集成电子技术基础教程 第二篇第2章(4-1).ppt
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1、第二篇 数字电路和系统,第二章 集成逻辑门电路,第二章 集成逻辑门电路,2.2.1 集成TTL门电路的主要特性和参数 2.2.2 集成CMOS门电路的主要特性和参数 2.2.3 各类门电路应用时的注意事项 2.2.4 可编程逻辑阵列(PLD),I = VIL= 0. 3V,T1 on,T2、T5 off, T4、D off vO=VOH 3.6V,I = VIH= 3.6V,T1 倒置,T2、T5 on, T4、D off,vO=VOL 0.3V,2.2.1 集成TTL门电路的主要特性和参数,基本TTL电路,电压传输特性,灌电流负载扇出系数 灌电流负载时的驱动门数,灌电流负载输出特性,拉电流负
2、载输出特性,拉电流负载扇出系数 拉电流负载时的驱动门数,输入低电平VIL 输入低电平上限VILmax (关门电平Voff) 输入高电平VIH 输入高电平下限VIHmin (开门电平Von),TTL高电平VOH3.6V,TTL门电路的主要参数,TTL低电平VOL0.3V,低电平输入噪声容限VNL,高电平输入噪声容限VNH,平均传输延迟时间 tpd,采用抗饱和肖特基三极管,采用有源泄放电路,TTL门电路的性能改善,采用复合管提高带负载能力,输入接保护二极管,OC门,其它TTL门电路,TTL三态门,CMOS反相器,2.2.2 集成CMOS门电路的主要特性和参数,vI = VIH=VDD,TN on,
3、TP off,vO= VOL 0V,vI = VIL= 0 V,TN off,TP on,vO = VOH VDD,NMOS 串联PMOS 并联,CMOS与非门,CMOS或非门,NMOS 并联PMOS 串联,二、集成CMOS门电路的主要特性,CMOS反相器的电压传输特性,实际的特性非常接近理想开关特性。从图可知,它的开门电平和关门电平近似为:,区段:I|VTP|,TNoff, TPon(可变电阻区),O = VDD, 区段:I VTN,VDD- I |VTP|,TN on,RDS很大, TP可变电阻区,RDS 较小,O ,区段:I VDD/2,TN on ,TP on , O ,区段:I VD
4、D/2,TN on, TP off,O 0,区段:VDD -I |VTP|,TN可变电阻区,TP off,O = 0,三、CMOS门电路的主要参数,以5V电源电压时,CMOS和TTL参数之比较:,四、CMOS传输门 TG (Transmit Gate),它由NMOS 和PMOS管并联而成;,C和 为互补控制端;,电路,符号,令C和 的高、低电平分别为VDD和0V;输入电压vI的范围为0VDD之间。,在 时,TP导电,在 时,TN导电,在 时,两管同时导电,此时,两管的导电沟道电阻并联,输入/输出间表现为低阻,输入信号传递到输出,C0V、 VDD,TN和TP都截止,输入/输出为高阻态,CVDD、
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