电子电路基础习题册参考答案第一章.docx

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1、电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章 常用半导体器件1-1 晶体二极管一, 填空题1, 物质按导电实力的强弱可分为 导体 , 绝缘体 与 半导体 三大类，最常用的半导体材料是 硅 与 锗 。2, 依据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N 型半导体与 P 型半导体。3, 纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴与自由电子数 相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是 空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是 电子 。4, 晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止 。一般硅二极管的

2、开启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路 与电工设备中常运用硅二极管。6.稳压二极管工作于 反向击穿 区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。7在稳压电路中，必需串接 限流 电阻，防止 反向击穿电流 超过极限值而发生 热击穿 损坏稳压管。8二极管按制造工艺不同，分为 点接触 型, 面接触 型与 平面 型。9, 二极管按用途不同可分为 一般二极管 , 整流二极管 , 稳压二极管 , 开关 , 热敏 ,

3、 发光 与 光电二极管 等二极管。10, 二极管的主要参数有 最大整流电流 , 最高反向工作电压 , 反向饱与电流 与 最高工作频率 。11, 稳压二极管的主要参数有 稳定电压 , 稳定电流 与 动态电阻 。12, 图1-1-1所示电路中，二极管V1, V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为志向二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V , 流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。14, 图1-1-3所示电路中，二极管是志向器件，则流过

4、二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为 +5V。15, 光电二极管的功能是将 光脉冲 信号转换为 电 信号，发光二极管的功能是将 电 信号转换为 光 信号。16, 用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于 二极管 挡，将黑表笔插入 com 插孔，接二极管的 负 极；红表笔插入 V, 插孔，接二极管的 正 极，其显示的读数为二极管的 正向压降 。一, 推断题1, 在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流与空穴电流。（ ）2, P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（ ）3, 晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（ ）4, 晶体二极

5、管的正向特性也有稳压作用。（ ）5, 硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（ ）6, 将P型半导体与N型半导体用确定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。（ ）7, 稳压二极管按材料分有硅管与锗管。（ ）8, 用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（ ）9, 二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。（ ）10, 二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（ ）11, 用500型万用表测试发光二极管，应选R10K挡。（ ）三, 选择题1, 当环境温度上升时，晶体二极管的反向电流将（A ）。A增大 B .减小 C. 不变2, 测量小功率晶体二极管

6、性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。A .R100或R1K B. R 1 C. R10K3, 半导体中的空穴与自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。A. P型半导体 B. 本征半导体 C, N型半导体4, 稳压管的稳压性能是利用（ B ）实现的。APN结的单向导电性 B .PN结的反向击穿特性 CPN结的正向导通特性5, 电路如图1-1-4所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U0为（ C ）A. 12V B. 5.7V C. 7.7V D.7V 6, 在图1-1-5所示的电路中，流过二极管的电流I1, I2分别是（ D ）。A.

7、I1=8mA , I2=0 B. I1=2mA C. I1=0, I2=6mA D. I1=0, I2=8mA7, 二极管的正向电阻（B ）反向电阻。A.大于 B. 小于 C.等于 D.不确定8, 电路如图1-1-6所示，V为志向二极管，则二极管的状态为（A ）。A.导通 B.截止 C.击穿9, 上题中，A, B两端的电压为（ C ）。A.3V B. -3V C.6V D.-6V 10, 某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（ C ）。A. 280V B. 140V C. 70V D. 40V11, 二极管电路如图1-1-7所示，（1）处于导通状态的二极管是（ A ）。A只

8、有V1导通 B只有V2导通 CV1, V2均导通 DV1, V2均不导通（2）考虑二极管正向压降为0.7V时，输出电压U0为（ B ）。A-14.3V B-0.7V C-12V D-15V12, P型半导体中多数载流子是（ D ），N型半导体中多数载流子是（ C ）。A正离子 B负离子 C自由电子 D.空穴13, 用万用表R10与R1K挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果是（ C ）。A相同 BR10挡的测试值较小 CR1K挡的测试值较小14, 用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时，测得的阻值不相同，其缘由是（ c ）。A二极管的质量差 B万用表不同欧姆档有不同的内阻 C二极管有非线性的

9、伏安特性二, 简答题 1, 什么是本征半导体？N型半导体？PN结？ 答：本征半导体即纯净的单晶半导体，其内部存在数量相等的两种载流子，一种是负电的自由电子，另一种是带正电空穴。 N型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量，P型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。PN结是采纳掺杂工艺便硅与锗晶体的一边形成P型区，一边形成N型半导体。五分析, 计算, 作图题1, 推断图1-1-8中，志向二极管导通还是截止，若导通，则流过二极管的电流是多少？解：图a) V导通，I=5mA图b) V截止,I=0图c) V导通，I=10mA2, 在图1-1-9所示电路中，二极管为志

10、向二极管，ui=10sintV, 试画出输出电压波形。3, 在图1-1-10 所示电路中，二极管为硅管，求A点电位与流过二极管的电流。4, 在图1-1-11所示电路中，二极管是导通还是截止，输出电压U0是多少？ 图1-1-11解： a)V导通，U0=11.3V b)V导通，I0=15-12/3=2mAUR=13=3V UO=UR-15=-12Vc)V导通 ， UO=0.7V 1-2 晶体三极管一, 填空题1, 三极管有两个 PN 结，分别为 放射结 , 集电结 ，三个电极分别为 放射极 , 基极 与 基极 ，三极管按内部结构不同可分为 NPN 与 PNP 型。2, 晶体三极管实现电流放大作用的

11、偏置条件是 放射结 正偏 与 集电结 反偏，电流安排关系是 IE=IC+IB 。3, 在模拟电子电路中，晶体管通常被用作 电流限制 元件，工作在输出特性曲线上的 放大 区；在数字电子电路中，晶体三极管通常被用作 开关 元件，工作在输出特性曲线上 区或 饱与 区或 截止 区。4, 在一块正常放大电路板上，测得三极管1, 2, 3脚对地电压分别为-10V, -10.2V, -14V，则该管为 PNP 型 锗 材料三极管，1脚是 放射 极，2脚是 基 极，3脚是 集电 极。5, NPN型三极管，挡UBE0.5V，UBEUCE时，工作在 饱与 状态；当UBE0.5V，UBEUCE时，工作在 放大 状态

12、；当UBE0时，工作在 截止 状态。6, 当温度上升时，三极管的电流放大系数将 上升 ，穿透电流ICEO将 增加 ，放射结电压UBE将 增大 。7, 衡量晶体三极管放大实力的参数是 共射电流放大系数 ，三极管的主要极限参数有集电极最大允许电流 , 集-发反向击穿电压 , 集电极最大允许耗散功率 。8, 因为晶体三极管的穿透电流随温度的上升增大，而锗管的穿透电流比硅管 大 ，所以 硅 三极管的热稳定性好。9, 三极管的输出特性可分为三个区域，即 截止 区与 放大 区，当三极管工作在 饱与 区时，IC=IB才成立；当三极管工作在包河区时UCE= UCES ；当三极管工作在截止区时，IC= O(IC

13、EO) 。10, ICEO称为三极管的 穿透 电流，它反映三极管的 温度稳定性 ，ICEO是ICBO的 1+ 倍，先选用管子时，盼望ICEO尽量 小 。11, 测量晶体三极管3AX31的电流，当IB=20uA时，IC=2mA；当IB=60uA时，IC=5.4mA，则该管的为 85 ，ICEO= 0.3mA ,ICBO= 3.5uA 。12, 设三极管的PCM=150mW, ICM=100 mA, U(BR)CEO=30V,若UCE=10V,IC允许的最大值为15mA ；若UCE=1V, IC允许的最大值为 100mA ；若IC=3A,UCE允许的最大值为 30v 。13, 复合管是由 两个 以

14、上的三极管按确定方式连接而成，用复合管提高输出级的电流 放大倍数。14, 有二只三极管构成的复合管的类型，取决于 输入管 三极管的类型，其电流放大系数= 12 。二, 推断题1, 晶体三极管的放射区与集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以放射极与集电极可以相互调换运用。（ ）2, 晶体三极管的放大作用详细表达在IC=IB。（ ）3, 晶体三极管具有能量放大作用。（ ）4, 硅三极管的ICBO值要比锗三极管的小。（ ）5, 假如集电极电流IC大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管确定损坏。（ ）6, 晶体二极管与晶体三极管都是非线性器件。（ ）7, 3CG21管工作在饱与状态时，确

15、定是UBEUCE。（ ）8, 某晶体三极管的IB=10uA时，IC=0.44mA;IB=20u时，IC=0.89mA,则它的电流放大系数=45。（ ）9, 因为三极管有两个PN结，二极管有一个PN结，所以用两个二极管可以连接成一个三极管。（ ）10, 推断图1-2-1所示各三极管的工作状态（NPN型为硅管，PNP型为锗管）。11, 复合管的共放射极电流放大倍数等于两管的1, 2之与。（ ）12, 晶体三极管的主要性能是具有电压与电流放大作用。（ ）三, 选择题1, 三极管的放射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（A ）A.放大状态 B.饱与状态 C.截止状态2, 三极管在饱与状态时，它的IC将（

16、C ）。A.随IB的增加而增加 B.随IB的增加而减小 C.与IB无关3, 三极管的特性曲线是指它的（C ）。A.输入特性曲线 B.输出特性曲线 C.输入特性与输出特性曲线4, 在三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（C ）对应。A.输入电压 B.基极电压 C.基极电流5, 当温度上升时，晶体三极管的参数将发生（C ）改变。A. UBE增大，增大，ICBO增大B.UBE减小，增大，ICBO增大C.UBE增大，减小，ICBO增大6, 用万用表测得电子线路中的晶体管UE=-3V,UCE=6V,UBC=-5.4V,则该晶体管是（ C ）。A.PNP型，处于放大状态 B.PNP型，处于截止状态C.NP

17、N型，处于放大状态 D.NPN型，处于截止状态7, 已知某晶体管的PCM=100mW ICM=20mA U(BR)=15V在下列工作条件下，正常工作的是（B ）。A.UCE=2V,IC=40mA B.UCE=3V,IC=10mAC.UCE=4V,IC=30mA D.UCE=6V,IC=20mA8, 3DG6型晶体管是（ A ）。A.高频小功率硅NPN型三极管 B.高频小功率锗NPN型三极管C.高频小功率锗PNP型三极管9, 在三极管的输出特性曲线中，当IB=0时，IC是( C )。A. ICM B.ICBO C.ICEO10, 某晶体三极管的放射极电流等于1ma,基极电流等于20uA,正常工作

18、时它的集电极电流等于（ A ）。A.0.98mA B.1.02mA C.0.8mA11, 图1-2-2所示电路中，三极管处于（ A ）状态（V为硅管）。A. 截止 B.饱与 C.放大12, 在图1-2-3所示各复合管中，连接不正确的是（C ）。四, 简答题1, 什么是三极管的输出特性？画出硅三极管在共放射极组态时的输出特性曲线，并标出它的三个工作区。答：它是指三极管基极电流IB确定时，三极管的集电极电流IC与集电极与放射极之间的电压UCE之间的关系曲线。2, 三极管有哪三种连接方式？画出示意图。答：共放射极接法，共集电极接法，共基极接法。3, 三极管有哪三种工作状态？其外部条件（偏执条件）是什

19、么？答：放大状态, 截止状态 , 饱与状态。其外部条件（1）放大状态时，三极管放射结正偏，集电结反偏时，ic受ib限制，具有电流放大作用。同时ic的大小与uce基本无关。记住三极管放大状态时的硅管UBE约为0.7V，锗管的UBE约为0.3V。（2）截止状态时:一般把IB=0时，这时的三极管放射结与集电结均反偏，三极管处于截止状态，相当于开关断开。这时只有很小的集电极电流穿透电流存在。（3）饱与状态时:三极管的UceUbe时，在放射结与集电结均正偏时，此时ic不受ib限制，却随着UCE的增大而增大，这时处于饱与状态，相当于开关闭合。这时的只剩下三极管的饱与压降存在。5, 标出下列复合管的等效管型

20、与管脚。6, 三极管的集电极最大允许电流是怎样定义的？答：三极管集电极最大允许电流Icm，集电极电流过大时，三极管的值要降低，一般规定下降到其正常值的三分之二时的集电极电流。五, 分析, 计算, 画图题1, 一个晶体三极管在工作时，测得其放射极电流IE=10mA，基极电流IB=400uA，求其基极电流IC与直流电流放大系数。2, 用万用表测量三极管各级间电压得到下列三组数值：（1）UBE=0.7V, UCE=0.3V; (2)UBE=0.7V,UCE=4V; (3)UBE=-0.2V,UCE=-0.3V。试分析每只管子的类型，是硅管还是锗管，并说明工作状态。答： (1) UBE=0.7V是硅管

21、，UCE=0.3V工作在饱与状态。 （2） UBE=0.7V是硅管，UCE=4V工作在放大状态。 （3）UBE=-0.2V是锗管，UCE=-0.3V工作在饱与状态。3, 画出PNP管与NPN管的符号，并标出放大状态时各极电流方向与各极间电压的极性。1-3 场效应管一, 填空题1, 晶体三极管是 电流 限制器件，是通过较小的 基极电流 改变去限制较大的 集电极电流 的改变。2, 场效应管是 一种电压 限制器件，是用 栅源 电压限制 漏极 电流，具有 转移特性 与 输出特性 特点。3, 场效应管按其结构不同分为 结 型与 绝缘栅 型两大类，每类有 P 沟道与 N 沟道两种，绝缘栅场效应管按其工作状

22、态又可分为 增加 型与 耗尽 型两种。4, 场效应管的三个电极分别是 栅极 , 源极 , 与 漏极 。5, 场效应管的输出特性曲线是UGS为定值时 漏极电流 iD与 漏源电压UDS 的关系曲线，输出特性曲线分为 可变电阻 区, 放大饱与 区与 击穿 区。6, 某耗尽型MOS管的转移特性曲线如图1-3-1所示由图可知IDSS= 3.8mA ，UP= -4V 。7, 图1-3-2是增加型MOS的一条输出特性曲线，当UDS=10V时，该管的ID= 2.6mA 。8, 用N沟道增加型与P沟道增加型MOS管组成互补电路，称 COMS 管，该管输入电流 小 , 功耗 小 与工作电源范围 宽 ，目前广泛应用

23、于 集成电路 中。9, VMOS管与UMOS管的最大特点是 耗散功率 大, 工作速度 快, 耐压 高与 转移特性 的线性度好，是志向的大功率器件。10, 场效应管用于放大时，工作在 放大 区，三极管用于放大时，工作在 放大 区。11, 场效应管的主要参数有 开启电压UT , 夹断电压UP , 饱与漏极电流IDSS , 跨导gm 与 漏极击穿电压U(BR)DS 。二, 推断题1, 晶体三极管是单极型器件，场效应管是双极型器件。（ ）2, 通常场效应管的性能用转移特性曲线, 输出特性曲线与跨到表示。（ ）3, 场效应管的源极与漏极均可以互换运用。（ ）4, 场效应管具有电流放大与电压放大实力。（

24、）5, 跨到是表征输入电压对输出电流限制作用的一个参数。（ ）6, 结型场效应管有增加型与耗尽型。（ ）7, 绝缘栅场效应管通常称为MOS管。（ ）8, P沟道增加型绝缘栅场效应管正常工作时UDS与UGS都必需为负。（ ）9, 绝缘栅场效应管可以用万用表检测。（ ）10, 存放绝缘栅场效应管应将三个电极短路。（ ）三, 选择题1, 绝缘栅场效应管有（B ）个PN结。A.3 B.2 C.1 D. 02, 场效应管的转移特性曲线是（ A ）。3, 结型场效应管属于( B )。A.增加型 B.耗尽型 C.不确定4, 表征场效应管放大实力的重要参数是（ B ）。A.UP B.Gm C.IDSS D.U

25、T5, N沟道增加型MOS管栅源电压UGS是（A ）。A.正值 B.负值 C.零6, N沟道增加型MOS管放大作用时，工作在（ A ）。A.恒流区 B.夹断区 C.可变电阻区四, 1, 什么是场效应管？它有哪三个电极？分为哪些类型？画出N沟道MOS管增加型与耗尽型图形符号.答：是一种电压限制器件，它是利用输入电压产生的电场效应来限制输出电流的器件。源极S, 漏极D, 限制极（栅极)G。它分为增加型（EMOS）与耗尽型（DMOS）两大类。各类又有P（PMOS）沟道与N（NMOS）沟道两种。2, 画出增加型NMOS管的转移特性与输出特性曲线，并在输出曲线上标出她的三个区域。3, 什么是增加型MOS

26、管？什么是耗尽型MOS管？答：增加型：在漏源极间加正向电压UDS,UGS依靠加上电压才产生导电沟道的场效应管称为增加型mos管。耗尽型：只要加上UDS电压，即使UGS=0管子也能导通形成漏电电流，称为耗尽型mos管。4, 能否用万用表来检测场效应管答：对绝缘栅场效应管不允许用万用表检测，以防止静电高压将管子击穿，对结型场效应管可用推断晶体三极管方法来推断PN结。5, 已经 某场效应管输出特性曲线如图1-3-4所示。试分析：（1）是哪种类型的场效应管？（2）Ur（或UP）, IDSS是多少？（3）跨导Gm是多少？答：（1）N沟道耗尽型（2）（夹断电压）UP=-4v ，（饱与漏极电流）IDSS=8mA（3）跨导Gm=ID/UGS=8m/v第 12 页