泰州碳化硅器件项目商业计划书（模板参考）.docx

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1、泓域咨询/泰州碳化硅器件项目商业计划书泰州碳化硅器件项目商业计划书xxx有限责任公司目录第一章 绪论9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 建设背景、规模9四、 项目建设进度10五、 建设投资估算10六、 项目主要技术经济指标11主要经济指标一览表11七、 主要结论及建议13第二章 市场分析14一、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升14二、 SiC材料：产业链核心环节，国内外厂商积极布局14第三章 项目建设背景及必要性分析16一、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积16二、 OBC：SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低17

2、三、 衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高18四、 坚持创新发展建设高质量创新型城市21五、 项目实施的必要性22第四章 项目建设单位说明23一、 公司基本信息23二、 公司简介23三、 公司竞争优势24四、 公司主要财务数据25公司合并资产负债表主要数据25公司合并利润表主要数据26五、 核心人员介绍26六、 经营宗旨28七、 公司发展规划28第五章 发展规划分析30一、 公司发展规划30二、 保障措施31第六章 法人治理34一、 股东权利及义务34二、 董事36三、 高级管理人员40四、 监事42第七章 运营模式45一、 公司经营宗旨45二、 公司的目标、主要职责45三、 各部门职责

3、及权限46四、 财务会计制度49第八章 创新驱动53一、 企业技术研发分析53二、 项目技术工艺分析55三、 质量管理57四、 创新发展总结58第九章 SWOT分析59一、 优势分析（S）59二、 劣势分析（W）60三、 机会分析（O）61四、 威胁分析（T）61第十章 建筑物技术方案65一、 项目工程设计总体要求65二、 建设方案66三、 建筑工程建设指标67建筑工程投资一览表67第十一章 产品规划方案69一、 建设规模及主要建设内容69二、 产品规划方案及生产纲领69产品规划方案一览表69第十二章 风险防范71一、 项目风险分析71二、 项目风险对策73第十三章 进度计划方案75一、 项目

4、进度安排75项目实施进度计划一览表75二、 项目实施保障措施76第十四章 投资方案77一、 编制说明77二、 建设投资77建筑工程投资一览表78主要设备购置一览表79建设投资估算表80三、 建设期利息81建设期利息估算表81固定资产投资估算表82四、 流动资金83流动资金估算表84五、 项目总投资85总投资及构成一览表85六、 资金筹措与投资计划86项目投资计划与资金筹措一览表86第十五章 经济效益评价88一、 基本假设及基础参数选取88二、 经济评价财务测算88营业收入、税金及附加和增值税估算表88综合总成本费用估算表90利润及利润分配表92三、 项目盈利能力分析92项目投资现金流量表94四

5、、 财务生存能力分析95五、 偿债能力分析96借款还本付息计划表97六、 经济评价结论97第十六章 项目综合评价说明99第十七章 附表附录100主要经济指标一览表100建设投资估算表101建设期利息估算表102固定资产投资估算表103流动资金估算表104总投资及构成一览表105项目投资计划与资金筹措一览表106营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表107固定资产折旧费估算表108无形资产和其他资产摊销估算表109利润及利润分配表110项目投资现金流量表111借款还本付息计划表112建筑工程投资一览表113项目实施进度计划一览表114主要设备购置一览表115能耗分析一览表1

6、15报告说明全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本，同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究，采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC，可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上，且开关频率提高一倍以上，实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率，而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时，进一步拆分成本，由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此，尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管，SiC基功率器件的成本更高，但整体全SiC方案的OBC成本可节

7、约15%左右。根据谨慎财务估算，项目总投资22194.67万元，其中：建设投资17590.51万元，占项目总投资的79.26%；建设期利息230.31万元，占项目总投资的1.04%；流动资金4373.85万元，占项目总投资的19.71%。项目正常运营每年营业收入43400.00万元，综合总成本费用34625.79万元，净利润6416.89万元，财务内部收益率22.41%，财务净现值8942.52万元，全部投资回收期5.46年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，

8、是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：泰州碳化硅器件项目项目单位：xxx有限责任公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx（以最终选址方案为准），占地面积约62.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通

9、讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 建设背景、规模（一）项目背景SiC功率器件主要包括SBD、JFET、MOSFET和模块，在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期，主要器件类型为SiC二极管，以及在高端车系应用，目前渗透率较低。未来随着：1）特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”，更多车企将会逐步采用SiC方案；2）碳化硅器件价格逐步下降，成本经济效益不断提升；3）800V架构时代来临，SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显，损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。（二）建设规模及产品方案该项

10、目总占地面积41333.00（折合约62.00亩），预计场区规划总建筑面积73768.62。其中：生产工程41147.82，仓储工程15818.97，行政办公及生活服务设施7302.52，公共工程9499.31。项目建成后，形成年产xxx吨碳化硅器件的生产能力。四、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx有限责任公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。五、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资22194.67万元

11、，其中：建设投资17590.51万元，占项目总投资的79.26%；建设期利息230.31万元，占项目总投资的1.04%；流动资金4373.85万元，占项目总投资的19.71%。（二）建设投资构成本期项目建设投资17590.51万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用14833.67万元，工程建设其他费用2301.75万元，预备费455.09万元。六、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入43400.00万元，综合总成本费用34625.79万元，纳税总额4176.92万元，净利润6416.89万元，财务内部收益率22.41%，财务净现

12、值8942.52万元，全部投资回收期5.46年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积41333.00约62.00亩1.1总建筑面积73768.621.2基底面积26453.121.3投资强度万元/亩262.922总投资万元22194.672.1建设投资万元17590.512.1.1工程费用万元14833.672.1.2其他费用万元2301.752.1.3预备费万元455.092.2建设期利息万元230.312.3流动资金万元4373.853资金筹措万元22194.673.1自筹资金万元12794.363.2银行贷款万元9400.314营业收入万元43400

13、.00正常运营年份5总成本费用万元34625.796利润总额万元8555.867净利润万元6416.898所得税万元2138.979增值税万元1819.6010税金及附加万元218.3511纳税总额万元4176.9212工业增加值万元14061.7613盈亏平衡点万元16978.55产值14回收期年5.4615内部收益率22.41%所得税后16财务净现值万元8942.52所得税后七、 主要结论及建议本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求，符合市场要求，受到国家技术经济政策的保护和扶持，适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备，交通运输及水电供应均有充分保证，有

14、优越的建设条件。，企业经济和社会效益较好，能实现技术进步，产业结构调整，提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进，成熟可靠，可以确保最终产品的质量要求。第二章 市场分析一、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升5G发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长，市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数，5G通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势，在功率放大器上的应用可满足5G通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前5G新建基站仍使用LDMOS功率

15、放大器，但随5G技术进一步发展，MIMO基站建立需使用氮化镓功率放大器，氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续提升。据Yole和Wolfspeed预测，2024年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破20亿美元，2027年进一步增长至35亿美元。根据预测，受益5G通讯快速发展，通讯频段向高频迁移，基站和通信设备需要支持高频性能的PA，碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基LDMOS和GaAs的优势将逐步凸显，2020年全球碳化硅射频器件市场规模为8.92亿美元，预计到2025年将增长至21.21亿美元，对应CAGR为18.9%，和Yole和Wolfspeed预测基本一致。二、 SiC材料：产业链核心环节

16、，国内外厂商积极布局相比于Si，SiC衬底和外延为制造产业链核心环节，合计价值量占比超60%。在传统硅基器件制造过程中，需要在硅片基础上进行氧化、涂层、曝光、光刻、刻蚀、清洗等多个前道处理步骤，从而产生更高附加值。SiC材料则仅用于分立器件制造，其前端工艺难度不大，而衬底和外延需在高温、高压环境中生成，生长速度缓慢，为关键技术难点，占据产业链主要价值量。据CASAResearch数据显示，在传统硅基器件中，硅片前道处理附加价值量达到80%，衬底和外延环节仅占11%；而在碳化硅器件的成本构成中，衬底和外延占比分别为50%和25%，合计达到75%，为产业链中价值量最高环节。此外，衬底和外延质量对器

17、件性能优劣起至关重要作用，提升其良率为碳化硅器件制备主要攻克目标。第三章 项目建设背景及必要性分析一、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT，则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器

18、中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低，在常用的25%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%，在100%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2）高压下性能优势更加明显：在400V左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下，功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT，但对比之下，SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据，在400V

19、电压平台下，SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升；而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知，1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显，主要体现为损耗降低幅度更大。3）耐高温：SiC的结温更高，能够在超过175度的高温下正常工作，较IGBT更加适合高温环境。4）体积节约：根据ST，在10kHz工作频率和800V架构的情况下，对于一个210kW的逆变器，若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案：1）使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2；2）开关损耗和总损耗分

20、别缩小为原来的3.9/1.9倍。3）损耗的降低使得PCU（电源控制单元）的尺寸得以减少，相对应的冷却系统体积也将得以简化。二、 OBC：SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管（IGBT、MOSFET等）是OBC中主要应用的功率器件，采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1）影响二极管损耗的指标包括正向导通压降（VF）、反向恢复电流（IR）、输入电容（QC）和开通关

21、断速度等。相比于硅基SBD，SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计，使得反向恢复损耗极低，在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时，QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势，在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时，由于SiC材料的优势，SiC二极管的结温更高，其可在更高温度下保持正常工作状态，在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外，SiC二极管可实现更高频率及功率密度，从而提升系统整体效率。全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本，同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究，采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OB

22、C，可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上，且开关频率提高一倍以上，实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率，而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时，进一步拆分成本，由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此，尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管，SiC基功率器件的成本更高，但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。三、 衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟，主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应

23、用示范指导目录（2021年版），碳化硅衬底可分为两类，一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，经GaN外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”，去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率（电阻率1530mcm）的导电型碳化硅衬底，经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、SiCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标，在PVT法下，相较半绝缘型衬底其生产难度更低，但在生产过程中，电阻率易发生分布不均情况，仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头，但在单晶性能一致性

24、、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数，可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿，各厂商都在致力于未来降低微管密度，部分龙头碳化硅企业如II-VI可将4-6寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2以下，国内厂商的产品微管密度基本在0.5-5cm-2，存在差距。同时，国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本

25、等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟，预计国产碳化硅产品种类不断丰富，产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产，但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段，海内外厂商均加速扩产，但应避免重复建设的问题，造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐，投资金额超240亿元、规划年产能超420万片。中国企业呈现小而散的局面，综合Yole等第三方机构数据，2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动，我国本土企业

26、也开始紧追国际厂商步伐，积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计，截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元，规划产能超过420万片/年（等效6寸），对比CASA的数据，2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/年（等效6寸）。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力，且以4寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产，但受衬底良率及质量等因素影响，实际产能或严重不足。四、 坚持创新发展建设高质量创新型城市坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，强化“四个面向”意识，全面落实科技强国行动纲要江苏实施方案，强化基础研究和原始创新，力争在核心技术自

27、主化、区域创新协同化、创新平台专业化、创新环境生态化上有所突破，在促进创新链与产业链双向融合上争当表率，加快形成以创新为引领和支撑的经济体系及发展模式，打造长三角特色产业创新中心和科技成果转移转化中心。（一）培育壮大创新载体平台加快创新载体建设，攻克一批支撑产业和区域发展的关键核心技术，增强自主创新能力，加快培育高能级、多维度科研平台和创新主体，构建高质量区域创新体系。（二）突出企业创新主体地位充分发挥市场在科技资源配置中的主导作用，把强企壮企作为重要目标，牢固树立经济活动以企业为中心、技术创新以企业为主体理念，引导创新要素向企业集聚，深化企业主导的产学研合作，培育创新型企业。（三）激发人才创

28、新创造活力推进人才强市战略，坚持人才第一资源，更大力度推动人才优先发展，加快推进人才发展体制改革创新，让人才“引得进、留得住、用得好”。（四）营造高质量创新创业生态遵循科技创新规律，加快转变政府职能，破除制度性障碍，建设开放包容、公平竞争、活力彰显的一流创新环境。五、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第四章 项目建设单位说明一、

29、公司基本信息1、公司名称：xxx有限责任公司2、法定代表人：郭xx3、注册资本：900万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2014-7-137、营业期限：2014-7-13至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅器件相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司坚持诚信为本、铸就品牌，优质服务、赢得市场的经营理念，秉承以人为本，始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢

30、为道”的经营理念，遵循“以客户需求为中心，坚持高端精品战略，提高最高的服务价值”的服务理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于为客户量身定制出完美解决方案，满足高端市场高品质的需求。公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术

31、成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术创新、产品质量和服务，树立了良好的品牌形象，获得了较高的客户认可度。公司通过与优质客户保持稳定的合作关系，对于行业的核心需求、产

32、品变化趋势、最新技术要求的理解更为深刻，有利于研发生产更符合市场需求产品，提高公司的核心竞争力。（四）公司在行业中占据较为有利的竞争地位公司经过多年深耕，已在技术、品牌、运营效率等多方面形成竞争优势；同时随着行业的深度整合，行业集中度提升，下游客户为保障其自身原材料供应的安全与稳定，在现有竞争格局下对于公司产品的需求亦不断提升。公司较为有利的竞争地位是长期可持续发展的有力支撑。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额7882.976306.385912.23负债总额4262.193409.753196.64股东权益合计3620

33、.782896.622715.59公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入33016.5126413.2124762.38营业利润8066.666453.336049.99利润总额7548.706038.965661.52净利润5661.524415.994076.29归属于母公司所有者的净利润5661.524415.994076.29五、 核心人员介绍1、郭xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。2、胡xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2

34、015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。3、向xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。4、熊xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。5、叶xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任

35、xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。6、方xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。7、曹xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。8、韩xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任

36、公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。六、 经营宗旨加强经济合作和技术交流，采用先进适用的科学技术和科学经营管理方法，提高产品质量，发展新产品，并在质量、价格等方面具有国际市场上的竞争能力，提高经济效益，使投资者获得满意的利益。七、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质

37、保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”

38、发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第五章 发展规划分析一、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建

39、立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。二、 保障措施(一)完善统计制度建立健全以产业分

40、类标准为基础，以主要产品数量、企业、服务机构等信息为主要内容的统计监测指标体系，完善统计信息采集机制，加强对重点领域、重点企业、重点产品监测，及时掌握产业发展动态，分析发展趋势。支持产业相关社会组织开展行业运行监测分析和产业发展战略研究。(二)深化国际交流合作在产业技术标准、知识产权、产业应用等方面广泛开展国际交流，不断拓展合作领域。加强与国外产业研究机构开展交流合作，及时准确把握世界产业发展趋势。鼓励企业与国外产业先进企业和研发机构合作，鼓励企业创造条件到境外设立产业研发机构，努力掌握产业核心技术。鼓励跨国公司、国外机构等在本地设立产业研发机构、人才培训中心，争取更多高端产业项目落户本地。(

41、三)加强培训宣传鼓励高等院校开展相关研究，加强国际交流学习与沟通合作，提高专业技术和管理人员的专业素质。注重宣传引导，建立区域宣传示范基地，采取主题宣传周、电视、报纸、网络、手机客户端等多种方式，开展产业相关知识的普及宣传，营造良好的产业发展氛围。(四)明确任务分工，协调部门配合健全协商机制，加强相关部门沟通协调、密切配合，共同做好产业建设项目立项、投资安排等相关工作，加快推动规划的实施。落实规划实施的各项责任制度。各有关部门按照职能分工，建立有效的工作机制，各负其责，加强联动，协同推进，制定完善促进产业改革发展的措施和办法，形成推动产业改革发展的合力。(五)引入风险投资机制探索和促进风险投资

42、与产业结合的模式，努力拓宽风险资本来源渠道。积极发展多种投资模式，培育多元化的风险投资民间投资主体，吸纳个人投资、商业银行、投资银行、保险公司、大型企业集团资金加盟。(六)加快自主创新围绕综合利用、协同处置、绿色发展等行业共性和基础性的重大问题，建立以企业为主体、市场为导向、产学研用相结合的技术创新体系。支持专业科研设计单位和高等院校建立行业研究中心，提高行业关键技术及核心装备研发制造能力。推进商业模式创新。第六章 法人治理一、 股东权利及义务1、公司股东享有下列权利：（1）依照其所持有的股份份额获得股利和其他形式的利益分配；（2）依法请求、召集、主持、参加或者委派股东代理人参加股东大会，并行

43、使相应的表决权；（3）对公司的经营进行监督，提出建议或者质询；（4）依照法律、行政法规及本章程的规定转让、赠与或质押其所持有的股份；（5）查阅本章程、股东名册、公司债券存根、股东大会会议记录、董事会会议决议、监事会会议决议、财务会计报告；（6）公司终止或者清算时，按其所持有的股份份额参加公司剩余财产的分配；（7）对股东大会作出的公司合并、分立决议持异议的股东，要求公司收购其股份；（8）法律、行政法规、部门规章或本章程规定的其他权利。2、公司股东承担下列义务：（1）遵守法律、行政法规和本章程；（2）依其所认购的股份和入股方式缴纳股金；（3）除法律、法规规定的情形外，不得退股；（4）不得滥用股东权

44、利损害公司或者其他股东的利益；不得滥用公司法人独立地位和股东有限责任损害公司债权人的利益；公司股东滥用股东权利给公司或者其他股东造成损失的，应当依法承担赔偿责任。公司股东滥用公司法人独立地位和股东有限责任，逃避债务，严重损害公司债权人利益的，应当对公司债务承担连带责任。（5）法律、行政法规及本章程规定应当承担的其他义务。3、持有公司5%以上有表决权股份的股东，将其持有的股份进行质押的，应当自该事实发生当日，向公司作出书面报告。4、公司的控股股东、实际控制人员不得利用其关联关系损害公司利益。违反规定给公司造成损失的，应当承担赔偿责任。公司控股股东及实际控制人对公司和公司社会公众股股东负有诚信义务

45、。控股股东应严格依法行使出资人的权利，控股股东不得利用利润分配、资产重组、对外投资、资金占用、借款担保等方式损害公司和社会公众股股东的合法利益，不得利用其控制地位损害公司和社会公众股股东的利益。违反规定的，给公司造成损失的，应当承担赔偿责任。公司董事会建立对控股股东所持公司股份“占用即冻结”机制，即发现控股股东侵占公司资产立即申请司法冻结，凡不能以现金清偿的，通过变现股权偿还侵占资产。二、 董事1、公司董事为自然人，有下列情形之一的，不能担任公司的董事：（1）无民事行为能力或者限制民事行为能力；（2）因贪污、贿赂、侵占财产、挪用财产或者破坏社会主义市场经济秩序，被判处刑罚，执行期满未逾5年，或

46、者因犯罪被剥夺政治权利，执行期满未逾5年；（3）担任破产清算的公司、企业的董事或者厂长、总经理，对该公司、企业的破产负有个人责任的，自该公司、企业破产清算完结之日起未逾3年；（4）担任因违法被吊销营业执照、责令关闭的公司、企业的法定代表人，并负有个人责任的，自该公司、企业被吊销营业执照之日起未逾3年；（5）个人所负数额较大的债务到期未清偿；（6）法律、行政法规或部门规章规定的其他内容。违反本条规定选举、委派董事的，该选举、委派或者聘任无效。董事在任职期间出现本条情形的，公司解除其职务。2、董事由股东大会选举或更换，任期3年。董事任期届满，可连选连任。董事任期从就任之日起计算，至本届董事会任期届满时为止。董事任期届满未及时改选，在改选出的董事就任前，原董事仍应当依照法律、行政法规、部门规章和本章程的规定，履行董事职务。董事可以