2016年全国大学生电子设计竞赛A题论文.docx
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1、2016年全国大学生电子设计竞赛2016年7月28日第 17 页摘 要 本设计以TI公司的MSP430G2553单片机作为控制核心,设计制作了一种降压型开关稳压电源。该电源主电路为同步整流BUCK电路,通过LM5117驱动CSD18532KCS MOS场效应管实现稳压输出,电流检测电路使用TI的高精度检流芯片INA282实现对电路的保护,系统效率可达到89%。达到了设计要求中的各项指标。关键词:LM5117 同步整流BUCK电路 MSP430G2553 INA282目 录一、系统方案41.1 DC-DC驱动模块的比较与选择41.2 主控制器的比较与选择41.3 过流保护方案的比较与选择41.4
2、 单片机供电模块的比较与选择5二、系统理论分析与计算52.1 主要器件参数选择及计算52.1.1 定值电阻RT的计算52.1.2 输出电感L0的选取52.1.3 电流检测电阻Rs的选取52.1.4 输出电容Co的选取52.1.5 过流保护电路中检流电阻的选取62.2 提高效率的方法62.3 降低纹波的方法62.4 DC-DC变换方法62.5 稳压控制方法7三、电路与程序设计73.1主回路与器件的选择73.1.1电路主回路73.1.2电路器件选择73.2 控制电路及程序83.2.1 控制电路83.2.2 主程序流程图83.2.3 部分源程序代码8四、系统测试84.1 测试方案及条件84.1.1
3、测试仪器84.1.2 测试方法84.2 测试过程及结果84.3 测试结果分析9附录1:程序流程图10附录2:部分源代码12一、系统方案本设计采用BUCK电流斩波电路,单片机控制输出两路PWM信号经过TI芯片IR2110驱动高端与低端N沟道MOSFET,通过控制PWM的占空比来控制两个MOSFET导通与关断的时间进而调节输出电压。当高端MOSFET导通时,低端MOSFET断开;同理当低端MOSFET导通时,高端MOSFET断开,从而实现了同步整流效果。单片机供电模块 MCU降压稳压直流电源负载RL AD PWM识阻抗R别图1.1 系统设计方案总体框图1.1 DC-DC驱动模块的比较与选择方案一:
4、采用TI芯片IR2110直接驱动MOSFET,它属于自举升压原理的驱动。单片机控制输出两路PWM信号经过IR2110驱动高端与低端N沟道MOSFET,通过控制PWM的占空比来控制两个MOSFET导通与关断的时间进而调节输出电压。方案二:采用TI公司生产的LM5117同步降压控制器,它具有5.5V-65V宽电压工作范围,工作频率可以在50kHz到750kHz范围内设定。包含几个大电流 NMOS 驱动器与一个相关的高边电平转换器,可自适应死区时间控制来驱动外部高边与低边NMOS功率开关管。经比较,LM5117Z控制器集成了高边与低边NMOS驱动器可以自适应死区时间,LM5117自带同步整流功能,更
5、易于提高效率。故采用方案二,使用TI公司的LM5117作为DC-DC驱动控制模块。1.2 主控制器的比较与选择方案一:采用通用的MCS-51系列单片机,由于不带A/D与D/A转换器且运算速度较慢,外围电路使得整个系统硬件电路变得复杂,同时51单片机获得PWM较为复杂,使得系统的性价比偏低。方案二:采用德州仪器(TI)的MSP430G2553为主控制器。MSP430拥有丰富的片内资源,内置16位定时器具有捕获与比较功能,内置10位的数模转换器,可以输出PWM信号。430独特的超低功耗设计,可以显著降低系统功耗提高效率。经比较,MSP430单片机可以满足系统控制的要求,并且其具有超低功耗的特点可以
6、显著降低电源损耗提高系统效率。所以选用MSP430G2553单片机作为系统的主控制器。 1.3 过流保护方案的比较与选择方案一:采用AD620运放,AD620是一个低成本、高精度的仪表放大器,使用方便。但输入共模电压范围太小且静态功耗较大,无法满足题目要求中的电压及功耗要求。方案二:采用专用TI检流芯片INA282进行电流检测,INA282是TI的电流分流模拟输出型电流感应放大器,其电压增益为50倍,共模抑制比较高,测量准确。利用INA282实现检流功能,电路简单,且静态功耗较小。经比较,由于AD620的电压范围不能满足题目要求,故采用方案二,使用TI的高精度检流芯片INA282作为电流检测的
7、方案。1.4 单片机供电模块的比较与选择方案一:以MP2307芯片为电源供电芯片,使用一体成形功率电感与同步整流控制芯片,体积更小,效率更高。方案二:用lm7805三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少。但当稳压管温度过高时,稳压性能将变差,甚至损坏。需安装足够大的散热器。综合以上两种方案,由于本设计对重量选择方案一。 二、系统理论分析与计算2.1 主要器件参数选择及计算 2.1.1 定值电阻RT的计算较高频率的应用体积较小,但损耗也较高。在我们方案中,选定330kHz作为小尺寸与高效率之间的合理折中方案。用公式(2-1)可以计算出330kHz开关频率下RT的值:RT=5.2109fSW
8、-948 (2-1)2.1.2 输出电感L0的选取最大电感纹波电流出现在最大输入电压时,电感值计算公式如下,LO=VOUTIPP(MAX)fSW1-VOUTVINMAX(H) (2-2)已知开关频率、最大纹波电流、最大输入电压与标称输出电压,代入公式(2-2)可计算出LO=530.4230k1-517.612.9H (2-3)2.1.3 电流检测电阻Rs的选取考虑到误差与纹波电流,最大输出电流应高于所需输出电流的20至50。电流检测电阻值可以用如下公式计算:RS=VCSTHIOUTMAX+VOUTKfSWLO-IPP2() (2-4)2.1.4 输出电容Co的选取输出电容器可以平滑电感纹波电流
9、引起的输出电压纹波,并在瞬态负载条件下提供一个充电电源。具有最大 ESR 的输出纹波电压的基本元件近似值为:VOUT=IPPRESR2+(18fSWCOUT)(-5)2.1.5 过流保护电路中检流电阻的选取采用TI公司高精度检流芯片INA282进行电流检测,INA282的增益为50倍,共模抑制比比较高,只需外接10m电阻便可完成测量并且非常准确。此外,INA282共模范围为-1480V。利用INA282实现检流功能,电路简单,能耗较小。单片机最高可输入信号的最大电压为3.3V,且降压电路输出电流最大为3A,故采用0.01电阻进行电流检测。 (2-6)2.2 提高效率的方法采用低导通电阻的MOS
10、FET降低导通损耗。斩波电路的主要损耗是开关的损耗,通过采用导通电阻很低的CSD18532KCS MOS管可以明显提高效率。优化PCB布线。在进行PCB布线时,尽量使布局紧凑,走线短且直,主电路使用大面积覆铜代替走线。2.3 降低纹波的方法(1)加大输出滤波的电容、电感参数.通过输出纹波与输出电容的关系式:Vripple=Imax/(Cof) (2-7)可以看出,加大输出电容值可以减小纹波。或者考虑采用并联的方式减小ESR值,或者使用LOWESR电容。低边NMOS器件两端的电阻-电容缓冲网络可减少开关节点的振铃与尖峰。其他低ERS/ESL陶瓷电容器可以与主输出电容并联起来,以进一步降低输出电压
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