焦作MOSFET功率器件项目申请报告(模板).docx
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1、泓域咨询/焦作MOSFET功率器件项目申请报告焦作MOSFET功率器件项目申请报告xxx有限责任公司目录第一章 项目背景分析9一、 MOSFET器件概述9二、 功率MOSFET的行业发展趋势13三、 功率半导体市场规模与竞争格局15四、 统筹城乡区域协调,构建高质量发展动力系统16五、 注重内外双向发力,开拓改革开放新局面18第二章 项目投资主体概况20一、 公司基本信息20二、 公司简介20三、 公司竞争优势21四、 公司主要财务数据23公司合并资产负债表主要数据23公司合并利润表主要数据23五、 核心人员介绍24六、 经营宗旨25七、 公司发展规划25第三章 项目基本情况28一、 项目名称
2、及投资人28二、 编制原则28三、 编制依据28四、 编制范围及内容29五、 项目建设背景29六、 结论分析31主要经济指标一览表33第四章 产品规划方案36一、 建设规模及主要建设内容36二、 产品规划方案及生产纲领36产品规划方案一览表36第五章 建筑工程技术方案39一、 项目工程设计总体要求39二、 建设方案39三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表40第六章 法人治理结构42一、 股东权利及义务42二、 董事44三、 高级管理人员49四、 监事52第七章 发展规划分析54一、 公司发展规划54二、 保障措施55第八章 运营管理模式58一、 公司经营宗旨58二、 公司的目标、主要职
3、责58三、 各部门职责及权限59四、 财务会计制度62第九章 工艺技术方案分析69一、 企业技术研发分析69二、 项目技术工艺分析71三、 质量管理73四、 设备选型方案74主要设备购置一览表74第十章 劳动安全评价76一、 编制依据76二、 防范措施79三、 预期效果评价83第十一章 原辅材料分析84一、 项目建设期原辅材料供应情况84二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理84第十二章 项目环境保护86一、 编制依据86二、 建设期大气环境影响分析86三、 建设期水环境影响分析87四、 建设期固体废弃物环境影响分析88五、 建设期声环境影响分析89六、 环境管理分析89七、 结论93八、 建
4、议93第十三章 节能方案说明95一、 项目节能概述95二、 能源消费种类和数量分析96能耗分析一览表96三、 项目节能措施97四、 节能综合评价98第十四章 项目投资分析100一、 编制说明100二、 建设投资100建筑工程投资一览表101主要设备购置一览表102建设投资估算表103三、 建设期利息104建设期利息估算表104固定资产投资估算表105四、 流动资金106流动资金估算表107五、 项目总投资108总投资及构成一览表108六、 资金筹措与投资计划109项目投资计划与资金筹措一览表109第十五章 项目经济效益分析111一、 基本假设及基础参数选取111二、 经济评价财务测算111营业
5、收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表113利润及利润分配表115三、 项目盈利能力分析116项目投资现金流量表117四、 财务生存能力分析119五、 偿债能力分析119借款还本付息计划表120六、 经济评价结论121第十六章 项目招标、投标分析122一、 项目招标依据122二、 项目招标范围122三、 招标要求123四、 招标组织方式125五、 招标信息发布127第十七章 总结说明128第十八章 附表129营业收入、税金及附加和增值税估算表129综合总成本费用估算表129固定资产折旧费估算表130无形资产和其他资产摊销估算表131利润及利润分配表132项目投资现金流量表13
6、3借款还本付息计划表134建设投资估算表135建设投资估算表135建设期利息估算表136固定资产投资估算表137流动资金估算表138总投资及构成一览表139项目投资计划与资金筹措一览表140报告说明在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下,其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品,具体应用于充电桩的功率因数校正(PowerFactorCorrection,“PFC”)、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计,100kW的充电桩需要功率器
7、件价值量在200-300美元,预计随着充电桩的不断建设,功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。根据谨慎财务估算,项目总投资22185.62万元,其中:建设投资18019.62万元,占项目总投资的81.22%;建设期利息410.76万元,占项目总投资的1.85%;流动资金3755.24万元,占项目总投资的16.93%。项目正常运营每年营业收入36100.00万元,综合总成本费用29910.59万元,净利润4517.74万元,财务内部收益率13.81%,财务净现值-144.71万元,全部投资回收期6.81年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。由上可见,
8、无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风险能力,因而项目是可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目背景分析一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设
9、备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增,2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合
10、年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的
11、安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOS
12、FET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFE
13、T的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展,高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长
14、率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场
15、规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,市占率高达30.22%,前十大公司合计占比达到75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为2.41%。根据Omdia的统计,2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元,2019年为6.05亿美元,对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中;在1700V以上的高电压领域,IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年,中国IGB
16、T分立器件市场中英飞凌排名第一,市占率为24.28%,前十大公司合计占比达到69.57%,中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十,市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚,未来进口替代空间巨大,目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外,在新能源汽车领域,IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件,随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展,IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能,从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主
17、要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进,当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时,就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时,随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升,也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此,高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围,实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言,沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET;屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET;超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓,具有禁带宽度大、电子迁移率高
18、、热导率高的特点,在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先,由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加,第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现,SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据,2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元,预计到2025年将增长至15.53亿美元,复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段,国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展,例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要,提出要加快培育一批第三代半导体企业。
19、2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外,终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中,客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联,同时要考虑高温失效和散热问题,其封装工艺和结构更复杂;在小功率应用场景中,功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前,工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起,功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测,2020-2024年分立器件市场增速为2.8%,而功率模块市场增速为9.2%,高于分立器件市场增速。三、 功率半导体市场
20、规模与竞争格局根据Omdia预测,2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元,预计至2024年市场规模将增长至522亿美元,2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域,国际厂商优势明显,全球前十大功率半导体公司均为海外厂商,包括英飞凌(Infineon)、德州仪器(TexasInstruments)、安森美(ONSemiconductor)、意法半导体(STMicroelectronics)等。行业整体集中度较低,2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%,前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善,技术也
21、正在取得突破。同时,中国也是全球最大的功率半导体消费国,2019年市场规模达到177亿美元,增速为-3.3%,占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长,2024年市场规模有望达到206亿美元,2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。四、 统筹城乡区域协调,构建高质量发展动力系统深入落实主体功能区战略,优化全市国土空间布局,推进以人为核心的新型城镇化,加快构建区域联动、城乡贯通的新型城镇化发展新格局。(一)打造郑洛“双圈”联动优先发展区顺应中心城市和城市群发展趋势,以系统思维推动郑洛焦协调联动发展。推动郑州都市圈一体化发展,以产业转移承接、科技成果转化、产业链供
22、应链优化提升为重点,加快郑焦产业带、“两山两拳”区域生态文化旅游融合示范带建设,探索设立武陟县、温县、市城乡一体化示范区三个郑焦特别合作区,推动郑焦空间布局整体优化、核心功能错位联动、发展能级整体提升。支持武陟县打造中部地区重要的生物医药产业基地、激光装备生产基地。推动洛阳都市圈一体化发展,主动融入郑洛西高质量发展合作带,加快建设洛济焦产业发展带,围绕高端石化、装备制造、保税经济、文化旅游等领域,探索建立园区共建和行业合作等产业协同发展机制,探索制度创新、科技创新、开放创新的一体融合发展模式。(二)提升中心城区首位度优化中心城区空间布局,按照“东扩、南进、西联、北优、中改”发展方针,形成“一轴
23、四组团、四城十秀带”的区域空间布局。立足中心城区区位特点、资源禀赋、产业基础,以规模更大、功能更优、环境更美、产业更强为导向,大力实施城市更新,以城市转型带动产业转型、治理转型,全面提升中心城区承载力、辐射力、带动力,推动城市高质量发展。建设宜居韧性城市,完善基础设施和公共服务配套,改善城区人居环境,提高城市抗风险能力。建设绿化模范城市,构筑城乡一体、结构合理、植物多样、文化蕴涵丰富的城市绿地系统。建设魅力活力城市,推动绿色空间保护增值,培育壮大创新空间,积极打造城市活力新地标。推进省级新型智慧城市试点市建设,初步形成覆盖城乡的智慧社会,建成全省一流的新型智慧城市。(三)推进县域高质量发展以县
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