电力电子器件和电力变换基本电路结构.pptx
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1、第二章 电力电子器件和电力变换基本电路结构第1页/共44页2.1 电力电子器件 电力变换器:由控制电路、驱动电路、保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。控制电路检测电路驱动电路RL主电路V1V2保护电路在主电路和控制电路中附加一些电路,以保证电力电子器件和整个系统正常可靠运行电气隔离控制电路主电路(Main Power Circuit) 电力变换器中直接承担电能的变换或控制电力电子器件(Power Electronic Device)电力变换器的基础,在主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件概述第2页/共44页电力电子器件概述电力电子器件一般特征具有处理电功率的能力。一般都工作在开关
2、状态。需要由控制电路来控制开通和关断。自身的功率损耗较大,一般都要安装散热器。电力电子器件的损耗电力电子器件的损耗主要损耗通态损耗断态损耗开关损耗关断损耗开通损耗通态损耗是器件功率损耗的主要成因。器件开关频率较高时,开关损耗成为器件功率损耗的主要因素。第3页/共44页电力电子器件概述电力电子器件的分类按照器件能够按照器件能够被控制的程度被控制的程度,分为以下三类:,分为以下三类:半控型器件(ThyristorThyristor) 通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。全控型器件(IGBT,MOSFET)IGBT,MOSFET) 通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断(自关断器件) 不可
3、控器件(Power Diode)(Power Diode) 不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。按照按照驱动信号的性质驱动信号的性质,分为两类:,分为两类:电流驱动型 通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断。电压驱动型 通过在控制端和公共端之间施加电压信号可实现导通或者关断。第4页/共44页电力二极管( (Power Diode) )PNPN结的状态结的状态 状态 参数正向导通反向截止 反向击穿电流正向大几乎为零反向大电压维持1V反向大反向大阻态低阻态高阻态 二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性不可控器件电力二极管第5页/共44页晶闸管晶闸管 ( (Thyrist
4、or) ),以前称为可控硅。,以前称为可控硅。半控型器件晶闸管第6页/共44页晶闸管正常工作时的特性总结晶闸管正常工作时的特性总结半控型器件晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。第7页/共44页典型全控型器件电力MOSFETIGBT单管及模块 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管 GTO GTO 电力晶体管电力晶体管 GTR GTR 电力场效应晶体管电力场效应晶体管 电力电力MOSFET 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶
5、体管 IGBT第8页/共44页典型全控型器件GTO,GTR门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管 GTO GTO晶闸管的一种派生器件;可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断;GTO的电压、电流容量较大,与普通晶闸管接近,因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。由于是电流驱动,开关频率不高。电力晶体管电力晶体管 GTR GTR耐高电压、大电流的双极结型晶体管;20世纪80年代以来,在中、小功率范围内取代晶闸管,但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。第9页/共44页典型全控型器件MOSFETGSDP沟道GSDN沟道电力场效应晶体管电力场效应晶体管 特点特点 电压驱动型电压驱动型 驱动电路简单
6、,需要的驱动功率小; 开关速度快,工作频率高; 电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 开关速度和Cin充放电有很大关系; 可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度; 关断过程非常迅速,开关时间在10100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的;第10页/共44页典型全控型器件IGBT绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管 IGBT IGBTGCE GTR和GTO的优点双极型,电流驱动,通流能力很强。 MOSFET的优点单极型,电压驱动,开关速度快,输入阻抗高,驱动电路简单。特点:特点: GTR和MOSFET复合,取GTR和GTO 通流能
7、力强的优点,取MOSFET电压驱动(开关速度快)优点; 是中小功率电力电子设备的主导器件; 继续提高电压和电流容量,以期在大功率应用中取代GTO。第11页/共44页典型全控型器件IGBT绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管工作原理工作原理导通 uGE大于开启电压UGE(th)时,MOSFET内形成沟道,为晶体管提供基极电流,IGBT导通;关断 栅射极间施加反压或不加信号时,MOSFET内的沟道消失,晶体管的基极电流被切断,IGBT关断。第12页/共44页集成门极换流晶闸管IGCTIGCT 20世纪90年代后期出现,结合了IGBT与GTO的优点,容量与GTO相当,开关速度快10倍,省去GTO复杂的缓
8、冲电路,但驱动功率仍很大。功率集成电路(Power Integrated CircuitPIC): 20世纪80年代中后期开始,模块化趋势,将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上。 高压集成电路(High Voltage ICHVIC):一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成; 智能功率集成电路(Smart Power ICSPIC):一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成; 智能功率模块(Intelligent Power ModuleIPM):专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成,也称智能IGBT(Intelligen
9、t IGBT)第13页/共44页电力电子器件驱动的一般知识电力电子器件驱动的一般知识驱动电路驱动电路主电路与控制电路之间的接口,提供控制电路与主电路之间的电气隔离电气隔离,一般采用光隔离或磁隔离。 光隔离一般采用光耦合器; 磁隔离的元件通常是脉冲变压器。ERERERa)b)c)UinUoutR1ICIDR1R1a) 普通型 b) 高速型 c) 高传输比型注:目前的趋势是采用专用集成驱动电路。第14页/共44页过电压保护过电压保护过电压主要来自器件的开关过程换相过电压: 晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后,反向电流急剧减小,会由线路电感在器件两端感应出过电压。关断过电压: 全控型器件
10、关断时,正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。(对于高频工作的器件,关断过电压没有很好的解决方案)注: 过电压保护主要采用缓冲电路。但对于高频大功率器件,采用缓冲电路的方案解决关断过电压也存在一定的问题,因此目前并没有很好的解决方案。第15页/共44页缓冲电路缓冲电路缓冲电路缓冲电路(Snubber Circuit) : 又称吸收电路吸收电路。抑制器件的过电压、du/dt、di/dt,减小器件的开关损耗。关断缓冲电路关断缓冲电路(du/dt抑制电路)吸收器件的关断过电压和换相过电压,抑制du/dt,减小关断损耗;开通缓冲电路开通缓冲电路(di/dt抑制电路)抑制器件开通时的电流
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