电子技术基础模拟部分第六康华光.pptx

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1、1华中科技大学 张林电子技术电子技术基础模拟部分基础模拟部分1 1 绪论2 2 运算放大器3 3 二极管及其基本电路4 4 场效应三极管及其放大电路5 5 双极结型三极管及其放大电路6 6 频率响应7 7 模拟集成电路8 8 反馈放大电路9 9 功率放大电路10 10 信号处理与信号产生电路11 11 直流稳压电源第1页/共54页3 二极管及其基本电路3.1 半导体的基本知识3.2 PN结的形成及特性3.3 二极管3.4 二极管的基本电路及其分析方法3.5 特殊二极管第2页/共54页3.1 半导体的基本知识半导体材料半导体的共价键结构本征半导体杂质半导体第3页/共54页4华中科技大学 张林半导

2、体材料半导体材料 根据物体导电能力根据物体导电能力( (电阻率电阻率) )的不同，来划分的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有典型的半导体有硅硅SiSi和和锗锗GeGe以及以及砷化镓砷化镓GaAsGaAs等。等。第4页/共54页5华中科技大学 张林半导体的共价键结构半导体的共价键结构硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构第5页/共54页6华中科技大学 张林本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。单晶体形态。空穴空穴共价键中的空位共价键中的空位。

3、电子空穴对电子空穴对由热激发而由热激发而产生的自由电子和空穴对。产生的自由电子和空穴对。空穴的移动空穴的移动空穴的运动空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。依次充填空穴来实现的。由于随机热振动致使共价键被打破而由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴电子对产生空穴电子对第6页/共54页7华中科技大学 张林杂质半导体杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体主要是三价或五价元素。掺

4、入杂质的本征半导体称为称为杂质半导体杂质半导体。 N N型半导体型半导体掺入五价杂质元素（如磷）的掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。半导体。 P P型半导体型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。半导体。第7页/共54页8华中科技大学 张林杂质半导体杂质半导体 1. N 1. N型半导体型半导体 因五价杂质原子中只因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。而很容易形成自由电子。 在在N N型半导

5、体中型半导体中自由自由电子是多数载流子，电子是多数载流子，它主要由杂质原它主要由杂质原子提供；子提供；空穴是少数载流子空穴是少数载流子, , 由热激发形成。由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子正离子，因此五价杂质原子也称为因此五价杂质原子也称为施主杂质施主杂质。第8页/共54页9华中科技大学 张林杂质半导体杂质半导体 2. P 2. P型半导体型半导体 因三价杂质原子因三价杂质原子在与硅原子形成共价在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电键时，缺少一个价电子而在共价键中留下子而在共价键中留下一个空穴。一个空穴。 在在P P型半导

6、体中型半导体中空穴是多数载流子，空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；它主要由掺杂形成；自由自由电子是少数载流子，电子是少数载流子， 由热激发形成。由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子负离子。三价杂。三价杂质因而也称为质因而也称为受主杂质受主杂质。第9页/共54页10华中科技大学 张林杂质半导体杂质半导体 3. 杂质对半导体导电性的影响杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下响，一些典型的数据如下: : T=300 K室温下室温下,本征硅的电子和空穴浓度本征硅

7、的电子和空穴浓度: n = p =1.41010/cm31 本征硅的原子浓度本征硅的原子浓度: 4.961022/cm3 3以上三个浓度基本上依次相差以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 2掺杂后掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度型半导体中的自由电子浓度: n=51016/cm3第10页/共54页3.2 PN结的形成及特性载流子的漂移与扩散结的形成结的单向导电性结的反向击穿结的电容效应第11页/共54页12华中科技大学 张林载流子的漂移与扩散载流子的漂移与扩散漂移运动：漂移运动： 在电场作用引起的载流子的运动在电场作用引起的载流子的运动扩散运动：扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子

8、的运动由载流子浓度差引起的载流子的运动第12页/共54页13华中科技大学 张林结的形成结的形成第13页/共54页14华中科技大学 张林结的形成结的形成第14页/共54页15华中科技大学 张林 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质, ,分别分别形成形成N N型半导体和型半导体和P P型半导体。此时将在型半导体。此时将在N N型半导体和型半导体和P P型型半导体的结合面上形成如下物理过程半导体的结合面上形成如下物理过程: : 因浓度差因浓度差 空间电荷区形成内电场空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散内电场阻止多子扩散

9、 最后最后, ,多子的多子的扩散扩散和少子的和少子的漂移漂移达到达到动态平衡动态平衡。多子的扩散运动多子的扩散运动 由由杂质离子形成空间电荷区杂质离子形成空间电荷区 第15页/共54页16华中科技大学 张林结的单向导电性结的单向导电性 当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中P P区的电位高于区的电位高于N N区的电位，称为加区的电位，称为加正向电压正向电压，简称，简称正偏正偏；反之称为加；反之称为加反向电压反向电压，简称，简称反偏反偏。 (1) PN(1) PN结加正向电压时结加正向电压时 低电阻低电阻 大的正向扩散电流大的正向扩散电流PNPN结的结的I-V I-V 特性特性第16页/共54

10、页17华中科技大学 张林结的单向导电性结的单向导电性 高电阻高电阻 很小的反向漂移电流很小的反向漂移电流 当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中P P区的电位高于区的电位高于N N区的电位，称为加区的电位，称为加正向电压正向电压，简称，简称正偏正偏；反之称为加；反之称为加反向电压反向电压，简称，简称反偏反偏。 (2) PN(2) PN结加反向电压时结加反向电压时PNPN结的结的I-V I-V 特性特性第17页/共54页18华中科技大学 张林结的单向导电性结的单向导电性PNPN结的结的I-V I-V 特性特性 在一定的温度条件下，由本征在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故激

11、发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为这个电流也称为反向饱和电流反向饱和电流。 高电阻高电阻 很小的反向漂移电流很小的反向漂移电流 当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中P P区的电位高于区的电位高于N N区的电位，称为加区的电位，称为加正向电压正向电压，简称，简称正偏正偏；反之称为加；反之称为加反向电压反向电压，简称，简称反偏反偏。 (2) PN(2) PN结加反向电压时结加反向电压时第18页/共54页19华中科技大学 张林结的单向导电性结的单向导电性 PNPN结加正

12、向电压时，呈现低电阻，结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；具有较大的正向扩散电流； PNPN结加反向电压时，呈现高电阻，结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：由此可以得出结论：PNPN结具有单结具有单向导电性。向导电性。第19页/共54页20华中科技大学 张林结的单向导电性结的单向导电性 (3) PN(3) PN结结I I- -V V 特性表达式特性表达式其中其中)1e (/SDD TVvIiI IS S 反向饱和电流反向饱和电流V VT T 温度的电压当量温度的电压当量且在常温下（且在常温下（T T=300K=300K

13、）V026. 0 qkTVTmV 26 PNPN结的结的I-VI-V 特性特性第20页/共54页21华中科技大学 张林结的反向击穿结的反向击穿 当当PNPN结的反向电压结的反向电压增加到一定数值时，反增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，向电流突然快速增加，此现象称为此现象称为PNPN结的结的反向反向击穿。击穿。热击穿热击穿不可逆不可逆 雪崩击穿雪崩击穿 齐纳击穿齐纳击穿 电击穿电击穿可逆可逆第21页/共54页22华中科技大学 张林结的电容效应结的电容效应 (1) (1) 势垒电容势垒电容C CB B P N (a) 电压减小时电压减小时 VD P N (b) 电压增加时电压增加时 VD 外

14、加电压变化外加电压变化离子层厚薄变化离子层厚薄变化等效于电容充放电等效于电容充放电第22页/共54页23华中科技大学 张林结的电容效应结的电容效应(2) (2) 扩散电容扩散电容C CD D扩散电容示意图扩散电容示意图外加电压变化外加电压变化扩散到对方区域扩散到对方区域在靠近在靠近PNPN结附近结附近累积的载流子浓累积的载流子浓度发生变化度发生变化等效于电容充放电等效于电容充放电第23页/共54页3.3 半导体二极管二极管的结构二极管的I-V特性二极管的参数第24页/共54页25华中科技大学 张林二极管的结构二极管的结构第25页/共54页26华中科技大学 张林二极管的结构二极管的结构 在在PN

15、PN结上加上引线和封装，就成为一个二极结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有管。二极管按结构分有点接触型、面接触型点接触型、面接触型两大两大类。类。(1) (1) 点接触型二极管点接触型二极管(a)(a)点接触型点接触型 二极管的结构示意图二极管的结构示意图 PN PN结面积小，结结面积小，结电容小，用于检波和电容小，用于检波和变频等高频电路。变频等高频电路。第26页/共54页27华中科技大学 张林二极管的结构二极管的结构(2) (2) 面接触型二极管面接触型二极管 PN PN结面积大，用于结面积大，用于工频大电流整流电路。工频大电流整流电路。(b)(b)面接触型面接触型(c)

16、(c)集成电路中的平面型集成电路中的平面型阴极阴极引线引线阳极阳极引线引线PNP 型支持衬底型支持衬底(3) (3) 二极管的代表符号二极管的代表符号 k 阴极阴极 阳极阳极 a 第27页/共54页28华中科技大学 张林二极管的二极管的I- -V特性特性二极管的伏安特性曲线可用下式表示二极管的伏安特性曲线可用下式表示)1e (/SDD TVvIi 0 vD/V 0.2 0.4 0.6 0.8 10 20 30 40 5 10 15 20 10 20 30 40 iD/ A iD/mA 死区死区 Vth VBR 硅二极管硅二极管2CP102CP10的的I I- -V V 特性特性 0 vD/V

17、0.2 0.4 0.6 20 40 60 5 10 15 20 10 20 30 40 iD/ A iD/mA Vth VBR 锗二极管锗二极管2AP152AP15的的I I- -V V 特性特性+iDvD-R正向特性反向特性反向击穿特性第28页/共54页29华中科技大学 张林二极管的主要参数二极管的主要参数(1) (1) 最大整流电流最大整流电流I IF F(2) (2) 反向击穿电压反向击穿电压V VBRBR(3) (3) 反向电流反向电流I IR R(4) (4) 极间电容极间电容C Cd d（C CB B、 C CD D ）(5) (5) 反向恢复时间反向恢复时间T TRRRR第29页

18、/共54页3.4 二极管的基本电路及其分析方法简单二极管电路的图解分析方法二极管电路的简化模型分析方法第30页/共54页31华中科技大学 张林简单二极管电路的图解分析方法简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的则较简单，但前提条件是已知二极管的V V - -I I 特性曲线。特性曲线。符号中大小写的含义：符号中大小写的含义：大写字母大写下标：静态值（直流），如，大写字母大写下标：静

19、态值（直流），如，IB（参见（参见“本书常用符号表本书常用符号表”）小写字母大写下标：总量（直流小写字母大写下标：总量（直流+交流），如，交流），如，iB小写字母小写下标：瞬时值（交流），如，小写字母小写下标：瞬时值（交流），如，ib第31页/共54页32华中科技大学 张林例电路如图所示，已知二极管的例电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源特性曲线、电源VDD和电阻和电阻R，求二极管两端电压求二极管两端电压vD和流过二极管的电流和流过二极管的电流iD 。 + iD vD - - R VDD D 解：由电路的解：由电路的KVLKVL方程，可得方程，可得 RViDDDDv DDDD11VR

20、Ri v即即 是一条斜率为是一条斜率为-1/R的直线，称为的直线，称为负载线负载线 Q的坐标值（的坐标值（VD，ID）即为所求。）即为所求。Q点称为电路的点称为电路的工作点工作点R1第32页/共54页33华中科技大学 张林二极管电路的简化模型分析方法二极管电路的简化模型分析方法1. 1. 二极管二极管I I- -V V 特性的建模特性的建模 将指数模型将指数模型 分段线性化，得到二极分段线性化，得到二极管特性的等效模型。管特性的等效模型。)1e (DSD TVIiv（1 1）理想模型）理想模型 I-V I-V 特性特性代表符号代表符号正向偏置时正向偏置时的电路模型的电路模型反向偏置时反向偏置时

21、的电路模型的电路模型第33页/共54页34华中科技大学 张林二极管电路的简化模型分析方法二极管电路的简化模型分析方法1. 1. 二极管二极管I I- -V V 特性的建模特性的建模（2 2）恒压降模型）恒压降模型（a）I-V 特性特性 （b）电路模型）电路模型 （3 3）折线模型）折线模型（a）I-V 特性特性 （b）电路模型）电路模型 第34页/共54页35华中科技大学 张林二极管电路的简化模型分析方法二极管电路的简化模型分析方法（4 4）小信号模型）小信号模型vs =Vmsin t 时（时（VmVT 。 （a）I-V 特性特性 （b）电路模型）电路模型1. 1. 二极管二极管I I- -V

22、 V 特性的建模特性的建模（4 4）小信号模型）小信号模型第37页/共54页38华中科技大学 张林二极管电路的简化模型分析方法二极管电路的简化模型分析方法2 2模型分析法应用举例模型分析法应用举例（1 1）整流电路（理想模型）整流电路（理想模型）当当vs s为正半周时，二极管导通，为正半周时，二极管导通，且导通压降为且导通压降为0V，vo o = = vs s第38页/共54页39华中科技大学 张林2 2模型分析法应用举例模型分析法应用举例（2 2）静态工作情况分析）静态工作情况分析V 0D VmA 1/DDD RVI理想模型理想模型（R=10k ） 当当VDD=10V 时，时，mA 93.

23、0/ )(DDDD RVVI恒压模型恒压模型V 7 . 0D V（硅二极管典型值）（硅二极管典型值）折线模型折线模型V 5 . 0th V（硅二极管典型值）（硅二极管典型值）mA 931. 0DthDDD rRVVI k 2 . 0Dr设设V 69. 0DDthD rIVV+ DiDVDD+ DiDVDDVD+ DiDVDDrDVth当当VDD=1V 时，时， （自学）（自学）（a）简单二极管电路）简单二极管电路 （b）习惯画法）习惯画法 第39页/共54页40华中科技大学 张林（3 3）限幅与钳位电路）限幅与钳位电路 电路如图，电路如图，R = 1k，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分

24、别用理想模型，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当和恒压降模型求解，当vI = 6sin t V时，绘出相应的输出电压时，绘出相应的输出电压vO的波形。的波形。 2 2模型分析法应用举例模型分析法应用举例第40页/共54页41华中科技大学 张林 电路如图，二极管为硅二极管，电路如图，二极管为硅二极管，VD=0.7V， vs = Vm sin t V，且，且Vm VD ，绘出相应的输，绘出相应的输出电压出电压vO的波形。的波形。 vs的负半周，的负半周，D导通，导通，C充电，但无充电，但无放电回路，最后（稳态）放电回路，最后（稳态）VC = Vm - VD = Vm 0.7V （

25、Vm是振幅值）是振幅值）此后输出电压为此后输出电压为vO = vs +VC = vs +Vm - - 0.7V 将输入波形的底部钳位在了将输入波形的底部钳位在了- -0.7V的直流电平上。的直流电平上。若颠倒二极管的方向，若颠倒二极管的方向，vO的波形将怎样变化？的波形将怎样变化？（3 3）限幅与钳位电路）限幅与钳位电路2 2模型分析法应用举例模型分析法应用举例第41页/共54页42华中科技大学 张林（4 4）开关电路）开关电路电路如图所示，求电路如图所示，求AO的电压值的电压值解：解： 先断开先断开D，以，以O为基准电位，为基准电位， 即即O点为点为0V。 则接则接D阳极的电位为阳极的电位为

26、-6V，接阴，接阴极的电位为极的电位为-12V。阳极电位高于阴极电位，阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。接入时正向导通。导通后，导通后，D的压降等于零，即的压降等于零，即A点的电位就是点的电位就是D阳极的电位。阳极的电位。所以，所以，AO的电压值为的电压值为-6V。2 2模型分析法应用举例模型分析法应用举例第42页/共54页43华中科技大学 张林 O t vO/V 2 3 4 4.3 0.0994 （6 6）小信号工作情况分析）小信号工作情况分析图示电路中，图示电路中，VDD = 5V，R = 5k ，恒压降模型的，恒压降模型的VD=0.7V，vs = 0.1sin t V。（1）求输出

27、电压）求输出电压vO的交流量和总量；（的交流量和总量；（2）绘出）绘出vO的波形。的波形。 解得：解得：vO = VO + vo = 4.3 + 0.0994sin t （V） 直流通路（静态）直流通路（静态）小信号模型的交流通路小信号模型的交流通路（动态）（动态） 直流通路、交流通路、静态、动态等直流通路、交流通路、静态、动态等概念，在放大电路的分析中非常重要。概念，在放大电路的分析中非常重要。RVVIDDDD 解：解：DdIVrT sdovv rRR2 2模型分析法应用举例模型分析法应用举例第43页/共54页3.5 特殊二极管齐纳二极管变容二极管肖特基二极管光电器件第44页/共54页45华

28、中科技大学 张林齐纳二极管齐纳二极管1. 符号及稳压特性符号及稳压特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。工作在反向电击穿状态。 a k (a)(a)符号符号(b) (b) 伏安特性伏安特性 + IZ VZ rZ VZ0 a k （c c）反向击穿时的模型）反向击穿时的模型 第45页/共54页46华中科技大学 张林齐纳二极管齐纳二极管(1) 稳定电压稳定电压VZ(2) 动态电阻动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作在规定的稳压管反向工作电流电流IZ下，所对应的反向工作下，所对应的反向工作电压。电压。rZ = VZ

29、 / IZ(3)最大耗散功率最大耗散功率 PZM(4)最大稳定工作电流最大稳定工作电流 IZ(max) 和最小稳定工作电流和最小稳定工作电流 IZ(min)(5)稳定电压温度系数稳定电压温度系数 VZ2. 齐纳二极管主要参数齐纳二极管主要参数第46页/共54页47华中科技大学 张林齐纳二极管齐纳二极管3. 稳压电路稳压电路正常稳压时正常稳压时 VO =VZ# 稳压条件是什么？稳压条件是什么？IZ(min) IZ IZ(max)# 不加不加R可以吗？可以吗？第47页/共54页48华中科技大学 张林变容二极管变容二极管（a）符号）符号 （b）结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度）结电容与电压的关系

30、（纵坐标为对数刻度） 第48页/共54页49华中科技大学 张林肖特基二极管肖特基二极管（a）符号）符号 （b）正向）正向V-I特性特性第49页/共54页50华中科技大学 张林光电器件光电器件1. 光电二极管光电二极管 （a）符号）符号 （b）电路模型）电路模型 （c）特性曲线）特性曲线 第50页/共54页51华中科技大学 张林光电器件光电器件2. 发光二极管发光二极管符号符号光电传输系统光电传输系统 第51页/共54页52华中科技大学 张林光电器件光电器件3. 激光二极管激光二极管（a）物理结构）物理结构 （b）符号）符号 第52页/共54页53华中科技大学 张林光电器件光电器件4. 太阳能电池太阳能电池end第53页/共54页感谢您的观看！第54页/共54页