2022年2022年霍尔效应测磁场实验报告 .pdf
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1、.实验报告学生姓名:学 号:指导教师:实验地点:实验时间:一、实验室名称:霍尔效应实验室二、 实验项目名称:霍尔效应法测磁场三、实验学时:四、实验原理:一霍耳效应现象将一块半导体或金属薄片放在磁感应强度为B 的磁场中 ,并让薄片平面与磁场方向如 Y 方向垂直。如在薄片的横向X 方向加一电流强度为HI的电流 ,那么在与磁场方向和电流方向垂直的Z 方向将产生一电动势HU。如图 1 所示 ,这种现象称为霍耳效应,HU称为霍耳电压。霍耳发现,霍耳电压HU与电流强度HI和磁感应强度B 成正比 ,与磁场方向薄片的厚度d 反比 ,即dBIRUHH1 式中 ,比例系数R 称为霍耳系数 ,对同一材料R 为一常数
2、。因成品霍耳元件根据霍耳效应制成的器件的d 也是一常数 ,故dR/常用另一常数K 来表示 ,有BKIUHH2 式中 ,K 称为霍耳元件的灵敏度,它是一个重要参数,表示该元件在单位磁感应强度和单位电流作用下霍耳电压的大小。如果霍耳元件的灵敏度K 知道一般由实验室给出,再测出电流HI和霍耳电压HU,就可根据式HHKIUB3 算出磁感应强度B。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页,共 5 页 - - - - - - - - - .图 1 霍耳效应示意图图 2 霍耳效应解释
3、二霍耳效应的解释现研究一个长度为l、宽度为 b、厚度为 d的 N 型半导体制成的霍耳元件。当沿X 方向通以电流HI后,载流子对 N 型半导体是电子e 将以平均速度v 沿与电流方向相反的方向运动,在磁感应强度为B 的磁场中 ,电子将受到洛仑兹力的作用,其大小为方向沿 Z 方向。在Bf的作用下 ,电荷将在元件沿Z 方向的两端面堆积形成电场HE见图 2,它会对载流子产生一静电力Ef,其大小为方向与洛仑兹力Bf相反 ,即它是阻止电荷继续堆积的。当Bf和Ef达到静态平衡后,有EBff,即beUeEevBHH/,于是电荷堆积的两端面Z 方向的电势差为vbBUH4 通过的电流HI可表示为式中 n 是电子浓度
4、 ,得nebdIvH5 将式 5 代人式 4 可得可改写为该式与式 1 和式 2 一致 ,neR1就是霍耳系数。五、实验目的:研究通电螺线管内部磁场强度六、实验内容:一测量通电螺线管轴线上的磁场强度的分布情况,并与理论值相比较;二研究通电螺线管内部磁场强度与励磁电流的关系。七、实验器材:霍耳效应测磁场装置,含集成霍耳器件、螺线管、稳压电源、数字毫伏表、直流毫安表等。八、实验步骤及操作:一研究通电螺线管轴线上的磁场分布。要求工作电流HI和励磁电流NI都固定 ,并让500MImA,逐点约 12-15 个点测试霍耳电压HU,记下HI和 K 的值 ,同时记录长直螺线管的长度和匝数等参数。1接线:霍尔传
5、感器的1、3 脚为工作电流输入,分别接 IH输出 的正、负端;2、4 脚为霍尔电压输出,分别接 VH输入 的正、负端。螺线管左右接线柱即红、黑分别接励磁电流 IM的正、负,这时磁场方向为左边N 右边 S。2、测量时应将 输入选择 开关置于 VH挡,将电压表量程 选择按键开关置于200”mV名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页,共 5 页 - - - - - - - - - .挡,霍尔工作电流IH调到 5.00mA, 霍尔传感器的灵敏度为:245mV/mA/T 。3、
6、螺线管励磁电流IM调到 0A, 记下毫伏表的读数0V 此时励磁电流为0,霍尔工作电流HI仍保持不变。4、再调输出电压调节钮使励磁电流为mAIM500。5、将霍耳元件在螺管线轴线方向左右调节,读出霍耳元件在不同的位置时对应的毫伏表读数iV ,对应的霍耳电压0VVViHi。霍尔传感器标尺杆坐标x=0.0mm 对准读数环时,表示霍尔传感器正好位于螺线管最左端,测量时在0.0mm 左右应对称地多测几个数据,推荐的测量点为 x=- 30.0、-20.0、- 12.0、- 7.0、- 3.0、0.0、3.0、7.0、12.0、20.0、40.0、75.0mm。 开始电压变化快的时候位置取密一点,电压变化慢
7、的时候位置取疏一点。6、为消除副效应 ,改变霍耳元件的工作电流方向和磁场方向测量对应的霍耳电压。计算霍尔电压时 ,V1、V2、V3、V4方向的判断:按步骤4 的方向连线时,IM、IH换向开关置于O即 + 时对应于 V1+B、 +IH,其余状态依次类推。 霍尔电压的计算公式是V= V1-V2+V3-V44 。7、实验应以螺线管中心处x 75mm 的霍尔电压测量值与理论值进行比较。测量BIM关系时也应在螺线管中心处测量霍尔电压。8、计算螺线管轴线上磁场的理论值应按照公式)cos(cos2120nIB参见教材实验 16,p.152 公式 3-16-6 计算,即02222244NIxL- xBLxD
8、/(L- x)D /理,计算各测量点的理论值 ,并绘出 B理论x 曲线与 B测量x 曲线 ,误差分析时分析两曲线不能吻合的原因。如只计 算 螺 线 管 中 点 和 端 面 走 向 上 的 磁 场 强 度 , 公 式 分 别 简 化 为022NIBLD理、02224NIBLD /理,分析这两点B理论与实测不能吻合的原因。9、在坐标纸上绘制BX 曲线,分析螺线管内磁场的分布规律。二研究励磁特性。固定HI和霍耳元件在轴线上的位置如在螺线管中心,改变MI,测量相应的HU。将霍耳元件调至螺线管中心处x 75mm,调稳压电源输出电压调节钮使励磁电流在0mA至 600mA 之间变化 ,每隔 100mA 测一
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