公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索,提升企业综合实力,配合产业供给侧结构改革。同时,公司注重履行社会责任所带来的发展机遇,积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来,公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则,加强规划引导,推动智慧集群建设,带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用
11、大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流,发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制,承担社会责任,营造和谐发展环境。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额12327.529862.029245.64负债总额7018.375614.705263.78股东权益合计5309.154247.323981.86公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入54053.6143242.8940540.21营业利润11831.959465.568873.96利润总额10248.758199
12、.007686.56净利润7686.565995.525534.32归属于母公司所有者的净利润7686.565995.525534.32六、 项目概况(一)投资路径xx集团有限公司主要从事关于成立功率器件公司的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外,终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中,客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联,同时要考虑高温失效和散热问题,其封装工艺和结构更复杂;在小功率应用场景中,功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前,工业领域仍
13、是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起,功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测,2020-2024年分立器件市场增速为2.8%,而功率模块市场增速为9.2%,高于分立器件市场增速。“十四五”时期是我国全面建成小康社会、实现第一个百年奋斗目标之后,乘势而上开启全面建设社会主义现代化国家新征程、向第二个百年奋斗目标进军的第一个五年,是推动锦州全面振兴全方位振兴极为关键的五年。(三)项目选址项目选址位于xx(以选址意见书为准),占地面积约77.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目
14、建成后,形成年产xx件功率器件的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积91735.68,其中:生产工程55963.65,仓储工程25197.00,行政办公及生活服务设施7105.94,公共工程3469.09。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资36569.92万元,其中:建设投资29269.14万元,占项目总投资的80.04%;建设期利息710.96万元,占项目总投资的1.94%;流动资金6589.82万元,占项目总投资的18.02%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):74300.00万元。2、综合总成本费用(TC):58781.28万元。3、净利润(NP):11358.
15、65万元。4、全部投资回收期(Pt):5.61年。5、财务内部收益率:24.02%。6、财务净现值:12264.36万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划24个月。(九)项目综合评价本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求,符合市场要求,受到国家技术经济政策的保护和扶持,适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备,交通运输及水电供应均有充分保证,有优越的建设条件。,企业经济和社会效益较好,能实现技术进步,产业结构调整,提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进,成熟可靠,可以确保最终产品的质量要求。第二章 行业发展分析一、 功率半导体市场规模与竞争格局根据
16、Omdia预测,2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元,预计至2024年市场规模将增长至522亿美元,2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域,国际厂商优势明显,全球前十大功率半导体公司均为海外厂商,包括英飞凌(Infineon)、德州仪器(TexasInstruments)、安森美(ONSemiconductor)、意法半导体(STMicroelectronics)等。行业整体集中度较低,2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%,前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善,技术也正在取得突破。同时
17、,中国也是全球最大的功率半导体消费国,2019年市场规模达到177亿美元,增速为-3.3%,占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长,2024年市场规模有望达到206亿美元,2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响
18、,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增,2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制
19、、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级
20、结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常
21、情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压V
22、DMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展,高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称
23、绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,市占率高
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